日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Onsemi NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

lhl545545 ? 2026-04-24 11:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Onsemi NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

汽車電子領(lǐng)域,功率MOSFET模塊的性能對(duì)系統(tǒng)的效率、可靠性和整體性能起著關(guān)鍵作用。Onsemi的NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊憑借其卓越的特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,成為眾多工程師的首選。本文將深入解析該模塊的特點(diǎn)、應(yīng)用、電氣特性等方面,為電子工程師在設(shè)計(jì)中提供有價(jià)值的參考。

文件下載:NXV10V160ST1-D.PDF

產(chǎn)品特點(diǎn)

三相設(shè)計(jì)與低熱阻

NXV10V160ST1采用三相MOSFET模塊設(shè)計(jì),其電氣隔離的DBC基板有效降低了熱阻,同時(shí)具備溫度傳感功能。這種設(shè)計(jì)不僅有助于提高模塊的散熱效率,還能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

緊湊設(shè)計(jì)與可追溯性

模塊的緊湊設(shè)計(jì)降低了總模塊電阻,提高了系統(tǒng)的效率。此外,模塊序列化功能實(shí)現(xiàn)了全程可追溯性,方便在生產(chǎn)和售后過(guò)程中進(jìn)行質(zhì)量管控和問(wèn)題排查。

合規(guī)性

該模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn),具備PPAP能力,同時(shí)滿足Pb - free、RoHS和UL94V - 0等環(huán)保和安全標(biāo)準(zhǔn),為汽車應(yīng)用提供了可靠的保障。

典型應(yīng)用

NXV10V160ST1主要應(yīng)用于48V E - 壓縮機(jī)和其他48V輔助設(shè)備。其優(yōu)勢(shì)在于能夠設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),有助于降低車輛的燃油消耗和CO?排放,同時(shí)簡(jiǎn)化車輛組裝過(guò)程。

訂購(gòu)信息

設(shè)備 封裝 包裝方式 運(yùn)輸
NXV10V160ST1 APM21 - CGA 管裝 44個(gè)/盒

引腳配置與描述

該模塊的引腳配置明確,每個(gè)引腳都有特定的功能。例如,NTC + 和NTC - 用于連接NTC熱敏電阻,G1 - G6為MOSFET的柵極引腳,U、V、W分別對(duì)應(yīng)三相輸出等。詳細(xì)的引腳描述如下表所示: 引腳編號(hào) 引腳名稱 描述
1 NTC + NTC熱敏電阻端子1
2 NTC - NTC熱敏電阻端子2
3 Sense Q6 Q6的源極
4 G3 高端W相MOSFET Q3的柵極
5 Sense Q3 Q3的源極
6 G6 低端W相MOSFET Q6的柵極
7 Sense Q5 Q5的源極
8 G2 高端V相MOSFET Q2的柵極
9 Sense Q2 Q2的源極
10 G5 低端V相MOSFET Q5的柵極
11 G4 低端U相MOSFET Q4的柵極
12 Sense Q4 Q4的源極
13 Sense Q1 Q1的源極
14 G1 高端U相MOSFET Q1的柵極
15 Vbat Sense Vbat感測(cè)的公共引腳
16 Vbat Sense Vbat感測(cè)的公共引腳,引腳15或16可用于Vbat感測(cè)
17 B + 電池電壓電源引線
18 GND 電池返回電源引線
19 U U相(相1)
20 V V相(相2)
21 W W相(相3)

電氣特性

絕對(duì)最大額定值

在正常工作條件下,需要注意模塊的絕對(duì)最大額定值,以避免損壞設(shè)備。例如,漏源電壓(VDS)最大為100V,柵源電壓(VGS)為±20V,最大結(jié)溫(TJ(max))為175°C等。具體參數(shù)如下表所示: 符號(hào) 參數(shù) 單位
VDS 漏源電壓 100 V
VGS 柵源電壓 ±20 V
EAS 單脈沖雪崩能量(IPK = 50A) 587 mJ
TJ(max) 最大結(jié)溫 175 °C
TSTG 存儲(chǔ)溫度范圍 -45至150 °C

熱特性

模塊的熱特性對(duì)于其性能和可靠性至關(guān)重要。熱阻(RθJC)典型值為0.26°C/W,最大值為0.36°C/W,測(cè)試方法符合MIL - STD - 883 - 1012.1標(biāo)準(zhǔn)。

電氣參數(shù)

在25°C的結(jié)溫下,模塊的電氣參數(shù)包括漏源擊穿電壓(Bvbss)、漏源泄漏電流、柵源泄漏電流等。例如,Bvbss最小值為100V,漏源泄漏電流最大值為5aA等。同時(shí),不同MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))也有所不同,這與模塊內(nèi)部的訪問(wèn)路徑有關(guān)。

