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常用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管資料,transistor datasheet

454398 ? 2018-09-20 18:22 ? 次閱讀
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常用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管資料,transistor datasheet

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常用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管資料,大家參考,都是IR公司的場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng) 型號(hào) 反壓 Vbe0 電流 Icm 功率 Pcm 放大系數(shù) 特征頻率 管子類型
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF840 500V 8A 125W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
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    無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國(guó)際
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?1200次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1686次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>詳解

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極(G),N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),如圖 1.11所示
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:19 ?4730次閱讀
    結(jié)型<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>的結(jié)構(gòu)解析
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