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長電科技成功完成晶圓級射頻集成無源器件工藝驗證

長電科技 ? 來源:長電科技 ? 2026-04-21 15:27 ? 次閱讀
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4月17日,長電科技宣布成功完成基于玻璃通孔(TGV)結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺(PSPI)再布線(RDL)工藝的晶圓級射頻集成無源器件(IPD)工藝驗證,通過測試結(jié)構(gòu)的試制與實測評估,公司驗證了在玻璃基底上構(gòu)建三維集成無源器件的可制造性與性能優(yōu)勢,為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。

長電科技基于TGV構(gòu)建3D互連骨架,在玻璃基板上實現(xiàn)電感、電容等關(guān)鍵無源結(jié)構(gòu)的集成,并將傳統(tǒng)平面電感升級為3D結(jié)構(gòu),以降低高頻損耗并提升器件品質(zhì)因數(shù)(Q值)。在對比評估中,3D電感在Q值等關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)顯著提升,在既定測試條件下較同等電感值的平面結(jié)構(gòu)提升接近50%。同時,整體性能表現(xiàn)優(yōu)于硅基IPD技術(shù)路線,為射頻模組的小型化、高集成度與性能指標(biāo)提升提供了可行的工程方向。

面向5G及未來6G的通信需求,射頻系統(tǒng)對帶寬、線性度與集成度提出持續(xù)升級要求。長電科技在射頻封裝領(lǐng)域經(jīng)過多年深耕,已形成面向射頻PA、RFFE模組與毫米波應(yīng)用的封裝與測試能力:支持SiP、AiP等多種封裝形態(tài),覆蓋共形、分腔及選擇性濺射屏蔽,并具備5G、毫米波、NB?IoT及高速信號測試能力;同時提供射頻系統(tǒng)仿真與封裝協(xié)同設(shè)計,并配套覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩與無線通信等的一站式驗證測試平臺,支撐客戶從芯片、封裝到模組與整機(jī)的驗證與導(dǎo)入。

長電科技副總裁、技術(shù)服務(wù)事業(yè)部總經(jīng)理吳伯平表示:“面向AI算力芯片的迭代躍遷與6G通信的前瞻布局,長電科技將加速推進(jìn)玻璃基TGV與PSPI晶圓級IPD技術(shù)在射頻系統(tǒng)級封裝中的工程化落地。我們將深化與頭部客戶及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的協(xié)同創(chuàng)新,通過聯(lián)合開發(fā)與驗證,推動相關(guān)技術(shù)走向規(guī)?;慨a(chǎn),為下一代邊緣計算和無線連接提供更高性能、更高集成度的系統(tǒng)級解決方案。”

長電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造與技術(shù)服務(wù)提供商,向全球半導(dǎo)體客戶提供全方位、一站式芯片成品制造解決方案,涵蓋微系統(tǒng)集成、設(shè)計仿真、晶圓中測、芯片及器件封裝、成品測試、產(chǎn)品認(rèn)證以及全球直運等服務(wù)。公司在中國、韓國和新加坡?lián)碛邪舜笊a(chǎn)基地,并在全球設(shè)有20多個業(yè)務(wù)機(jī)構(gòu),為客戶提供緊密的技術(shù)合作與高效的產(chǎn)業(yè)鏈支持。

長電科技擁有先進(jìn)和全面的芯片成品制造技術(shù),包括晶圓級封裝(WLP)、2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級封裝(SiP)、倒裝芯片封裝、引線鍵合封裝及主流封裝先進(jìn)化解決方案,廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、高性能計算、高密度存儲、網(wǎng)絡(luò)通信、智能終端、工業(yè)與醫(yī)療、功率與能源等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:面向5G、6G需求:長電科技實現(xiàn)玻璃基TGV射頻IPD性能突破

文章出處:【微信號:gh_0837f8870e15,微信公眾號:長電科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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