深入解析 onsemi NTMFD6H852NL 雙 N 溝道 MOSFET

在電子設(shè)備中，MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色，其性能直接影響著設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的一款雙 N 溝道 MOSFET——NTMFD6H852NL。

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產(chǎn)品概述

NTMFD6H852NL 是 onsemi 公司的一款功率型雙 N 溝道 MOSFET，具有 80V 的耐壓能力，25.5mΩ 的導(dǎo)通電阻，最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 25A。這款 MOSFET 采用了 5x6mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)，能有效節(jié)省 PCB 空間。

產(chǎn)品特性

• 小尺寸封裝：5x6mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了可能，在空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景中具有明顯優(yōu)勢(shì)。
• 低導(dǎo)通電阻：低 (R_{DS(on)}) 能有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
• 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容可減少驅(qū)動(dòng)損耗，降低功耗。
• 環(huán)保合規(guī)：該器件為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

最大額定值

電壓與電流額定值

功率與溫度額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻特性

熱阻是衡量 MOSFET 散熱能力的重要指標(biāo)。該器件的結(jié)到殼熱阻在穩(wěn)態(tài)下有相應(yīng)的規(guī)定，但需要注意的是，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻值，它并非恒定值，僅在特定條件下有效。例如，器件表面安裝在 FR4 板上，使用 (650mm^{2})、2oz. 的銅焊盤時(shí)，熱阻會(huì)有所不同。此外，脈沖時(shí)間長(zhǎng)達(dá) 1 秒的最大電流會(huì)更高，但這取決于脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) 時(shí)，最小值為 80V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) (V{(BR)DSS}/T{J})：為 47.5mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V) 條件下，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為 10(mu A)，(T{J}=125^{circ}C) 時(shí)為 250(mu A)。
• 柵源泄漏電流 (I_{GSS})：在 (V{DS}=0V)，(V{GS}=20V) 時(shí)為 100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V_{GS(TH)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=26A) 時(shí)，典型值為 1.2 - 2.0V。
• 閾值溫度系數(shù) (V{GS(TH)}/T{J})：為 -5.0mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})：(V{GS}=10V)，(I{D}=10A) 時(shí)，典型值為 21 - 25.5mΩ；(V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) 時(shí)，典型值為 25 - 31.5mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g_{FS})：在 (V{DS}=5V)，(I{D}=10A) 時(shí)為 38S。

電荷、電容與柵極電阻特性

• 輸入電容 (C_{ISS})：在 (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) 時(shí)為 521pF。
• 輸出電容 (C_{OSS})：為 69pF。
• 反向傳輸電容 (C_{RSS})：為 4pF。
• 總柵極電荷 (Q_{G(TOT)})：(V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=10A) 時(shí)為 10nC；(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=10A) 時(shí)為 5nC。
• 閾值柵極電荷 (Q_{G(TH)})：為 1.1nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：為 1.9nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：為 1.7nC。
• 平臺(tái)電壓 (V_{GP})：為 3.1V。

開關(guān)特性

• 開通延遲時(shí)間 (t_{d(ON)})：在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=10A)，(R{G}=2.5Omega) 時(shí)為 7ns。
• 上升時(shí)間 (t_{r})：為 23ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(OFF)})：為 19ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f})：為 16ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V_{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)，有相應(yīng)的參數(shù)。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{RR})：為 20nC。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間關(guān)系以及熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，為電路設(shè)計(jì)提供參考。

訂購(gòu)信息

該器件的標(biāo)記為 6H852L，采用 DFN8（無(wú)鉛）封裝，每盤 1500 個(gè)，以卷帶包裝形式供貨。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考 onsemi 的 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

機(jī)械尺寸與封裝

器件采用 DFN8 5x6、1.27P 雙引腳（SO8FL - 雙）封裝，文檔中給出了詳細(xì)的機(jī)械尺寸圖和相關(guān)說(shuō)明。在進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)，需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行布局，以確保器件的正確安裝和使用。同時(shí)，對(duì)于焊接焊盤的設(shè)計(jì)，可參考 onsemi 的 Soldering and Mounting Techniques Reference Manual（SOLDERRM/D）。

總結(jié)

NTMFD6H852NL 是一款性能優(yōu)異的雙 N 溝道 MOSFET，具有小尺寸、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)損耗等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種緊湊型電子設(shè)備。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，工程師需要充分考慮其最大額定值、電氣特性和熱阻特性等參數(shù)，結(jié)合典型特性曲線進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)，以確保器件的性能和可靠性。你在使用這款 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。