深入解析 onsemi FDMC8327L N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi FDMC8327L N 溝道 MOSFET
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討 onsemi 公司的 FDMC8327L N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
文件下載：FDMC8327L-D.pdf
一、產(chǎn)品概述
FDMC8327L 是一款采用 onsemi 先進(jìn) POWERTRENCH 工藝生產(chǎn)的 N 溝道 MOSFET。該工藝經(jīng)過特別優(yōu)化，能夠在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，保持出色的開關(guān)性能。這使得 FDMC8327L 在眾多電子設(shè)備中都能發(fā)揮重要作用。
二、產(chǎn)品特性
1. 低導(dǎo)通電阻
- 在 (V{GS}=10V)，(I{D}=12A) 時(shí)，最大 (R{DS(on)} = 9.7mOmega)；在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) 時(shí)，最大 (R{DS(on)} = 12.5mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗更小，能夠提高電路的效率。
2. 低外形封裝
其最大高度僅為 0.8mm（Power 33 封裝），這種低外形設(shè)計(jì)使得 FDMC8327L 非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 可靠性測(cè)試
經(jīng)過 100% UIL（非鉗位感性負(fù)載）測(cè)試，確保了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。
4. 環(huán)保特性
該器件符合 Pb - Free（無鉛）、Halide Free（無鹵化物）和 RoHS（有害物質(zhì)限制）標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
三、絕對(duì)最大額定值
| Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | Drain to Source Voltage | 40 | V |
| (V_{GS}) | Gate to Source Voltage | ± 20 | V |
| (I_{D}) | Drain Current | ||
| – Continuous (Package Limited) (T_{C} = 25 °C) | 14 | A | |
| – Continuous (Silicon Limited) (T_{C} = 25 °C) | 43 | A | |
| – Continuous (Note 1a) (T_{A} = 25 °C) | 12 | A | |
| – Pulsed | 60 | A | |
| (E_{AS}) | Single Pulse Avalanche Energy (Note 3) | 25 | mJ |
| (P_{D}) | Power Dissipation (T_{C} = 25 °C) | 30 | W |
| (P_{D}) | Power Dissipation (Note 1a) (T_{A} = 25 °C) | 2.3 | W |
| (T{J}, T{STG}) | Operating and Storage Junction Temperature Range | –55 to +150 | °C |
需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。
四、電氣特性
1. 關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓 (BVDSS)：在 (I{D}=250mu A)，(V{GS}=0V) 時(shí)為 40V。
- 擊穿電壓溫度系數(shù) (BVDSS{TJ})：在 (I{D}=250mu A)，參考溫度為 25°C 時(shí)為 22mV/°C。
- 零柵壓漏電流 (IDSS)：在 (V{DS}=32V)，(V{GS}=0V) 時(shí)為 ±100nA。
- 柵源泄漏電流 (IGSS)：在 (V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V) 時(shí)為 1.7 - 3.0nA。
2. 導(dǎo)通特性
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) 時(shí)為 12.5mΩ；在 (V{GS}=10V)，(I{D}=12A)，(T{J}=125°C) 時(shí)為 11mΩ。
3. 動(dòng)態(tài)特性
- 輸入電容 (C{iss})：在 (V{DS}=20V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 時(shí)為 1235pF。
- 反向傳輸電容 (C_{rss})：為 21pF。
4. 開關(guān)特性
- 上升時(shí)間 (t_{r}) 為 10ns。
- 總柵電荷 (Q{g(TOT)})：在 (V{GS}=0V) 到 (10V)，(V{DD}=20V)，(I{D}=12A) 時(shí)為 18.5nC。
5. 漏源二極管特性
- 源漏二極管正向電壓 (V{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=1.8A) 時(shí)為 0.7 - 1.2V；在 (V{GS}=0V)，(I_{S}=12A) 時(shí)為 0.8 - 1.3V。
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (t{rr})：在 (I{F}=12A)，(di/dt = 100A/s) 時(shí)為 32 - 51ns。
- 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) 為 10 - 20nC。
五、典型特性曲線
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了 FDMC8327L 在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，通過“歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線”，我們可以清晰地看到不同柵極電壓下，導(dǎo)通電阻隨漏極電流的變化情況。這對(duì)于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)選擇合適的工作點(diǎn)非常有幫助。
六、應(yīng)用場(chǎng)景
FDMC8327L 適用于 DC - DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)景。在 DC - DC 轉(zhuǎn)換器中，其低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率，降低功耗。
七、總結(jié)
FDMC8327L 作為一款性能出色的 N 溝道 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、低外形封裝、高可靠性和環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)其電氣特性和典型特性曲線，合理選擇工作條件，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，在使用過程中，一定要注意不要超過其絕對(duì)最大額定值，以確保器件的正常工作和可靠性。
你在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否使用過類似的 MOSFET 呢？你對(duì)它的性能有什么看法？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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