Onsemi NTF3055 - 100 和 NVF3055 - 100 MOSFET 深度解析

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為重要的功率開關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們來深入了解 Onsemi 公司的 NTF3055 - 100 和 NVF3055 - 100 這兩款 N 溝道功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

NTF3055 - 100 和 NVF3055 - 100 專為低電壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，適用于電源、轉(zhuǎn)換器、功率電機控制以及橋接電路等場景。它們具備 3.0 A 的電流處理能力和 60 V 的耐壓，采用 SOT - 223 封裝。

產(chǎn)品特性

應(yīng)用針對性強

NVF 前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了 AEC - Q101 認證，具備生產(chǎn)件批準程序（PPAP）能力。

環(huán)保設(shè)計

這些器件無鉛且符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 電源供應(yīng)：為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。
• 轉(zhuǎn)換器：實現(xiàn)電壓和電流的轉(zhuǎn)換。
• 功率電機控制：精確控制電機的運行。
• 橋接電路：在電路中起到橋梁連接的作用。

最大額定值

電壓參數(shù)

• 漏源電壓（V_DSS）：60 Vdc，這決定了器件能承受的最大漏源電壓。
• 漏柵電壓（V_DGR）：60 Vdc（R_GS = 10 MΩ）。
• 柵源電壓：連續(xù)值為 ± 20 Vdc，非重復值（t_p ≤ 10 ms）為 ± 30 V_pk。

電流參數(shù)

• 連續(xù)漏極電流：在 T_A = 25°C 時為 3.0 A_dc，在 T_A = 100°C 時為 1.4 A_dc，單脈沖（t_p ≤ 10 s）為 9.0 A_pk。

功率參數(shù)

• 總功率耗散：在 T_A = 25°C 時，不同條件下分別為 2.1 W 和 1.3 W，高于 25°C 時需要進行降額處理。

溫度參數(shù)

• 工作和存儲溫度范圍為 - 55°C 至 175°C。
• 最大焊接引線溫度（距離外殼 1/8″ 處，持續(xù) 10 秒）為 260°C。

雪崩能量

單脈沖漏源雪崩能量（起始 T_J = 25°C，V_DD = 25 Vdc，V_GS = 10 Vdc，I_L(pk) = 7.0 A_pk，L = 3.0 mH，V_DS = 60 Vdc）為 74 mJ。

熱阻參數(shù)

• 結(jié)到環(huán)境熱阻（不同條件下）分別為 72.3°C/W 和 114°C/W。

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（V_(BR)DSS）：最小值為 60 Vdc，典型值為 66 Vdc，最大值為 68 Vdc，溫度系數(shù)為正。
• 零柵壓漏極電流（I_DSS）：在不同溫度條件下有不同的值。
• 柵體泄漏電流（I_GSS）：± 100 nA_dc。

導通特性

• 閾值溫度系數(shù)為負。
• 靜態(tài)漏源導通電阻（R_DS(on)）：在 V_GS = 10 Vdc，I_D = 1.5 A_dc 時，典型值為 88 mΩ，最大值為 110 mΩ。
• 正向跨導（g_fs）也有相應(yīng)的參數(shù)。

動態(tài)特性

• 輸入電容（C_iss）、輸出電容（C_oss）和轉(zhuǎn)移電容（C_rss）都有明確的范圍。

開關(guān)特性

• 開關(guān)特性與工作結(jié)溫無關(guān)，包括導通延遲時間（t_d(on)）、上升時間（t_r）、關(guān)斷延遲時間（t_d(off)）、下降時間（t_f）以及總電荷（Q_T）等參數(shù)。

源漏二極管特性

• 源漏二極管有正向電壓（V_SD）、反向恢復時間（t_r）等參數(shù)。

封裝與訂購信息

這兩款產(chǎn)品采用 SOT - 223 封裝，有不同的訂購選項，如 NTF3055 - 100T1G、NTF3055 - 100T3G 和 NVF3055 - 100T1G，均為無鉛封裝，以卷帶形式包裝，數(shù)量分別為 1000 和 4000。

總結(jié)

Onsemi 的 NTF3055 - 100 和 NVF3055 - 100 MOSFET 憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師在設(shè)計低電壓、高速開關(guān)電路時提供了可靠的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求，合理選擇器件，并嚴格遵守其最大額定值和電氣特性要求，以確保電路的穩(wěn)定運行。大家在使用這兩款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。