機(jī)械特性

平整度

模塊的平整度參數(shù)參考特定的測(cè)量位置,最小值為0,最大值為150m。

安裝扭矩

推薦使用M3安裝螺絲,安裝扭矩為0.7Nm,范圍在0.4 - 1.4Nm之間。需要注意的是,最大扭矩額定值可能因螺絲類型而異。

重量

模塊的重量為21.2g。

總結(jié)

Onsemi的NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊以其出色的性能和豐富的特性,為汽車電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求,合理選擇和使用該模塊,同時(shí)注意其電氣和機(jī)械特性,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用類似的MOSFET模塊時(shí),是否也遇到過(guò)一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電氣特性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    358

    瀏覽量

    10314
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索 onsemi NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    汽車電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討 onsemiN
    的頭像 發(fā)表于 11-28 15:20 ?658次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXV08H350XT1</b> <b class='flag-5'>汽車</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>模塊</b>:設(shè)計(jì)與應(yīng)用<b class='flag-5'>解析</b>

    汽車功率MOSFET模塊NXV08H300DT1:高效可靠的汽車電子解決方案

    汽車電子領(lǐng)域,功率MOSFET模塊的性能對(duì)于系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)深入了解一下安森美(onsemi)的
    的頭像 發(fā)表于 11-28 15:25 ?472次閱讀
    <b class='flag-5'>汽車</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>NXV08H300DT1</b>:高效可靠的<b class='flag-5'>汽車</b>電子解決方案

    探索 onsemi NTMTS1D6N10MC 功率 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用潛力

    onsemi 公司推出的 NTMTS1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET,詳細(xì)解析其特性、參數(shù)以及應(yīng)用潛力。 文件下載:
    的頭像 發(fā)表于 04-10 14:05 ?173次閱讀

    汽車功率MOSFET模塊NXV10V125DT1:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    汽車功率MOSFET模塊NXV10V125DT1:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:10 ?223次閱讀

    onsemi NXV08V110DB1三相逆變器汽車功率MOSFET模塊技術(shù)解析

    onsemi NXV08V110DB1三相逆變器汽車功率MOSFET模塊技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:10 ?252次閱讀

    onsemi NXV08V080DB1三相逆變器汽車功率MOSFET模塊技術(shù)剖析

    onsemi NXV08V080DB1三相逆變器汽車功率MOSFET模塊技術(shù)剖析 在
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:10 ?237次閱讀

    安森美NXV08H250DT1汽車功率MOSFET模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    安森美NXV08H250DT1汽車功率MOSFET模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:15 ?234次閱讀

    探索 onsemi NXV08H300DT1 汽車功率 MOSFET 模塊

    探索 onsemi NXV08H300DT1 汽車功率 MOSFET 模塊
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:15 ?226次閱讀

    探索 onsemi NXV08H400XT1 汽車功率 MOSFET 模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選

    探索 onsemi NXV08H400XT1 汽車功率 MOSFET 模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:15 ?243次閱讀

    探索 onsemi NXV08H400XT2 汽車功率 MOSFET 模塊

    探索 onsemi NXV08H400XT2 汽車功率 MOSFET 模塊
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:15 ?230次閱讀

    探索onsemi NXV08H350XT1汽車功率MOSFET模塊:性能與應(yīng)用解析

    探索onsemi NXV08H350XT1汽車功率MOSFET模塊:性能與應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:15 ?247次閱讀

    onsemi FTCO3V455A1:高性能汽車3相逆變器功率模塊解析

    onsemi FTCO3V455A1:高性能汽車3相逆變器功率模塊解析
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:25 ?194次閱讀

    汽車功率MOSFET模塊NXV08B800DT1:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    汽車功率MOSFET模塊NXV08B800DT1:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:25 ?179次閱讀

    探索 onsemi 單相逆變器汽車功率 MOSFET 模塊 NXV08A170DB2

    探索 onsemi 單相逆變器汽車功率 MOSFET 模塊 NXV08A170DB2 在
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:30 ?180次閱讀

    汽車功率MOSFET模塊NXV08H250DPT2:高效可靠的汽車電子解決方案

    onsemi)的NXV08H250DPT2汽車功率MOSFET模塊,看看它有哪些獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:35 ?200次閱讀
    曲麻莱县| 建平县| 义乌市| 凤冈县| 民权县| 武穴市| 宣武区| 万山特区| 油尖旺区| 明水县| 赣榆县| 通河县| 鄄城县| 蒲城县| 塔河县| 荆门市| 义马市| 锡林郭勒盟| 西畴县| 永福县| 肇东市| 修武县| 方正县| 昭觉县| 汕头市| 万全县| 贞丰县| 澳门| 水城县| 眉山市| 新龙县| 都江堰市| 拉萨市| 平凉市| 咸丰县| 岐山县| 隆尧县| 建瓯市| 光山县| 卢龙县| 高要市|