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TPS54334降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊使用指南

chencui ? 2026-04-24 14:25 ? 次閱讀
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TPS54334降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊使用指南

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。TPS54334降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊(TPS54334EVM - 722)為工程師們提供了一個(gè)便捷的測試和驗(yàn)證平臺(tái)。本文將詳細(xì)介紹該評(píng)估模塊的相關(guān)信息,幫助工程師更好地了解和使用它。

文件下載:TPS54334EVM-722.pdf

一、引言

1.1 背景

TPS54334是一款直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,能夠在4.2V至28V的輸入電壓源下提供高達(dá)3A的輸出電流。評(píng)估模塊的額定輸入電壓范圍為4.2V至28V,輸出電流范圍為0A至3A。該模塊的開關(guān)頻率外部設(shè)定為標(biāo)稱570kHz,內(nèi)部集成了高端和低端MOSFET以及柵極驅(qū)動(dòng)電路。MOSFET的低漏源導(dǎo)通電阻使得TPS54334能夠?qū)崿F(xiàn)高效率,并有助于在高輸出電流時(shí)保持較低的結(jié)溫。補(bǔ)償組件位于集成電路外部,通過外部分壓器可實(shí)現(xiàn)輸出電壓的可調(diào)。此外,TPS54334還提供了可調(diào)的欠壓鎖定輸入,TPS54334EVM - 722的絕對(duì)最大輸入電壓為30V。

1.2 性能規(guī)格總結(jié)

規(guī)格 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
VIN工作電壓范圍 - 4.2 24 28 V
VIN啟動(dòng)電壓 - 4.1 - - V
VIN停止電壓 - 3.9 - - V
輸出電壓設(shè)定點(diǎn) - - - 3.3 V
輸出電流范圍 VIN = 4.2V至28V 0 - 3 A
線性調(diào)整率 IO = 1.5A,VIN = 4.2V至28V - - ±0.05% -
負(fù)載調(diào)整率 VIN = 12V,IO = 0A至3A - - ±0.2% -
負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IO = 0.75A至2.25A) - - - 電壓變化 -190mV,恢復(fù)時(shí)間150μs -
負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IO = 2.25A至0.75A) - - - 電壓變化190mV,恢復(fù)時(shí)間150μs -
環(huán)路帶寬 VIN = 24V,IO = 1.5A - 54.26 - kHz
相位裕度 VIN = 24V,IO = 1.5A - 82 - -
輸入紋波電壓 IO = 3A - - 400 mVPP
輸出紋波電壓 IO = 3A - - <30 mVPP
輸出上升時(shí)間 - - - 2 ms
工作頻率 - - 570 - kHz
最大效率 TPS54334EVM - 722,VIN = 12V,IO = 1A - 91.38% - -

1.3 修改

1.3.1 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)

通過改變電阻R6的值可以調(diào)整評(píng)估模塊的輸出電壓。計(jì)算公式為: [R 6=frac{R 5 × 0.8 V}{V_{OUT }-0.8 V}] 其中R5取值31.6kΩ。表1 - 3列出了一些常見輸出電壓對(duì)應(yīng)的R5和R6值。需要注意的是,VIN必須在一定范圍內(nèi),以確保最小導(dǎo)通時(shí)間大于145ns,最大占空比小于100%。

輸出電壓 (V) R5值 (kΩ) R6值 (kΩ)
1.8 31.6 25.5
2.5 31.6 15
3.3 31.6 10

1.3.2 可調(diào)欠壓鎖定(UVLO)

可通過R1和R2外部調(diào)整欠壓鎖定(UVLO)。評(píng)估模塊默認(rèn)啟動(dòng)電壓為4.1V,停止電壓為3.23V,使用 (R 1 = 220 k Omega) 和 (R 2 = 84.5 k Omega) ??墒褂靡韵鹿接?jì)算不同啟動(dòng)和停止電壓所需的電阻值: [R 1=frac{V{START }left(frac{V{ENFALLESING }}{V{ENRISING }}right)-V{STOP }}{I{p}left(1-frac{V{ENFALINFALING }}{V{ENRISING }}right)+I{h}}] [R 2=frac{R 1 × V{ENFALLING }}{V{STOP }-V{ENFALLING }+R 1left(f{p}+h{h}right)}] 其中 (I{p}=1.15 mu A),(I{h}=3.3 mu A),(V{ENFALLING }=1.17 V) ,(V_{ENRISING }=1.21 V) 。

