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深入剖析AN - 1208 LM2633評估板:設(shè)計、應(yīng)用與故障排除

chencui ? 2026-04-19 14:00 ? 次閱讀
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深入剖析AN - 1208 LM2633評估板:設(shè)計、應(yīng)用與故障排除

電子工程師的日常工作中,評估板是驗證和開發(fā)新電路的重要工具。今天,我們就來詳細探討一下AN - 1208 LM2633評估板,了解它的各項特性、應(yīng)用場景以及可能遇到的問題和解決方法。

文件下載:LM2633EVAL.pdf

評估板規(guī)格參數(shù)

輸入輸出參數(shù)

  • 輸入電壓:該評估板的輸入電壓范圍為5 V至24 V,需要注意的是,由于輸入電容的額定電壓僅為25 V,所以輸入電壓不能超過24 V。
  • 連續(xù)負載電流:它有三個通道,各通道的連續(xù)負載電流不同。Ch1為16 A,Ch2為5 A,Ch3為300 mA。
  • 輸出電壓:Ch1的輸出電壓是DAC編程的,范圍在0.9 V至2.0 V之間;Ch2固定為1.5 V;Ch3固定為2.5 V。

最小穩(wěn)態(tài)占空比

最小穩(wěn)態(tài)占空比為8%。如果穩(wěn)態(tài)占空比低于這個值,可能會導(dǎo)致次諧波振蕩,這在設(shè)計時需要特別關(guān)注。

DIP開關(guān)可更改設(shè)置

評估板上的DIP開關(guān)可以更改多種設(shè)置,包括VID0到VID4的邏輯電平、ON/SS1和ON/SS2引腳(可接地或連接電容)、FPWM引腳(可接地或上拉至5 V)以及UV_Delay引腳(可接地或連接電容)。當DIP開關(guān)滑動到ON位置時,旁邊標注的信號將被接地。

故障排除指南

評估板無法啟動

  • 檢查DIP開關(guān)(S1)的設(shè)置,確保ON1和ON2不會同時接地。
  • 檢查輸入電源的電流限制設(shè)置,啟動時電流應(yīng)大于2A。
  • 斷開所有負載。
  • 確保輸入電壓在5 V至24 V之間。

電源良好標志未變高

  • 確保3.3 V已連接。
  • 如果使用示波器探頭測量電壓,確保示波器未設(shè)置為50 Ω終端阻抗。
  • 確保三個通道都輸出正確的電壓。

欠壓關(guān)機未激活

  • 確保DIP開關(guān)上的UVD位未接地。
  • 通道3在故障條件消失后會恢復(fù)正常。

DIP開關(guān)切換VID位后評估板關(guān)閉

不要直接使用DIP開關(guān)動態(tài)更改Ch1的電壓設(shè)置。應(yīng)將相應(yīng)的DIP VID位設(shè)置為浮空,然后使用信號發(fā)生器切換相應(yīng)的VID端子。

輸出電壓噪聲過大

如果在輸出電壓波形中看到大的電壓尖峰,很可能是探頭拾取的噪聲??梢酝ㄟ^縮短探頭的接地引線來降低探頭對輻射噪聲的敏感度。

特殊應(yīng)用設(shè)置

使用外部5 V電源為FET驅(qū)動器供電

使用內(nèi)部VLIN5為VDDX引腳供電時,在輕負載下,尤其是輸入電壓較高時,會有效率損失。如果有外部5 V電源可用,可以考慮使用它。但需要注意時序問題,如果外部5 V電源啟動過晚,在軟啟動過程結(jié)束時輸出電壓仍然過低,UVP(欠壓保護)將激活并導(dǎo)致系統(tǒng)關(guān)閉。為解決這個問題,建議使用二極管將兩個5 V電源軌進行“或”操作,并且外部5 V電源的電壓應(yīng)略高于VLIN5,以確保VLIN5不會為VDDX供電。具體操作是移除評估板上的R16,并將外部5 V連接到“ext5v”端子。

Speedstep?設(shè)置

評估板上有五個VID端子。首先確定需要切換的VID引腳,將相應(yīng)的DIP開關(guān)滑動到OFF位置。將信號發(fā)生器設(shè)置為方波,頻率低于1 kHz,電壓電平在0 V至5 V之間。將信號發(fā)生器連接到相應(yīng)的VID端子和“sgnd”端子,并在軟啟動后啟用信號發(fā)生器。

自適應(yīng)電壓定位(AVP)

