onsemi NTMFS5C670NL：60V N溝道功率MOSFET深度解析

在現代電子設備的設計中，功率MOSFET扮演著至關重要的角色，它們直接影響著設備的性能、效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一款由onsemi推出的高性能產品——NTMFS5C670NL，這是一款額定電壓為60V的N溝道功率MOSFET。

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產品概述

NTMFS5C670NL具有一系列出色的特性，使其在緊湊設計的應用中表現卓越。它采用了5x6 mm的小尺寸封裝，為緊湊型設計提供了便利。同時，低導通電阻（$R{DS(on)}$）和低柵極電荷（$Q{G}$）及電容的特性，可減少傳導損耗和驅動損耗。而且，該器件符合無鉛和RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

關鍵參數分析

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件，大家在設計時一定要嚴格遵守這些參數限制。

熱阻參數

要知道，整個應用環(huán)境會影響熱阻值，這些值并非恒定不變，且僅在特定條件下有效。比如它是在采用$650mm^{2}$、2 oz Cu焊盤的FR4板上表面貼裝測得的。

電氣特性

截止特性

• 漏源擊穿電壓$V_{(BR)DSS}$：$V{GS}=0 V$，$I{D}=250mu A$時，為60V。
• 零柵壓漏極電流$I_{DSS}$：$V{GS}=0 V$，$V{DS}=60 V$，$T{J}=25 °C$時為10μA，$T{J}=125°C$時為250μA。
• 柵源泄漏電流$I_{GSS}$：$V{DS}=0 V$，$V{GS}= 20 V$時為100 nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓$V_{GS(TH)}$：$V{GS}=V{DS}$，$I_{D}= 53 A$時，典型值為1.2 - 2.0V。
• 閾值溫度系數$V{GS(TH)}/T{J}$：-4.7 mV/°C。
• 漏源導通電阻$R_{DS(on)}$：$V{GS}= 10 V$，$I{D}= 35 A$時，為5.1 - 6.1 mΩ；$V{GS}= 4.5 V$，$I{D}= 35 A$時，為7.0 - 8.8 mΩ。
• 正向跨導$g_{FS}$：$V{DS}= 15 V$，$I{D}= 35 A$時，為82 S。

電荷和電容特性

• 輸入電容$C_{ISS}$：$V{GS}= 0 V$，$f = 1 MHz$，$V{DS}= 25 V$時，為1400 pF。
• 輸出電容$C_{OSS}$：640 pF。
• 反向傳輸電容$C_{RSS}$：15 pF。
• 總柵極電荷$Q_{G(TOT)}$：$V{GS}= 4.5 V$，$V{DS}= 30 V$，$I{D}= 35 A$時為9.0 nC；$V{GS}= 10 V$，$V{DS}= 30 V$，$I{D}= 35 A$時為20 nC。

開關特性

在$V{GS}= 4.5 V$，$V{DS}= 30 V$，$I{D}= 35 A$，$R{G}= 2.5Omega$的條件下：

• 導通延遲時間$t_{d(ON)}$為11 ns。
• 上升時間$t_{r}$為60 ns。
• 關斷延遲時間$t_{d(OFF)}$為15 ns。
• 下降時間$t_{f}$為4 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓$V_{SD}$：$V{GS}= 0 V$，$I{S}= 35 A$，$T{J}= 25°C$時為0.9 - 1.2V，$T{J}= 125°C$時為0.8V。
• 反向恢復時間$t_{RR}$：34 ns。
• 反向恢復電荷$Q_{RR}$：19 nC。

典型特性曲線解讀

數據手冊中還給出了多個典型特性曲線，這些曲線對于我們深入了解器件性能至關重要。

• 導通區(qū)域特性曲線（圖1）：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關系，能幫助我們了解器件在導通狀態(tài)下的性能。大家在看這條曲線時，思考一下不同應用場景下如何選擇合適的工作點？
• 轉移特性曲線（圖2）：呈現了不同結溫下，漏極電流與柵源電壓的關系，這有助于我們分析溫度對器件的影響。
• 導通電阻與柵源電壓的關系曲線（圖3）：直觀地反映了導通電阻隨柵源電壓的變化情況，對于優(yōu)化電路效率非常關鍵。
• 還有其他多條曲線，如電容隨漏源電壓的變化曲線、開關時間隨柵極電阻的變化曲線等，都為我們提供了豐富的設計參考信息。

產品訂購信息

機械封裝與尺寸

該器件采用DFN5 5x6, 1.27P（SO - 8FL）封裝，并給出了詳細的尺寸標注和公差要求。在進行PCB設計時，我們需嚴格按照這些尺寸進行布局，確保焊接和安裝的準確性。

綜上所述，onsemi的NTMFS5C670NL是一款性能優(yōu)異、參數豐富的N溝道功率MOSFET，在電源管理、電機驅動等多個領域都有廣泛的應用前景。大家在使用這款器件時，一定要充分理解其各項參數和特性，合理進行電路設計，以實現最佳的性能表現。你在實際應用中是否使用過類似的MOSFET呢？遇到過哪些問題？歡迎在評論區(qū)交流分享。