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onsemi FDMC86240 N溝道MOSFET的技術(shù)剖析與應(yīng)用

lhl545545 ? 2026-04-16 16:35 ? 次閱讀
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onsemi FDMC86240 N溝道MOSFET的技術(shù)剖析與應(yīng)用

在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計中。今天我們來深入了解一下安森美(onsemi)的FDMC86240 N溝道MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和應(yīng)用場景。

文件下載:FDMC86240-D.PDF

產(chǎn)品概述

FDMC86240是一款采用安森美先進(jìn)POWERTRENCH工藝結(jié)合屏蔽柵技術(shù)生產(chǎn)的N溝道MOSFET。這種工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時,還能保持出色的開關(guān)性能。該器件的額定電壓為150V,額定電流為16A,導(dǎo)通電阻在不同條件下有不同表現(xiàn),例如在$V{GS}=10V$、$I{D}=4.6A$時,最大$r{DS(on)}$為51mΩ;在$V{GS}=6V$、$I{D}=3.9A$時,最大$r{DS(on)}$為70mΩ。

產(chǎn)品特性

屏蔽柵MOSFET技術(shù)

這是FDMC86240的核心技術(shù)之一,它有助于降低導(dǎo)通電阻,提高開關(guān)速度,從而提升器件的整體性能。在實際應(yīng)用中,能夠有效減少功率損耗,提高電路效率。

低外形設(shè)計

該器件采用Power 33封裝,最大高度僅為1mm,這種低外形設(shè)計非常適合對空間要求較高的應(yīng)用場景,如便攜式設(shè)備等。

100% UIL測試

經(jīng)過100%的非鉗位電感開關(guān)(UIL)測試,保證了器件在實際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性,降低了因開關(guān)過程中的電壓尖峰而導(dǎo)致器件損壞的風(fēng)險。

ROHS合規(guī)

符合ROHS標(biāo)準(zhǔn),意味著該器件在生產(chǎn)過程中不含有害物質(zhì),符合環(huán)保要求,適用于對環(huán)保有嚴(yán)格要求的市場。

應(yīng)用場景

FDMC86240主要應(yīng)用于DC - DC轉(zhuǎn)換電路中。在DC - DC轉(zhuǎn)換中,MOSFET作為開關(guān)元件,其性能直接影響到轉(zhuǎn)換效率和輸出穩(wěn)定性。FDMC86240的低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能,能夠有效減少轉(zhuǎn)換過程中的功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,因此非常適合這類應(yīng)用。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

參數(shù) 符號 額定值 單位
漏源電壓 $V_{DS}$ - 150 V
柵源電壓 $V_{GS}$ ± 20 V
連續(xù)漏極電流($T_{C}=25^{circ}C$) $I_{D}$ 16 A
連續(xù)漏極電流($T_{A}=25^{circ}C$) $I_{D}$ 4.6 A
脈沖漏極電流 $I_{D}$ 20 A
單脈沖雪崩能量 $E_{AS}$ 34 mJ
功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) $P_{D}$ 40 W
功率耗散($T_{A}=25^{circ}C$) $P_{D}$ 2.3 W
工作和存儲結(jié)溫范圍 $T{J}$、$T{STG}$ - 55 to +150 $^{circ}C$

電氣特性

關(guān)斷特性

  • 漏源擊穿電壓($I{D}=250mu A$,$V{GS}=0V$):最小值為150V。
  • 擊穿電壓溫度系數(shù)($I_{D}=250mu A$,參考25°C):典型值為101mV/°C。
  • 零柵壓漏極電流($V{DS}=120V$,$V{GS}=0V$):最大值為1μA。
  • 柵源泄漏電流($V{GS}=20V$,$V{DS}=0V$):最大值為 + 100nA。

導(dǎo)通特性

  • 柵源閾值電壓:典型值為2.0V。
  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻:在不同條件下有不同值,如$V{GS}=10V$、$I{D}=4.6A$時,典型值為44.7mΩ,最大值為51mΩ;$V{GS}=6V$、$I{D}=3.9A$時,最大值為70mΩ。

動態(tài)特性

  • 反向傳輸電容($V{DS}=75V$,$V{GS}=0V$,$f = 1MHz$):典型值為0.5pF。

開關(guān)特性

  • 開啟延遲時間($V{DD}=75V$,$I{D}=4.6A$,$V_{GS}=10V$):典型值為8.2ns。
  • 關(guān)斷延遲時間:典型值為3.1ns和11ns。
  • 總柵極電荷($V{GS}=0V$到$5V$,$V{DD}=75V$,$I_{D}=4.6A$):典型值為9nC。

漏源二極管特性

  • 源漏二極管正向電壓($V{GS}=0V$,$I{S}=2A$):典型值為1.2V,最大值為1.3V。
  • 反向恢復(fù)電荷:典型值為102nC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線,這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如,導(dǎo)通電阻與漏極電流、柵極電壓以及結(jié)溫的關(guān)系曲線,有助于工程師在設(shè)計電路時更好地選擇合適的工作點。

封裝和訂購信息

FDMC86240采用WDFN - 8封裝,封裝尺寸為3.30x3.30x0.75mm,引腳間距為0.65mm。器件標(biāo)記包含特定設(shè)備代碼、組裝位置、批次追溯代碼和日期代碼等信息。訂購時,每卷有3000個器件,采用13英寸卷軸和12mm寬的膠帶包裝。

總結(jié)

FDMC86240 N溝道MOSFET憑借其先進(jìn)的工藝、出色的性能和豐富的特性,在DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。電子工程師設(shè)計相關(guān)電路時,可以根據(jù)實際需求,結(jié)合該器件的各項參數(shù)和特性曲線,進(jìn)行合理的選型和設(shè)計。大家在實際應(yīng)用中有沒有遇到過類似MOSFET的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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