深入了解 onsemi NTR1P02L 和 NVTR01P02L P 溝道 MOSFET

在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域，MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們來深入探討 onsemi 公司推出的兩款 P 溝道 MOSFET——NTR1P02L 和 NVTR01P02L，了解它們的特點、參數(shù)以及應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品概述

NTR1P02L 和 NVTR01P02L 是采用 SOT - 23 封裝的微型表面貼裝 MOSFET。它們具有低導(dǎo)通電阻（$R_{DS(on)}$）的特性，這一特性能夠確保最小的功率損耗，有效節(jié)約能源。因此，這兩款器件非常適合用于對空間要求較高的電源管理電路中。常見的應(yīng)用場景包括 DC - DC 轉(zhuǎn)換器，以及便攜式和電池供電產(chǎn)品（如計算機(jī)、打印機(jī)、PCMCIA 卡、蜂窩電話和無繩電話）的電源管理。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

低 $R_{DS(on)}$ 能夠提供更高的效率，延長電池使用壽命。這對于電池供電的設(shè)備來說尤為重要，因為它可以減少能量損耗，從而延長設(shè)備的使用時間。大家在設(shè)計電池供電設(shè)備時，有沒有特別關(guān)注過 MOSFET 的導(dǎo)通電阻呢？

微型封裝

采用 SOT - 23 表面貼裝封裝，能夠節(jié)省電路板空間。在如今追求小型化的電子設(shè)備設(shè)計中，這種節(jié)省空間的封裝形式無疑是一大優(yōu)勢。

汽車級應(yīng)用

NVTR 前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力。這意味著這些產(chǎn)品在汽車等對可靠性要求極高的領(lǐng)域也能穩(wěn)定工作。

環(huán)保封裝

提供無鉛和無鹵化物封裝選項，符合環(huán)保要求。在環(huán)保意識日益增強(qiáng)的今天，這一特性也使得產(chǎn)品更具競爭力。

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能正常，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：在 $V{GS}=0 V$，$I{D}=-10 mu A$ 的條件下，$V_{(BR)DSS}$ 為 -20 V。
• 零柵壓漏極電流：在不同條件下有不同的值，如在 $V{DS}=-16 V$，$V{GS}=0 V$ 時，以及 $V{DS}=-16V$，$V{GS}=0V$，$T_{J}=125^{circ} C$ 時，分別有不同的電流值。
• 柵體泄漏電流：在 $V{GS}= pm 12 V$，$V{DS}=0 V$ 時，$I_{GSS}$ 最大為 ±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：在 $V{DS}=V{GS}$，$I{D}=-250 mu A$ 的條件下，$V{GS(th)}$ 范圍為 -0.7 至 -1.25 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 條件下有不同的值，如在 $V{GS}=-4.5 V$，$I{D}=-0.75 A$ 時，$R{DS(on)}$ 最大為 0.22 Ω；在 $V{GS}=-2.5 V$，$I{D}=-0.5 A$ 時，$R{DS(on)}$ 最大為 0.35 Ω。

動態(tài)特性

• 輸入電容：在 $V{DS}=-5.0 V$ 時，$C{iss}$ 典型值為 225 pF。
• 輸出電容：在 $V{DS}=-5.0 V$ 時，$C{oss}$ 典型值為 130 pF。
• 轉(zhuǎn)移電容：在 $V{DS}=-5.0 V$ 時，$C{rss}$ 典型值為 55 pF。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間：在特定條件下（$V{GS}=-4.5 V$，$V{DD}=-5.0 V$，$I{D}=-1.0 A$，$R{L}=5.0 Omega$，$R{G}=6.0 Omega$），$t{d(on)}$ 典型值為 7.0 ns。
• 上升時間：$t_{r}$ 典型值為 15 ns。
• 關(guān)斷延遲時間：$t_{d(off)}$ 典型值為 18 ns。
• 下降時間：$t_{f}$ 典型值為 9 ns。
• 總柵極電荷：在 $V{DS}=-16 V$，$I{D}=-1.5 A$，$V{GS}=-4.5 V$ 時，$Q{T}$ 典型值為 3.1 nC。

源漏二極管特性

• 連續(xù)電流：$I_{S}$ 最大為 -0.6 A。
• 脈沖電流：$I_{SM}$ 最大為 -0.75 A。
• 正向電壓：在 $V{GS}=0 V$，$I{S}=-0.6 A$ 時，$V_{SD}$ 最大為 -1.0 V。
• 反向恢復(fù)時間：在 $I{S}=-1.0 A$，$V{GS}=0 V$，$dI{S} / dt=100 A / mu s$ 時，$t{rr}$ 典型值為 16 ns。
• 反向恢復(fù)存儲電荷：$Q_{RR}$ 典型值為 8.5 nC。

產(chǎn)品的參數(shù)性能在電氣特性中針對列出的測試條件進(jìn)行了說明。如果在不同條件下運(yùn)行，產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。同時，脈沖測試的脈沖寬度 ≤300 μs，占空比 ≤2%，開關(guān)特性與工作結(jié)溫?zé)o關(guān)。

訂購信息

機(jī)械尺寸和引腳分配

文檔中還提供了 SOT - 23 封裝的機(jī)械尺寸圖和引腳分配信息。不同的引腳分配風(fēng)格適用于不同的應(yīng)用場景，大家在設(shè)計時需要根據(jù)具體需求選擇合適的引腳分配方式。

總結(jié)

onsemi 的 NTR1P02L 和 NVTR01P02L P 溝道 MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻、微型封裝等特性，為電源管理電路提供了高效、節(jié)省空間的解決方案。無論是在便攜式設(shè)備還是汽車電子等領(lǐng)域，都能發(fā)揮重要作用。在實際設(shè)計中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求，合理選擇和使用這些器件，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用類似 MOSFET 時，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。