onsemi HUF75852G3 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
onsemi HUF75852G3 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
引言
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET是一種極為常見且關(guān)鍵的電子元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）的HUF75852G3 N溝道功率MOSFET，它具備諸多出色的特性，適用于多種應(yīng)用場景。接下來，讓我們詳細了解這款MOSFET的各項特性、參數(shù)以及相關(guān)的仿真模型。
文件下載：HUF75852G3-D.pdf
產(chǎn)品特性
超低導(dǎo)通電阻
HUF75852G3的一大顯著特性是超低導(dǎo)通電阻。當(dāng)柵源電壓(V{GS}=10V)時，其導(dǎo)通電阻(r{DS(ON)} = 0.016Omega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能夠有效提高電路的效率，減少發(fā)熱，這對于功率電路的設(shè)計尤為重要。
豐富的仿真模型
該MOSFET提供了多種仿真模型，包括溫度補償?shù)腜SPICE?和SABER?電氣模型，以及Spice和SABER熱阻抗模型。這些模型可以幫助工程師在設(shè)計階段對電路進行精確的仿真和分析，預(yù)測MOSFET在不同工作條件下的性能，從而優(yōu)化電路設(shè)計。你可以在www.onsemi.com上獲取這些仿真模型。
環(huán)保合規(guī)
HUF75852G3是無鉛、無鹵素/BFR且符合RoHS標準的產(chǎn)品，滿足環(huán)保要求，這對于注重環(huán)保的電子產(chǎn)品設(shè)計來說是一個重要的考慮因素。
絕對最大額定值
| 在使用MOSFET時，了解其絕對最大額定值至關(guān)重要，因為超過這些額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。以下是HUF75852G3的主要絕對最大額定值： | 描述 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓（注1） | (V_{DSS}) | 150 | V | |
| 漏柵電壓（(R_{GS} = 20k)，注1） | (V_{DGR}) | 150 | V | |
| 柵源電壓 | (V_{GS}) | +20 | V | |
| 脈沖漏極電流 | (I_{DM}) | - | A | |
| 連續(xù)漏極電流（(T{C} = 100°C)，(V{GS} = 10V)） | (I_{D}) | 75 | A | |
| 連續(xù)漏極電流（(T{C} = 25°C)，(V{GS} = 10V)） | (I_{D}) | 75 | A | |
| 脈沖雪崩額定值 | UIS | 見圖6、14、15 | - | |
| 功率耗散（25°C以上降額） | (P_{D}) | 500 | W | |
| 功率耗散降額系數(shù) | - | 3.33 | (W/°C) | |
| 工作和儲存溫度 | (T{J})，(T{STG}) | -55 至 175 | °C | |
| 焊接時封裝體最大溫度（10s） | (T_{pkg}) | 300 | °C | |
| 焊接時引腳最大溫度（距外殼0.063英寸（1.6mm）處，10s） | (T_{L}) | 260 | °C |
注1：(T_{J}=25^{circ}C)至150°C。
電氣規(guī)格
關(guān)斷狀態(tài)規(guī)格
- 漏源擊穿電壓（(B{V{DSS}})）：當(dāng)漏極電流(I{D}=250A)，柵源電壓(V{GS}=0V)時，漏源擊穿電壓為150V。
- 零柵壓漏極電流（(I{DSS})）：當(dāng)(V{DS}=140V)，(V{GS}=0V)時，(I{DSS}=1A)；當(dāng)(V{DS}=135V)，(V{GS}=0V)，(T{C}=150°C)時，(I{DSS}=250A)。
- 柵源泄漏電流（(I{GSS})）：當(dāng)(V{GS}=pm20V)時，(I_{GSS}=pm100nA)。
導(dǎo)通狀態(tài)規(guī)格
- 柵源閾值電壓（(V_{GS(TH)})）：當(dāng)漏極電流為(250mu A)時，可參考圖10獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。
熱規(guī)格
- 結(jié)到外殼熱阻（(R{theta JC})）：TO - 247封裝的(R{theta JC}=0.30°C/W)。
