FDD390N15A N溝道PowerTrench? MOSFET：性能與應用解析

飛兆半導體（Fairchild）已成為安森美半導體（ON Semiconductor）的一部分。在這一整合過程中，部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號會有所改變，以滿足安森美半導體的系統(tǒng)要求，例如飛兆產(chǎn)品編號中的下劃線“_”將改為破折號“-”。今天，我們就來詳細了解一款飛兆的經(jīng)典產(chǎn)品——FDD390N15A N溝道PowerTrench? MOSFET。

文件下載：FDD390N15ACN-D.pdf

一、產(chǎn)品特性

FDD390N15A具有眾多出色的特性，使其在眾多應用場景中表現(xiàn)卓越。

1. 低導通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=26A)的條件下，典型導通電阻(R_{DS(on)}=33.5mΩ)，這一特性有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關速度：能夠快速地進行導通和關斷操作，可有效減少開關損耗，適用于對開關速度要求較高的應用。
3. 低柵極電荷：典型柵極電荷(Q_{G}=14.3nC)，低柵極電荷意味著驅(qū)動該MOSFET所需的能量較少，可降低驅(qū)動電路的功耗。
4. 高性能溝道技術(shù)：采用先進的高性能溝道技術(shù)，實現(xiàn)了極低的(R_{DS(on)})，同時具備高功率和高電流處理能力。
5. 符合RoHS標準：滿足環(huán)保要求，可放心應用于各類電子設備中。

二、產(chǎn)品說明

該N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench?工藝生產(chǎn)。這一工藝專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關性能而定制，使得FDD390N15A在導通電阻和開關速度之間取得了良好的平衡。

三、應用領域

FDD390N15A的應用范圍廣泛，涵蓋了多個領域。

1. 消費電子設備：如智能手機、平板電腦等，可用于電源管理電路，提高設備的續(xù)航能力。
2. LED TV：在LED TV的電源模塊中，該MOSFET可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，降低能耗。
3. 同步整流：在開關電源中，同步整流技術(shù)可以提高電源的效率，F(xiàn)DD390N15A的低導通電阻特性使其非常適合用于同步整流電路。
4. 不間斷電源（UPS）：UPS需要在市電中斷時迅速提供穩(wěn)定的電源，F(xiàn)DD390N15A的快速開關速度和高功率處理能力能夠滿足UPS的要求。
5. 微型太陽能逆變器：在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，微型太陽能逆變器將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，F(xiàn)DD390N15A可用于逆變器的功率轉(zhuǎn)換電路，提高轉(zhuǎn)換效率。

四、電氣參數(shù)

1. 最大絕對額定值

2. 熱性能

3. 電氣特性

• 關斷特性：包括漏極 - 源極擊穿電壓(BV{DSS})、擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta BV{DSS} / Delta T{J})、零柵極電壓漏極電流(I{DSS})和柵極 - 體漏電流(I_{GSS})等參數(shù)。
• 導通特性：如柵極閾值電壓(V{GS(th)})、漏極至源極靜態(tài)導通電阻(R{DS(on)})和正向跨導(g_{FS})等。
• 動態(tài)特性：涉及輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C{rss})、能量相關輸出電容(C{oss(er)})、柵極電荷總量(Q_{g(tot)})等。
• 開關特性：包含導通延遲時間(t{d(on)})、開通上升時間(t{r})、關斷延遲時間(t{d(off)})和關斷下降時間(t{f})等。
• 漏極 - 源極二極管特性：有漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流(I{S})、最大正向脈沖電流(I{SM})、正向電壓(V{SD})、反向恢復時間(t{rr})和反向恢復電荷(Q_{rr})等。

五、典型性能特征

文檔中給出了多個典型性能特征圖，如導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關系等。這些圖表直觀地展示了FDD390N15A在不同條件下的性能表現(xiàn)，對于工程師進行電路設計和性能評估具有重要的參考價值。

六、封裝與訂購信息

FDD390N15A采用D - PAK封裝，頂標為FDD390N15A，包裝方法為卷帶，卷尺寸為330mm，帶寬為16mm，每卷數(shù)量為2500個。

七、注意事項

1. 由于安森美半導體產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線的產(chǎn)品編號，飛兆部分產(chǎn)品編號中的下劃線將改為破折號，使用時需在安森美半導體網(wǎng)站上核實更新后的設備編號。
2. 產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間而改變，因此所有操作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應用進行驗證。
3. 安森美半導體產(chǎn)品不設計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或具有相同或類似分類的外國醫(yī)療設備，以及任何用于人體植入的設備。如果買方將產(chǎn)品用于此類非預期或未經(jīng)授權(quán)的應用，買方應承擔相應責任。

FDD390N15A N溝道PowerTrench? MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際設計中，工程師需要根據(jù)具體的應用需求，綜合考慮其各項參數(shù)和性能特征，以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享。