Onsemi NTGS4111P和NVGS4111P MOSFET深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的基礎(chǔ)元件。Onsemi推出的NTGS4111P和NVGS4111P這兩款P溝道單功率MOSFET，憑借其出色的性能和特性，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢。下面，我們就來深入了解這兩款MOSFET。

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特性亮點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻

采用領(lǐng)先的 -30V溝槽工藝，有效降低了導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能夠提高系統(tǒng)的效率，減少發(fā)熱，這對(duì)于對(duì)功耗敏感的應(yīng)用來說至關(guān)重要。

適合便攜式應(yīng)用

其低外形封裝設(shè)計(jì)，非常適合便攜式設(shè)備。在如今追求輕薄便攜的時(shí)代，這種封裝能夠節(jié)省電路板空間，滿足便攜式設(shè)備對(duì)空間的嚴(yán)格要求，同時(shí)也有助于提高設(shè)備的集成度。

表面貼裝TSOP - 6封裝

這種封裝不僅節(jié)省了電路板空間，還提高了電池應(yīng)用的效率。對(duì)于電池供電的設(shè)備，提高效率可以延長電池的續(xù)航時(shí)間，提升用戶體驗(yàn)。

汽車級(jí)應(yīng)用支持

NV前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨(dú)特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力。這表明該產(chǎn)品在可靠性和質(zhì)量上達(dá)到了汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿足汽車電子等對(duì)安全性和穩(wěn)定性要求極高的應(yīng)用場景。

環(huán)保設(shè)計(jì)

提供無鉛封裝選項(xiàng)，符合環(huán)保要求，響應(yīng)了全球?qū)Νh(huán)保電子產(chǎn)品的需求。

應(yīng)用領(lǐng)域

電池管理與開關(guān)

在電池管理系統(tǒng)中，這兩款MOSFET可以用于控制電池的充放電過程，實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和管理。通過精確控制開關(guān)狀態(tài)，能夠保護(hù)電池免受過充、過放等損害，延長電池的使用壽命。

負(fù)載開關(guān)

作為負(fù)載開關(guān)，它們可以快速、可靠地控制負(fù)載的通斷，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的靈活控制。在需要頻繁切換負(fù)載的應(yīng)用中，能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

電池保護(hù)

在電池保護(hù)電路中，MOSFET可以在電池出現(xiàn)異常情況時(shí)迅速切斷電路，保護(hù)電池和其他設(shè)備免受損壞，提高系統(tǒng)的安全性。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=-250 mu A) 時(shí)，最小值為 -30V。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)，(V{DS}=-24V) 時(shí)為 -1.0 (mu A)；在 (T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)為 -100 (mu A)。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=pm20V) 時(shí)為 ±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵閾值電壓 (V{GS(TH)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=-250 mu A) 時(shí)，最小值為 -1.0V，最大值為 -3.0V。
• 負(fù)閾值溫度系數(shù) (V{GS(TH)}/T{J})：為 5.0 mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=-10V)，(I{D}=-3.7A) 時(shí)，典型值為 38 mΩ，最大值為 60 mΩ；在 (V{GS}=-4.5V)，(I_{D}=-2.7A) 時(shí)，典型值為 68 mΩ，最大值為 110 mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS}=-10V)，(I_{D}=-3.7A) 時(shí)，典型值為 6.0 S。

電容和電荷特性

• 輸入電容 (C{ISS})：在 (V{GS}=0V)，(f = 1.0 MHz)，(V_{DS}=-15V) 時(shí)為 750 pF。
• 輸出電容 (C_{OSS})：為 140 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{RSS})：為 105 pF。
• 總柵電荷 (Q_{G(TOT)})：典型值為 15.25 nC，最大值為 32 nC。
• 閾值柵電荷 (Q{G(TH)})：在 (V{GS}=-10V)，(V{DD}=-15V)，(I{D}=-3.7A) 時(shí)為 0.8 nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：為 2.6 nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：為 3.4 nC。

開關(guān)特性

在 (V_{GS}=-10V) 時(shí)：

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t_{d(ON)})：典型值為 9.0 ns，最大值為 17 ns。
• 上升時(shí)間 (t_{r})：典型值為 9.0 ns，最大值為 18 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(OFF)})：在 (I{D}=-1.0A)，(R_{G}=6.0 Omega) 時(shí)，典型值為 38 ns，最大值為 85 ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f})：典型值為 22 ns，最大值為 45 ns。

在 (V_{GS}=-4.5V) 時(shí)：

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t_{d(ON)})：典型值為 11 ns，最大值為 20 ns。
• 上升時(shí)間 (t_{r})：典型值為 15 ns，最大值為 28 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(OFF)})：在 (I{D}=-1.0A)，(R_{G}=6.0 Omega) 時(shí)，典型值為 28 ns，最大值為 56 ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f})：典型值為 22 ns，最大值為 50 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{DS})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=-1.0A)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)，典型值為 -0.76V，最大值為 -1.2V；在 (T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)，典型值為 -0.60V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{rr})：典型值為 17 ns，最大值為 40 ns。
• 電荷時(shí)間 (t{a})：在 (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S}=-1.0A) 時(shí)為 9.0 ns。
• 放電時(shí)間 (t_{o})：為 8.0 ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：為 8.0 nC。

封裝與訂購信息

封裝尺寸

訂購信息

需要注意的是，部分產(chǎn)品可能已停產(chǎn)，具體信息可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)第 5 頁的表格。

總結(jié)

Onsemi的NTGS4111P和NVGS4111P MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、適合便攜式應(yīng)用的封裝、汽車級(jí)應(yīng)用支持等特性，在電池管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合這些MOSFET的參數(shù)和特性，選擇合適的產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。同時(shí)，在使用過程中，要注意產(chǎn)品的最大額定值，避免超過極限參數(shù)導(dǎo)致器件損壞。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過類似的MOSFET呢？遇到過哪些問題？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。