二、測試設(shè)置與結(jié)果

2.1 輸入/輸出連接

TPS54334EVM - 722配備了輸入/輸出連接器測試點(diǎn)。需要使用能夠提供2A電流的電源通過一對(duì)20 - AWG電線連接到J1,負(fù)載通過一對(duì)20 - AWG電線連接到J4。為了充分發(fā)揮該評(píng)估模塊的性能,負(fù)載的最大電流能力至少應(yīng)為4A。同時(shí),應(yīng)盡量縮短電線長度以減少電線中的損耗。測試點(diǎn)TP1用于監(jiān)測VIN輸入電壓,TP2作為接地參考;TP6用于監(jiān)測輸出電壓,TP7作為接地參考。

參考設(shè)計(jì)號(hào) 功能
J1 VIN(VIN范圍見表1 - 1)
J2 VOUT,最大3A時(shí)為3.3V
JP1 2針接頭用于使能。將EN連接到地以禁用,斷開以啟用
JP2 2針接頭用于VDD。將VOUT連接到VDD作為電源
TP1 VIN連接器處的VIN測試點(diǎn)
TP2 VIN處的GND測試點(diǎn)
TP3 PGOOD測試點(diǎn)
TP4 PH測試點(diǎn)
TP5 電壓分壓器網(wǎng)絡(luò)與輸出之間的測試點(diǎn)。用于環(huán)路響應(yīng)測量
TP6 OUT連接器處的輸出電壓測試點(diǎn)
TP7 VOUT連接器處的GND測試點(diǎn)
TP8 VDD連接器處的VDD測試點(diǎn)
TP9 VDD連接器處的GND測試點(diǎn)
TP10 EN測試點(diǎn)

2.2 效率

該評(píng)估模塊的效率在負(fù)載電流約為0.5A - 1A時(shí)達(dá)到峰值,隨后隨著負(fù)載電流接近滿載而降低。在環(huán)境溫度為25°C時(shí),其效率曲線如圖2 - 1和圖2 - 2所示。由于內(nèi)部MOSFET的漏源電阻隨溫度變化,在較高環(huán)境溫度下效率可能會(huì)降低。

2.3 輸出電壓負(fù)載調(diào)整率

圖2 - 3展示了TPS54334EVM - 722的負(fù)載調(diào)整率,測量是在環(huán)境溫度為25°C的條件下進(jìn)行的。

2.4 輸出電壓線性調(diào)整率

圖2 - 4展示了該評(píng)估模塊的線性調(diào)整率。

2.5 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

圖2 - 5顯示了TPS54334EVM - 722對(duì)負(fù)載瞬態(tài)的響應(yīng),在12V輸入下,電流階躍從最大額定負(fù)載的25%到75%。

2.6 環(huán)路特性

圖2 - 6展示了在VIN電壓為24V、負(fù)載電流為1.5A時(shí)的環(huán)路響應(yīng)特性。

2.7 輸出電壓紋波

圖2 - 7、圖2 - 8和圖2 - 9分別展示了滿載、輕載和跳周期模式下的輸出電壓紋波,測量是在 (V_{IN } = 12 V) 的條件下進(jìn)行的。

2.8 輸入電壓紋波

圖2 - 10展示了輸出電流為額定滿載3A、(V_{IN } = 12 V) 時(shí)的輸入電壓紋波。

2.9 上電

圖2 - 11和圖2 - 12展示了TPS54334EVM - 722的啟動(dòng)波形。在圖2 - 11中,當(dāng)輸入電壓達(dá)到由R1和R2電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)設(shè)置的UVLO閾值時(shí),輸出電壓開始上升;在圖2 - 12中,初始施加輸入電壓,通過跳線將EN連接到GND來抑制輸出,移除跳線釋放EN,當(dāng)EN電壓達(dá)到使能閾值電壓時(shí),啟動(dòng)序列開始,輸出電壓上升到外部設(shè)定的3.3V。

2.10 下電

圖2 - 13和圖2 - 14展示了TPS54334EVM - 722的下電波形。在圖2 - 13中,當(dāng)輸入電壓低于由R1和R2電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)設(shè)置的UVLO停止閾值時(shí),輸出電壓開始下降;在圖2 - 14中,通過跳線將EN連接到GND來抑制輸出。