AVP是一種在負載較重時降低輸出電壓,在負載較輕時升高輸出電壓的技術(shù)。它可以為快速負載瞬變提供更多空間,從而節(jié)省輸出電容。要實現(xiàn)AVP,需要切開短路R17兩個焊盤的寬走線,并安裝一個電流感測電阻,然后使用R15和R18調(diào)整所需的電流反饋量。

在通道3中使用NFET

雖然通道3的G3引腳最大電壓可達4 V,但如果輸出電壓足夠低,仍然可以使用NFET作為通晶體管。在該評估板上,可以安裝一個TSOP - 6 FET作為Q8。需要查看器件特定數(shù)據(jù)手冊中的“Pin G3的電流源能力與電壓”曲線,以確定是否適合在應(yīng)用中使用NFET。

引腳描述

評估板采用48引腳TSSOP封裝,各引腳功能如下:

  • FB1(引腳1):通道1的反饋輸入,直接連接到負載。
  • COMP1(引腳2):通道1補償網(wǎng)絡(luò)連接(連接到電壓誤差放大器的輸出)。
  • NC(引腳3、14、15、20、26、28、37和47):無內(nèi)部連接。
  • ON/SS1(引腳4):添加電容到該引腳可提供軟啟動功能,以最小化浪涌電流和輸出電壓過沖;該引腳輸入低于0.8 V(開集電極類型)時關(guān)閉通道1;如果ON/SS1和ON/SS2引腳電壓都低于0.8 V,整個芯片將進入關(guān)閉模式。
  • ON/SS2(引腳5):功能與ON/SS1類似,用于通道2。
  • VID4 - 0(引腳6 - 10):電壓識別代碼,每個引腳都有內(nèi)部上拉,可接受來自CPU的開集電極兼容5位二進制代碼。
  • UV_DELAY(引腳11):從該引腳到地連接電容可調(diào)整輸出欠壓鎖定的延遲。
  • FPWM(引腳12):當FPWM為低電平時,禁用輕負載下的脈沖跳過模式操作,調(diào)節(jié)器強制工作在恒定頻率模式。
  • PGOOD(引腳13):持續(xù)監(jiān)控輸出電壓,指示調(diào)節(jié)器的整體健康狀態(tài)。
  • GND(引腳16 - 17):低噪聲模擬地。
  • G3(引腳18):連接到線性調(diào)節(jié)器晶體管的基極。
  • OUT3(引腳19):連接到線性調(diào)節(jié)器的輸出。
  • FB3(引腳21):線性調(diào)節(jié)器的反饋輸入,連接到外部電阻分壓器的中心。
  • COMP2(引腳22):通道2補償網(wǎng)絡(luò)連接(電壓誤差放大器的輸出)。
  • FB2(引腳23):通道2的反饋輸入,連接到輸出電阻分壓器的中心。
  • SENSE2(引腳24):通道2的遠程感測引腳,用于跳過模式操作。
  • ILIM2(引腳25):通道2的電流限制閾值設(shè)置,以恒定電流吸收電流,通過連接到頂部MOSFET漏極的電阻來檢測過流情況。
  • KS2(引腳27):通道2頂部MOSFET漏極的開爾文感測。
  • SW2(引腳29):通道2的開關(guān)節(jié)點連接,連接到頂部MOSFET的源極。
  • HDRV2(引腳30):通道2的頂部柵極驅(qū)動輸出。
  • CBOOT2(引腳31):通道2頂部柵極驅(qū)動的自舉電容連接。
  • VDD2(引腳32):LDRV2柵極驅(qū)動器的輸入電壓電源。
  • LDRV2(引腳33):通道2的低側(cè)柵極驅(qū)動輸出。
  • PGND2(引腳34):模擬輸入電壓電源。
  • VIN(引腳35):通道2頂部MOSFET漏極的開爾文感測。
  • VLIN5(引腳36):內(nèi)部5 V線性調(diào)節(jié)器的輸出,可連接到5 V電源以提高效率。
  • PGND1(引腳38 - 39):通道1的電源地。
  • LDRV1(引腳40 - 41):通道1的底部柵極驅(qū)動輸出。
  • VDD1(引腳42):LDRV1柵極驅(qū)動器的輸入電壓電源。
  • CBOOT1(引腳43):通道1頂部柵極驅(qū)動的自舉電容連接。
  • HDRV1(引腳44):通道1的頂部柵極驅(qū)動輸出。
  • SW1(引腳45):通道1的開關(guān)節(jié)點連接,連接到頂部MOSFET的源極。
  • KS1(引腳46):通道1頂部MOSFET漏極的開爾文感測。
  • ILIM1(引腳48):通道1的電流限制閾值設(shè)置,原理與ILIM2類似。

物料清單(BOM)