- 結(jié)到環(huán)境熱阻（(R{theta JA})）：(R{theta JA}=30°C/W)。
開關(guān)規(guī)格
當(dāng)(V{DD}=75V)，(I{D}cong75A)，(V_{GS}=10V)時，可參考圖18、19獲取開關(guān)時間相關(guān)數(shù)據(jù)。
柵極電荷規(guī)格
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (Q_{g(TOT)}) | 總柵極電荷 | (V{Gs}=0V) 至 20V，(V{pp}=75V)，(I_{p}=75A) | 400 | 480 | - | nC |
| (Q_{g(10)}) | 10V時的柵極電荷 | (V{Gs}=0V) 至 10V，(I{g(REF)}=1.0mA)（見圖13、16、17） | 215 | 260 | - | nC |
| (Q_{(TH)}) | 閾值柵極電荷 | (V_{Gs}=0V) 至 2V | 15 | 17.5 | - | nC |
| (Q_{gs}) | 柵源柵極電荷 | - | 25 | - | - | nC |
| (Q_{gd}) | 柵漏“米勒”電荷 | - | 66 | - | - | nC |
電容規(guī)格
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (C_{ISS}) | 輸入電容 | (V{DS}=25V)，(V{GS}=0V) | - | 7690 | - | pF |
| (C_{OSS}) | 輸出電容 | (f = 1MHz)（見圖12） | - | 1650 | - | pF |
| (C_{RSS}) | 反向傳輸電容 | - | - | 535 | - | pF |
源漏二極管規(guī)格
- 源漏二極管電壓（(V_{SD})）：典型值為1.00V。
- 反向恢復(fù)時間：當(dāng)(I{SD}=75A)，(dI{SD}/dt = 100A/mu s)時，可獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。
典型性能曲線
文檔中提供了一系列典型性能曲線，包括歸一化功率耗散與外殼溫度曲線、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度曲線、歸一化最大瞬態(tài)熱阻抗曲線、峰值電流能力曲線、正向偏置安全工作區(qū)曲線、非鉗位電感開關(guān)能力曲線、傳輸特性曲線、飽和特性曲線、歸一化漏源導(dǎo)通電阻與結(jié)溫曲線、歸一化柵極閾值電壓與結(jié)溫曲線、歸一化漏源擊穿電壓與結(jié)溫曲線、電容與漏源電壓曲線、恒定柵極電流下的柵極電荷波形等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
仿真模型
PSPICE電氣模型
文檔中給出了詳細的PSPICE電氣模型代碼，可用于電路仿真。通過該模型，工程師可以模擬MOSFET在不同電路中的工作情況，預(yù)測其性能和行為。
SABER電氣模型
同樣，也提供了SABER電氣模型，它與PSPICE模型類似，可用于不同的仿真環(huán)境，為工程師提供更多的仿真選擇。
熱模型
包括SPICE熱模型和SABER熱模型，這些模型可以幫助工程師分析MOSFET在工作過程中的熱特性，優(yōu)化散熱設(shè)計，確保器件在合適的溫度范圍內(nèi)工作。
封裝與訂購信息
| HUF75852G3采用JEDEC TO - 247 - 3LD封裝，其封裝尺寸有詳細的標注。訂購信息如下： | 部件編號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|---|
| HUF75852G3 | TO - 247 - 3LD | 75852G |
總結(jié)
onsemi的HUF75852G3 MOSFET以其超低導(dǎo)通電阻、豐富的仿真模型和環(huán)保合規(guī)等特性，為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在設(shè)計功率電路時，工程師可以根據(jù)其絕對最大額定值、電氣規(guī)格和典型性能曲線等信息，合理選擇和使用該MOSFET，同時結(jié)合仿真模型進行精確的電路設(shè)計和優(yōu)化。你在使用這款MOSFET的過程中遇到過哪些問題呢？或者你對它的哪些特性最感興趣？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和想法。
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MOSFET
+關(guān)注
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