Onsemi NTF3055L108 和 NVF3055L108 MOSFET 詳細(xì)解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各類電源、轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和橋電路等。今天我們就來深入了解 Onsemi 推出的 NTF3055L108 和 NVF3055L108 這兩款 N 溝道、邏輯電平、采用 SOT - 223 封裝的 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

這兩款 MOSFET 專為低電壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于電源、轉(zhuǎn)換器、功率電機(jī)控制和橋電路等場景。NVF 前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨(dú)特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力。同時(shí)，它們都是無鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

注：

1. 當(dāng)采用 1″ 焊盤尺寸、1 oz銅面積（1 in2）表面貼裝到 FR4 板上時(shí)。
2. 當(dāng)采用最小推薦焊盤尺寸、2 oz銅面積（0.272 in2）表面貼裝到 FR4 板上時(shí)。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V_{(BR)DSS}$ 最小值為 60 Vdc，典型值為 68 Vdc，溫度系數(shù)為正。
• 零柵壓漏極電流：在 $V{DS}$ = 60 Vdc，$V{GS}$ = 0 Vdc 時(shí)，最大值為 1.0 μAdc；在 $T_{J}$ = 150°C 時(shí)，最大值為 10 μAdc。
• 柵體泄漏電流：$I_{GSS}$ 最大值為 ±100 nAdc。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V_{GS(th)}$ 最小值為 1.0 Vdc，典型值為 1.68 Vdc，最大值為 2.0 Vdc，閾值溫度系數(shù)為負(fù)。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在 $V{GS}$ = 5.0 Vdc，$I{D}$ = 1.5 Adc 時(shí)，最大值為 120 mΩ；在 $V{GS}$ = 5.0 Vdc，$I{D}$ = 3.0 Adc 時(shí)，$V{DS(on)}$ 典型值為 0.290 Vdc，最大值為 0.43 Vdc；在 $V{GS}$ = 5.0 Vdc，$I{D}$ = 1.5 Adc，$T{J}$ = 150°C 時(shí)，$V_{DS(on)}$ 典型值為 0.250 Vdc。
• 正向跨導(dǎo)：$g_{fs}$ 典型值為 5.7 Mhos。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：$C_{iss}$ 典型值為 313 pF，最大值為 440 pF。
• 輸出電容：$C_{oss}$ 典型值為 112 pF，最大值為 160 pF。
• 傳輸電容：$C_{rss}$ 典型值為 40 pF，最大值為 60 pF。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：$t_{d(on)}$ 典型值為 11 ns，最大值為 25 ns。
• 上升時(shí)間：$t_{r}$ 典型值為 35 ns，最大值為 70 ns。
• 下降時(shí)間：$t_{f}$ 典型值為 27 ns，最大值為 60 ns。
• 柵極電荷：$Q_{T}$ 典型值為 7.6 nC，最大值為 15 nC。

源漏二極管特性

• 正向?qū)妷?/strong>：在 $I{S}$ = 3.0 Adc，$V{GS}$ = 0 Vdc 時(shí)，典型值為 0.87 Vdc，最大值為 1.0 Vdc；在 $T_{J}$ = 150°C 時(shí)，典型值為 0.72 Vdc。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：$t_{rr}$ 典型值為 35 ns。
• 反向恢復(fù)存儲(chǔ)電荷：$Q_{RR}$ 典型值為 0.044 μC。