評估板的物料清單包含了各種電容、電感、二極管、晶體管、電阻、開關(guān)、端子和集成電路等元件,具體信息如下表所示: 設(shè)計器 零件規(guī)格 尺寸 零件類型 零件編號 制造商 每板數(shù)量
C15, C16, C17 56UF, 25 V, OSCON RADIAL, 10.3 mm x 10.3 mm CAPACITOR, 25SP56M Sanyo 3
C14, C26, C27, C33 1 mF, 4 V, 18 mΩ E Case CAPACITOR, TANTALUM T510E108M004AS Kemet 4
C39 150 pF, 16 V, X7R, 20% 805 CAPACITOR VJ0805Y151MXJAB Vishay 1
C38 680 pF, 16 V, X7R, 20% 805 CAPACITOR VJ0805Y681MXJAB Vishay 1
C5, C9 4700 pF, 16 V, X7R, 20% 805 CAPACITOR, CERAMIC VJ0805Y472MXJAB Vishay 2
C22, C24 0.01 μF, 50 V, X7R, 20% 805 CAPACITOR, CERAMIC VJ0805Y103MXJAB Vishay 2
C4, C7 0.015 μF, 16 V, X7R, 20% 805 CAPACITOR VJ0805Y153MXJAB Vishay 2
C1, C2, C3, C8 0.1 μF, 50 V, X7R, 20% 805 CAPACITOR, CERAMIC VJ0805Y104MXJAB Vishay 4
C21, C30, C31, C32, C34, C40 0.33 μF, 50 V, X7R, 20% 1206 CAPACITOR, CERAMIC VJ1206Y334MXAAB Vishay 6
C18, C19, C23 0.47 μF, 16 V, X7S, 20% 805 CAPACITOR, CERAMIC VJ0805S474MXJAB Vishay 3
C6 1 μF, 16 V, X7S, 20% 1206 CAPACITOR, CERAMIC VJ1206S105MXJAC Vishay 1
D3, D4, D5, D6 30 V, 200 mA SOT - 23 DIODE, SCHOTTKY BAT54 Vishay 4
L1 1.6 μH, 15.5A, 1.5 mΩ 14.6 mm x 14.6 mm INDUCTOR CEPH149 - 1R6MC Sumida 1
L2 10 μH, 5.4A, 21.6 mΩ 12 mm x 12 mm INDUCTOR CDRH127 - 100MC Sumida 1
L3 1.5 μH, 6.4A, 10 mΩ 13 mm x 9.4 mm INDUCTOR DO3316P - 152 Coilcraft 1
Q9, Q10, Q11, Q12, Q13 60 V, 115 mA SOT - 23 N - FET 2N7002LT1 ON 5
Q6 40 V, 600 mA SOT - 23 BJT, NPN MMBT2222ALT1 ON 1
Q1, Q2, Q3 30 V, 10 mΩ @ 4.5 V, 16 nC SO - 8 N - FET IRF7805 IR 3
Q4, Q5 30 V, 25 mΩ @ 4.5 V, 14 nC SO - 8 N - FET IRF7807 IR 2
R11 22k, 5% 805 RESISTOR CRCW0805223J Vishay 1
R21 2.2k, 5% 805 RESISTOR CRCW0805222J Vishay 1
R5, R6, R18, R19 0 Ω 805 RESISTOR Vishay 4
R4, R14 10 Ω, 20% 805 RESISTOR CRCW0805100J Vishay 2
R7, R9, R10, R22 10.0k, 1% 805 RESISTOR CRCW08051002F Vishay 4
R3 16.2k, 1% 805 RESISTOR CRCW08051622F Vishay 1
R2 26.1k, 1% 805 RESISTOR CRCW08052612F Vishay 1
R8 47.5k, 1% 805 RESISTOR CRCW08054752F Vishay 1
R1, R12, R13, R20, R23, R24, R25, R26 100k, 20% 805 RESISTOR CRCW0805104J Vishay 8
S1 9 POSITION DIP SWITCH DIP - 9 SWITCH, DIP 435640 - 6 AMP 1
TP1–TP23 0.094 ″ 94 mils TERMINAL 160 - 1026 - 02 - 01 - 00 IPI CAMBION 23
U1 Triple Controller TSSOP - 48 IC LM2633 TI 1

總結(jié)

AN - 1208 LM2633評估板是一款功能強大且靈活的評估工具,適用于多種應(yīng)用場景。通過了解其規(guī)格參數(shù)、引腳功能、故障排除方法以及特殊應(yīng)用設(shè)置,電子工程師可以更好地利用該評估板進行電路設(shè)計和驗證。你在使用類似評估板的過程中遇到過哪些有趣的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享。

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