晶體管的選用經(jīng)驗(yàn),Transistor Selection
關(guān)鍵字:晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途,不同類型的晶體管。
1.一般高頻晶體管的選用 一般小信號處理(例如圖像中放、伴音中放、緩沖放大等)電路中使用的高頻晶體管,可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管,例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管,可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性,還要考慮被選晶體管的耗散功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。
2.末級視放輸出管的選用 彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管,應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管。
21in(in=0.0254m)以下的中小屏幕彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管,其耗散功率應(yīng)大于或等于750mW,最大集電極電流應(yīng)大于或等于50mA,最高反向電壓應(yīng)大于200V,一般可選用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型號的晶體管。
25英寸以上的大屏幕彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管,其耗散功率應(yīng)大于或等于1.5W,最大集電極電流應(yīng)大于或等于50mA,最高反向電壓應(yīng)大于300V,一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。
3.行推動管的選用 彩色電視機(jī)中使用的行推動管,應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W,最大集電極電流應(yīng)大于150mA,最高反向電壓應(yīng)大于或等于250V。一般可選用3DK204、2SC1569、2SC2482、2SC2655、2SC2688等型號的三極管。
4.行輸出管的選用 彩色電視機(jī)中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V,耗散功率應(yīng)大于或等于50W,最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機(jī)行輸出管的耗散功率應(yīng)大于或等于60W,最大集電極電流應(yīng)大于5A)。
21英寸以下小屏幕彩色電視機(jī)的行輸出管可選用2SD869、2SD870、2SD871、2SD899A、2SD950、2SD951、2SD1426、2SD1427、2SD1556、2SD1878等型號的晶體管。
25英寸以上的大屏幕彩色電視機(jī)的行輸出管可選用2SD1433、2SD2253、2SD1432、2SD1941、2SD953、2SC3153、2SD1887等型號的晶體管。
5.開關(guān)三極管的選用 小電流開關(guān)電路和驅(qū)動電路中使用的開關(guān)晶體管,其最高反向電壓低于100V,耗散功率低于1W,最大集電極電流小于1A,可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等型號的小功率開關(guān)晶體管。
大電流開關(guān)電路和驅(qū)動電路中使用的開關(guān)晶體管,其最高反向電壓大等于100V,耗散功率高于30W,最大集電極電流大于或等于5A,可選用3DK200、DK55、DK56等型號的大功率開關(guān)晶體管。
開關(guān)電源等電路中使用的開關(guān)晶體管,其耗散功率大于或等于50W,最大集電極電流大于或等于3A,最高反向電壓高于800V。一般可選用2SD820、2SD850、2SD1403、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號的高反壓大功率開關(guān)晶體管。
繼電器驅(qū)動電路與高增益放大電路中使用的達(dá)林頓管,可以選用不帶保護(hù)電路的中、小功率普通達(dá)林頓晶體管。而音頻功率輸出、電源調(diào)整等電路中使用的達(dá)林頓管,可選用大功率、大電流型普通達(dá)林頓晶體管或帶保護(hù)電路的大功率達(dá)林頓晶體管。
7.音頻功率放大互補(bǔ)對管的選用 音頻功率放大器的低放電路和功率輸出電路,一般均采用互補(bǔ)推挽對管(通常由1只NPN型晶體管和1只PNP型晶體管組成)。選用時(shí)要求兩管配對,即性能參數(shù)要一致。
低放電路中采用的中、小功率互補(bǔ)推挽對管,其耗散功率小于或等1W,最大集電極電流小于或等于1.5A,最高反向電壓為50~300V。常見的有2SC945/2SA733、2SC1815/2SA1015、2N5401/2N5551、S8050/S8550等型號。選用時(shí)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路具體要求而定。
后級功率放大電路中使用的互補(bǔ)推挽對管,應(yīng)選用大電流、大功率、低噪聲晶體管,其耗散功率為100~200W,集電極最大電流為10~30A,最高反向電壓為120~200V。常用的大功率互補(bǔ)對管有2SC2922/2SA1216、2SC3280/2SA1301、2SC3281/2SA1302、2N3055/MJ2955等型號。
8.帶阻晶體管的選用 帶阻晶體管是錄像機(jī)、影碟機(jī)、彩色電視機(jī)中常用的晶體管,其種類較多,但一般不能作為普通晶體管使用,只能“專管專用”。
選用帶阻晶體管時(shí),應(yīng)根據(jù)電路的要求(例如輸入電壓的高低、開關(guān)速度、飽和深度、功耗等)及其內(nèi)部電阻器的阻值搭配,來選擇合適的管型。
9.光敏三極管的選用 光敏三極管和其它三極管一樣,不允許其電參數(shù)超過最大值(例如最高工作電壓、最大集電極電流和最大允許功耗等),否則會縮短光敏三極管的使用壽命甚至燒毀三極管。
另外,所選光敏三極管的光譜響應(yīng)范圍必須與入射光的光譜牧場生相互匹配,以獲得最佳的響應(yīng)特性。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
晶體管入門:BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應(yīng)管 #電子放大
晶體管
安泰小課堂
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管的合理選擇和應(yīng)用對于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天,我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成,一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器,另一個(gè)是基極-發(fā)射極
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示:
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)
發(fā)表于 11-17 07:42
晶體管的定義,晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(硅基場效應(yīng)晶體管),在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試,我們將揭示
0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,0.45-6.0
發(fā)表于 09-18 18:33
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 09-15 15:31
一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別
在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)如同一對默契的 “電子開關(guān)”,掌控著電路中電流的流動
晶體管架構(gòu)的演變過程
芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
晶體管光耦的工作原理
晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
、性能和面積優(yōu)勢。
外壁叉片晶體管的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),將為未來十年最終向CFET的過渡提供參考。這不僅有助于外壁叉片晶體管成為通向CFET的橋梁,還能為其制造方式提供參考。
叉片晶體管
叉片
發(fā)表于 06-20 10:40
2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管,原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管,2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓:250V (集射極電壓 Vceo) min
發(fā)表于 06-05 10:24
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?
晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級計(jì)算機(jī))都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
晶體管的選用經(jīng)驗(yàn),Transistor Selection
評論