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Onsemi EFC2J013NUZ MOSFET:1 節(jié)鋰離子電池保護(hù)的理想之選

lhl545545 ? 2026-04-21 16:55 ? 次閱讀
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Onsemi EFC2J013NUZ MOSFET:1 節(jié)鋰離子電池保護(hù)的理想之選

在電子設(shè)備的設(shè)計中,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,對于設(shè)備的性能和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來詳細(xì)了解一下 Onsemi 的 EFC2J013NUZ 這款專為 1 節(jié)鋰離子電池保護(hù)設(shè)計的功率 MOSFET。

文件下載:EFC2J013NUZ-D.PDF

產(chǎn)品概述

EFC2J013NUZ 是一款 12V、5.8mΩ、17A 的雙 N 溝道功率 MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻的特點,非常適合用于便攜式機(jī)器的電源開關(guān)等應(yīng)用,尤其在 1 節(jié)鋰離子電池應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

產(chǎn)品特性

低電壓驅(qū)動與 ESD 保護(hù)

  • 2.5V 驅(qū)動:能夠在較低的驅(qū)動電壓下正常工作,降低了對驅(qū)動電路的要求,提高了系統(tǒng)的效率。
  • 2kV ESD HBM:具備 2kV 的人體靜電模型(HBM)靜電放電保護(hù)能力,有效防止靜電對器件的損壞,增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。

結(jié)構(gòu)與環(huán)保特性

  • 共漏極類型:這種結(jié)構(gòu)設(shè)計使得器件在電路中能夠更好地實現(xiàn)特定的功能,滿足不同應(yīng)用的需求。
  • ESD 二極管保護(hù)柵極:進(jìn)一步增強(qiáng)了柵極的靜電保護(hù)能力,確保器件在復(fù)雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作。
  • 環(huán)保特性:該器件為無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR)產(chǎn)品,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

EFC2J013NUZ 主要應(yīng)用于 1 節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)。在鋰離子電池的充放電過程中,需要精確控制電流和電壓,以確保電池的安全和性能。這款 MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性,能夠有效地實現(xiàn)電池的充放電控制,提高電池的使用壽命和安全性。

規(guī)格參數(shù)

絕對最大額定值

參數(shù) 符號 單位
源極到源極電壓 12 V
源極電流 Is 17 A
源極電流(脈沖),$PWleq10mu s$,占空比 $leq1%$ lsp
功率 PT
工作溫度 150 °C
存儲溫度 °C

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能正常,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱阻額定值

參數(shù) 符號 單位
結(jié)到環(huán)境熱阻(注 1) RθJA 69.4 °C/W

這里的熱阻是在陶瓷基板($5000mm^2×0.8mm$)上表面貼裝的情況下測量得到的。熱阻的大小直接影響器件的散熱性能,較低的熱阻有助于器件在工作過程中更好地散熱,從而提高其穩(wěn)定性和可靠性。

電氣特性

符號 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
V(BR)SSS 源極到源極擊穿電壓 IS = 1 mA,VGS = 0 V,VSSS 測試電路 12 V
ISSS 零柵極電壓源極電流 VSS = 10 V,VGS = 0 V 1 A
IGSS 柵極到源極泄漏電流 VGS = ±8 V,VSS = 0 V ±1 A
VGS(th) 柵極閾值電壓 VSS = 6 V,IS = 1 mA 0.4 1.3 V
RSS(on) 靜態(tài)源極到源極導(dǎo)通電阻 IS = 5 A,VGS = 4.5 V 3.0 4.35 5.8
IS = 5 A,VGS = 3.8 V 3.2 4.6 6.2
IS = 5 A,VGS = 3.1 V 3.4 5.0 7.5
IS = 5 A,VGS = 2.5 V 3.8 5.6 9.0
td(on) 導(dǎo)通延遲時間 VSS = 5 V,VGS = 3.8 V,IS = 5 A,Rg = 10 k 開關(guān)測試電路 11 s
tr 上升時間 26 s
td(off) 關(guān)斷延遲時間 130 s
tf 下降時間 73 s
Qg 總柵極電荷 VSS = 5 V,VGS = 4.5 V,IS = 5 A 37 nC
VF(S?S) 正向源極到源極電壓 IS = 3 A,VGS = 0 V 0.76 1.2 V

這些電氣特性參數(shù)是在特定的測試條件下測量得到的,實際應(yīng)用中,如果工作條件不同,產(chǎn)品的性能可能會有所差異。

引腳分配與封裝

引腳分配

EFC2J013NUZ 采用 WLCSP6 封裝,引腳分配如下: 1: Source1 2: Gate1 3: Source1 4: Source2 5: Gate2 6: Source2

封裝尺寸

封裝尺寸為 2.00 x 1.49 x 0.10,這種小型封裝適合用于對空間要求較高的便攜式設(shè)備。

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與溫度關(guān)系、正向源極到源極電壓與電流關(guān)系、開關(guān)時間與柵極電阻關(guān)系、柵源電壓與總電荷關(guān)系、安全工作區(qū)、總功耗與溫度關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計。

使用注意事項

由于 EFC2J013NUZ 是 MOSFET 產(chǎn)品,在使用時應(yīng)避免在高電荷物體附近使用。如果需要在指定應(yīng)用之外使用該器件,請聯(lián)系銷售部門。

總的來說,Onsemi 的 EFC2J013NUZ MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻、良好的靜電保護(hù)能力和環(huán)保特性,為 1 節(jié)鋰離子電池保護(hù)提供了一個可靠的解決方案。在實際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合器件的規(guī)格參數(shù)和典型特性,進(jìn)行合理的電路設(shè)計,以實現(xiàn)最佳的性能和可靠性。你在使用這款 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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