FGD5T120SH：1200V、5A FS Trench IGBT的技術(shù)解析

從Fairchild到ON Semiconductor

Fairchild Semiconductor如今已成為ON Semiconductor的一部分。隨著整合的進(jìn)行，部分Fairchild可訂購(gòu)的部件編號(hào)為滿足ON Semiconductor系統(tǒng)要求需要更改，例如Fairchild部件編號(hào)中的下劃線“_”需改為破折號(hào)“ - ”。大家可通過(guò)ON Semiconductor官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。

文件下載：FGD5T120SH-D.pdf

FGD5T120SH IGBT的特性

先進(jìn)技術(shù)與性能優(yōu)勢(shì)

FGD5T120SH采用了新穎的場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，屬于場(chǎng)截止第三代IGBT系列。其具備FS Trench技術(shù)、正溫度系數(shù)和高速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，飽和電壓低（$V{CE (sat) }=2.9 ~V @ I{C}=5 ~A$），所有部件都經(jīng)過(guò)$I_{LM}(1)$測(cè)試，并且具有高輸入阻抗，還符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

這款I(lǐng)GBT適用于多種場(chǎng)景，包括浪涌電流限制、照明以及家用電器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，它能憑借自身特性提供穩(wěn)定的性能。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

絕對(duì)最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓$BV{CES}$在$V{GE} = 0 V$，$I_{C} = 250 mu A$時(shí)為1200V。
• 擊穿電壓的溫度系數(shù)$Delta BV_{CES} / Delta TJ$在$V{GE} = 0 V$，$I_{C} = 250 mu A$時(shí)典型值為1.2 $V/^{circ}C$。
• 集電極截止電流$I{CES}$在$V{CE} = V{CES}$，$V{GE} = 0 V$時(shí)最大為250 $mu A$。
• 柵 - 發(fā)射極泄漏電流$I{GES}$在$V{GE} = V{GES}$，$V{CE} = 0 V$時(shí)最大為± 400 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵 - 發(fā)射極閾值電壓$V{GE(th)}$在$I{C} = 5 mA$，$V{CE} = V{GE}$時(shí)，最小值為2.5V，典型值為3.5V，最大值為4.5V。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓$V{CE(sat)}$在$I{C} = 5 A$ ，$V{GE} = 15 V$時(shí)，典型值為2.9V，最大值為3.6V；在$I{C} = 5 A$ ，$V{GE} = 15 V$，$T{C} = 150^{circ}C$時(shí)，典型值為4.5V。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容$C{ies}$在$V{CE} = 30 V$ ，$V_{GE} = 0 V$，$f = 1 MHz$時(shí)典型值為209 pF。
• 輸出電容$C_{oes}$典型值為11 pF。
• 反向傳輸電容$C_{res}$典型值為2 pF。

開(kāi)關(guān)特性

在不同溫度下，開(kāi)關(guān)特性有所不同。例如，在$V{CC} = 600 V$，$I{C} = 5 A$，$R{G} = 30 Omega$ ，$V{GE} = 15 V$，電感負(fù)載條件下：

• $T{C} = 25^{circ}C$時(shí)，導(dǎo)通延遲時(shí)間$T{d(on)}$典型值為4.8 ns，上升時(shí)間$T{r}$典型值為20.8 ns，關(guān)斷延遲時(shí)間$T{d(off)}$典型值為24.8 ns，下降時(shí)間$T{f}$典型值為104 ns，導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗$E{on}$典型值為247 $mu J$，關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗$E{off}$典型值為94 $mu J$，總開(kāi)關(guān)損耗$E{ts}$典型值為341 $mu J$。
• $T{C} = 150^{circ}C$時(shí)，導(dǎo)通延遲時(shí)間$T{d(on)}$典型值為4.8 ns，上升時(shí)間$T{r}$典型值為40 ns，關(guān)斷延遲時(shí)間$T{d(off)}$典型值為25.6 ns，下降時(shí)間$T{f}$典型值為134 ns，導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗$E{on}$典型值為393 $mu J$，關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗$E{off}$典型值為114 $mu J$，總開(kāi)關(guān)損耗$E{ts}$典型值為507 $mu J$。

此外，總柵極電荷$Q{g}$在$V{CC} = 600 V$，$I{C} = 5 A$，$V{GE} = 15 V$時(shí)典型值為6.7 nC，柵 - 發(fā)射極電荷$Q{ge}$典型值為1.8 nC，柵 - 發(fā)射極電荷$Q{gc}$典型值為2.6 nC。

封裝與訂購(gòu)信息

典型性能特性與機(jī)械尺寸

文檔中還給出了一系列典型性能特性圖，如典型輸出特性、典型飽和電壓、傳輸特性等。同時(shí)，提供了TO252（D - PAK）封裝的機(jī)械尺寸圖，但需注意，封裝圖紙可能會(huì)隨時(shí)更改，大家可訪問(wèn)Fairchild Semiconductor的在線包裝區(qū)域獲取最新圖紙。

其他重要信息

商標(biāo)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)

ON Semiconductor擁有眾多專利、商標(biāo)、版權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)，其產(chǎn)品/專利覆蓋列表可在www.onsemi.com/site/pdf/Patent - Marking.pdf查看。

免責(zé)聲明與授權(quán)使用

ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，且不承擔(dān)產(chǎn)品應(yīng)用或使用中的任何責(zé)任。該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等特定應(yīng)用，除非得到書(shū)面批準(zhǔn)。

反假冒政策

Fairchild Semiconductor采取了強(qiáng)有力的措施來(lái)防止假冒產(chǎn)品，建議大家從Fairchild或其授權(quán)經(jīng)銷商處購(gòu)買產(chǎn)品，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可追溯性。

產(chǎn)品狀態(tài)定義

產(chǎn)品狀態(tài)分為提前信息（Formative / In Design）、初步（First Production）、無(wú)需標(biāo)識(shí)（Full Production）和過(guò)時(shí)（Not In Production），不同狀態(tài)對(duì)應(yīng)不同的產(chǎn)品階段和數(shù)據(jù)特點(diǎn)。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，電子工程師們需要綜合考慮這些參數(shù)和特性，根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的IGBT。大家在使用FGD5T120SH時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。