深入解析 onsemi NTS4101P P 溝道 MOSFET

在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵的功率器件，廣泛應用于各類電路中。今天我們來詳細探討 onsemi 的 NTS4101P P 溝道 MOSFET，了解它的特點、參數(shù)以及應用場景。

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產(chǎn)品概述

NTS4101P 是 onsemi 推出的一款 P 溝道功率 MOSFET，采用 SC - 70 表面貼裝封裝，具有小巧的尺寸（2x2 mm），適合對空間要求較高的應用。它具備 -20 V 的耐壓能力和 -1.37 A 的連續(xù)漏極電流，能夠滿足多種低電壓應用的需求。

產(chǎn)品特點

低導通電阻

采用領先的 -20 V 溝槽技術，實現(xiàn)了低導通電阻 (R{DS(on)})，可以有效降低功率損耗，提高電路效率。例如，在 (V{GS} = -4.5 V) 時，典型導通電阻僅為 83 mΩ。

低電壓柵極驅(qū)動

額定電壓為 -2.5 V，適用于低電壓柵極驅(qū)動電路，能夠與低電壓系統(tǒng)兼容，為設計帶來更多的靈活性。

小尺寸封裝

SC - 70 表面貼裝封裝，占用空間小，適合用于對尺寸有嚴格要求的設備，如手機、數(shù)碼相機和 PDA 等。

應用場景

高端負載開關

可用于控制負載的通斷，實現(xiàn)對電路的有效管理，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

充電電路

在電池充電電路中，NTS4101P 可以精確控制充電電流和電壓，保護電池免受過度充電的損害。

單電池應用

適用于單電池供電的設備，如手機、數(shù)碼相機和 PDA 等，為這些設備提供穩(wěn)定的電源管理。

關鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_{D} = -250 μA) 時，最小值為 -20 V，典型值為 -24.5 V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) (V{(BR)DSS}/T{J})：為 -13.7 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(T{J} = 25 °C)，(V{DS} = -16 V) 時，最大值為 -1.0 μA；在 (T_{J} = 70 °C) 時，最大值為 -5.0 μA。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = ±8 V) 時，最大值為 ±100 nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = -250 μA) 時，最小值為 -0.45 V，典型值為 -0.64 V，最大值為 -1.5 V。
• 負閾值溫度系數(shù) (V{GS(TH)}/T{J})：為 2.7 mV/°C。
• 漏源導通電阻 (R{DS(on)})：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 條件下有不同的值，例如在 (V{GS} = -4.5 V)，(I_{D} = -1.0 A) 時，典型值為 83 mΩ，最大值為 120 mΩ。
• 正向跨導 (G{FS})：在 (V{DS} = -5.0 V)，(I_{D} = -1.3 A) 時，典型值為 5.2 S。

電荷和電容特性

• 輸入電容 (C{ISS})：在 (V{GS} = 0 V)，(f = 1.0 MHz)，(V_{DS} = -20 V) 時，典型值為 840 pF。
• 輸出電容 (C_{OSS})：典型值為 125 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{RSS})：典型值為 85 pF。
• 總柵極電荷 (Q{G(TOT)})：在 (V{GS} = -4.5 V)，(V{DS} = -4.5 V)，(I{D} = -1.0 A) 時，典型值為 9.0 nC。

開關特性

• 導通延遲時間 (t{d(ON)})：在 (V{GS} = -4.5 V)，(V_{DD} = -4.0 V) 時，典型值為 12 ns。
• 上升時間 (t{r})：在 (I{D} = -1.0 A)，(R_{G} = 6.2 Ω) 時，典型值為 14.9 ns。
• 關斷延遲時間 (t_{d(OFF)})：典型值為 26 ns。
• 下降時間 (t_{f})：典型值為 18 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{S} = -0.3 A)，(T{J} = 25 °C) 時，典型值為 -0.61 V；在 (T_{J} = 125 °C) 時，典型值為 -0.5 V。
• 反向恢復時間 (t{rr})：在 (V{GS} = 0 V)，(dI{SD}/dt = 100 A/μs)，(I{S} = -1.0 A) 時，典型值為 10.9 ns。

封裝信息

注意事項

• 超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會導致?lián)p壞并影響可靠性。
• 該器件已停產(chǎn)，若有需求，請聯(lián)系 onsemi 代表獲取相關信息，最新信息可在 www.onsemi.com 上查詢。

總結

NTS4101P P 溝道 MOSFET 憑借其低導通電阻、低電壓柵極驅(qū)動和小尺寸封裝等特點，在低電壓應用中具有很大的優(yōu)勢。電子工程師在設計高端負載開關、充電電路和單電池應用等電路時，可以考慮使用該器件。但由于該器件已停產(chǎn)，在選擇時需要謹慎評估供應鏈的穩(wěn)定性。你在實際應用中是否使用過類似的 MOSFET 呢？遇到過哪些問題？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。