onsemi FDMC7692 N-Channel MOSFET：高性能電源管理利器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi推出的FDMC7692 N-Channel MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

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一、產(chǎn)品概述

FDMC7692是一款采用onsemi先進(jìn)POWERTRENCH工藝生產(chǎn)的N-Channel MOSFET。這種工藝經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化，能夠有效降低導(dǎo)通電阻，非常適合用于筆記本電腦和便攜式電池組等常見(jiàn)的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

該器件在 $V{GS}=4.5 V$、$I{D}=10.6 A$ 時(shí)，最大 $r_{DS(on)}$ 僅為 $11.5 mOmega$，展現(xiàn)出了極低的導(dǎo)通電阻特性，有助于減少功率損耗，提高電源效率。

高性能技術(shù)

采用高性能技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極低的 $r_{DS(on)}$，能夠滿(mǎn)足對(duì)功率損耗要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

環(huán)保合規(guī)

這些器件為無(wú)鉛產(chǎn)品，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器

在DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DMC7692能夠高效地將高電壓轉(zhuǎn)換為低電壓，為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的電源。

筆記本電池電源管理

在筆記本電腦中，它可以用于電池的充電、放電管理，確保電池的安全和高效使用。

筆記本負(fù)載開(kāi)關(guān)

作為負(fù)載開(kāi)關(guān)，F(xiàn)DMC7692可以快速、可靠地控制負(fù)載的通斷，實(shí)現(xiàn)對(duì)筆記本電腦各部件的電源管理。

四、關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• $B_{V DSS}$：漏源擊穿電壓，在 $I{D}=250 mu A$、$V{GS}=0 V$ 時(shí)為30 V。
• $B{V DSS}/T{J}$：擊穿電壓溫度系數(shù)，在 $I_{D}=250 mu A$ 時(shí)為 $16 mV/^{circ} C$。
• $I_{DSS}$：零柵壓漏極電流，在 $V{DS}=24 V$、$V{GS}=0 V$ 時(shí)最大為 $1 mu A$；在 $V{DS}=24 V$、$V{GS}=0 V$、$T_{J}=125^{circ} C$ 時(shí)為 $250 mu A$。
• $I_{GSS}$：柵源泄漏電流，在 $V{GS}=20 V$、$V{DS}=0 V$ 時(shí)最大為 $100 nA$。

導(dǎo)通特性

• $V_{GS(th)}$：柵源閾值電壓，在 $V{GS}=V{DS}$、$I_{D}=250 mu A$ 時(shí)，最小值為 $1.2 V$，典型值為 $1.9 V$，最大值為 $3.0 V$。
• $A_{T J}$：柵源閾值電壓溫度系數(shù)，在 $I_{D}=250 mu A$ 時(shí)為 $-6 mV/^{circ} C$。
• $r_{DS(on)}$：靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻，在 $V{GS}=4.5 V$、$I{D}=10.6 A$ 時(shí)，典型值為 $9.5 mOmega$，最大值為 $11.5 mOmega$；在 $V{GS}=10 V$、$I{D}=13.3 A$、$T_{J}=125^{circ} C$ 時(shí)，典型值為 $9.5 mOmega$，最大值為 $12.0 mOmega$。
• $g_{FS}$：跨導(dǎo)，在 $V{DD}=5 V$、$I{D}=13.3 A$ 時(shí)為 $60 S$。

動(dòng)態(tài)特性

• $C_{iss}$：輸入電容，在 $V{DS}=15 V$、$V{GS}=0 V$、$f = 1 MHz$ 時(shí)，最小值為 $1260 pF$，典型值為 $1680 pF$。
• $C_{oss}$：輸出電容，最小值為 $480 pF$，典型值為 $635 pF$。
• $C_{rss}$：反向傳輸電容，典型值為 $65 pF$。
• $R_{g}$：柵極電阻，典型值為 $2.4 Omega$。

開(kāi)關(guān)特性

• $t_{d(on)}$：導(dǎo)通延遲時(shí)間，在 $V{DD}=15 V$、$I{D}=13.3 A$、$V_{GS}=10 V$ 時(shí)，典型值為 $18 ns$。
• $t_{r}$：上升時(shí)間，在 $R_{GEN}=6 Omega$ 時(shí)，最小值為 $4 ns$，典型值為 $10 ns$。
• $t_{d(off)}$：關(guān)斷延遲時(shí)間，典型值為 $21 ns$，最大值為 $33 ns$。
• $t_{f}$：下降時(shí)間，最小值為 $3 ns$，典型值為 $10 ns$。
• $Q_{g}$：總柵極電荷，在 $V{GS}=0 V$ 到 $10 V$、$V{DD}=15 V$、$I_{D}=13.3 A$ 時(shí)，最小值為 $21 nC$，典型值為 $29 nC$。
• $Q_{gd}$：柵漏“米勒”電荷，典型值為 $3 nC$。

漏源二極管特性

• $V_{SD}$：源漏二極管正向電壓，在 $V{GS}=0 V$、$I{S}=13.3 A$（注3）時(shí)，最小值為 $0.86 V$，典型值為 $1.2 V$；在 $V{GS}=0 V$、$I{S}=1.9 A$（注3）時(shí)，典型值為 $1.2 V$。
• $t_{rr}$：反向恢復(fù)時(shí)間，典型值為 $38 ns$。
• $Q_{rr}$：反向恢復(fù)電荷，典型值為 $7 nC$。

注3：脈沖測(cè)試，脈沖寬度 < 300 μs，占空比 < 2.0%。

五、封裝信息

FDMC7692采用WDFN8 3.3x3.3、0.65P封裝（CASE 511DQ），這種封裝具有較小的尺寸，適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用。其標(biāo)記圖包含裝配廠(chǎng)代碼、批次代碼和日期代碼等信息，方便產(chǎn)品的追溯和管理。

六、典型特性曲線(xiàn)

文檔中還給出了一系列典型特性曲線(xiàn)，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線(xiàn)能夠幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。

七、總結(jié)

onsemi的FDMC7692 N-Channel MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、高性能技術(shù)和環(huán)保合規(guī)等特性，為電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合器件的各項(xiàng)參數(shù)和典型特性曲線(xiàn)，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源管理系統(tǒng)。

你在設(shè)計(jì)中是否使用過(guò)類(lèi)似的MOSFET器件？在使用過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。