三、電路板布局

3.1 布局

圖3 - 1至圖3 - 3展示了TPS54334EVM - 722的電路板布局。評(píng)估模塊的頂層布局采用了典型的用戶應(yīng)用方式,頂層和底層均為2 - oz銅層。頂層包含了VIN、Vout和VPHASE的主要電源走線,以及TPS54334其余引腳的連接和大面積的接地區(qū)域。為了將主輸入旁路電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置,VPHASE的走線在引腳3連接處立即路由到底層,并在L1電感和C3自舉電容處路由回頂層。底層包含一個(gè)接地平面和一個(gè)用于VPHASE的銅填充區(qū)域,以及連接電壓設(shè)定點(diǎn)分壓器上電阻到J2輸出連接器調(diào)節(jié)點(diǎn)的蝕刻走線,和連接UVLO設(shè)定點(diǎn)分壓器網(wǎng)絡(luò)上電阻到VIN的走線。頂層接地區(qū)域通過多個(gè)過孔與底層和內(nèi)部接地平面相連,包括位于TPS54334器件正下方的四個(gè)過孔,以提供從頂層接地區(qū)域到底層和內(nèi)部接地平面的熱路徑。輸入去耦電容(C2和C1)和自舉電容(C3)都盡可能靠近集成電路放置,電壓設(shè)定點(diǎn)電阻分壓器組件也保持靠近集成電路。根據(jù)評(píng)估模塊與輸入電源的連接情況,可能需要額外的輸入大容量電容。

四、原理圖和物料清單

4.1 原理圖

圖4 - 1展示了TPS54334EVM - 722的原理圖。

4.2 物料清單

設(shè)計(jì)號(hào) 數(shù)量 描述 封裝 參考零件號(hào) 制造商
C1 1 10 μF 陶瓷電容,10 μF,35 V,±10%,X7R,1210 1210 GRM32ER7YA106KA12L Murata
C2, C3 2 0.1 μF 陶瓷電容,0.1 μF,50 V,±10%,X7R,0603 0603 GRM188R71H104KA93D Murata
C4 1 0.015 μF 陶瓷電容,0.015 μF,50 V,±10%,X7R,0603 0603 GRM188R71H153KA01D Murata
C5 1 150 pF 陶瓷電容,150 pF,50 V,±5%,C0G/NP0,0603 0603 GRM1885C1H151JA01D Murata
C6, C7 2 22 μF 陶瓷電容,22 μF,25 V,±10%,X7R,1210 1210 GRM32ER71E226KE15L Murata
C8 1 200pF 陶瓷電容,200 pF,50 V,±5%,C0G/NP0,0603 0603 GRM1885C1H201JA01D Murata
J1, J2 2 - 2針端子塊,3.81 mm,通孔 - 1727010 Phoenix Contact
JP1, JP2 2 - 2針跳線頭,通孔,100mil,鍍金,絕緣層上方230mil - TSW - 102 - 07 - G - S Samtec, Inc.
L1 1 6.8 μH 屏蔽式粉末鐵電感,6.8 μH,8 A,0.0233 Ω,貼片 - IHLP - 4040DZ Vishay - Dale
R1 1 221 k 電阻,221 k,1%,0.1 W,0603 0603 RC0603FR - 07221KL Yageo America
R2 1 84.5 k 電阻,84.5 k,1%,0.1 W,0603 0603 CRCW060384K5FKEA Vishay - Dale
R3 1 2.05 k 電阻,2.05 k,1%,0.1 W,0603 0603 CRCW06032K05FKEA Vishay - Dale
R4 1 51.1 電阻,51.1 Ω,1%,0.1W,0603 0603 CRCW060351R1FKEA Vishay - Dale
R5 1 31.6 k 電阻,31.6 k,1%,0.1 W,0603 0603 CRCW060331K6FKEA Vishay - Dale
R6 1 10 k 電阻,10 k,5%,0.1 W,0603 0603 CRCW060310K0JNEA Vishay - Dale
R7 1 100 k 電阻,100 k,0.1%,0.063 W,0603 0603 CPF0603B100KE TE Connectivity
R8 1 0 電阻,0 Ω,5%,0.1W,0603 0603 CRCW06030000Z0EA Vishay - Dale
SH - JP1 1 - 100mil鍍金黑色分流器 - 382811 - 6 AMP
TP1, TP6, TP8 3 - 紅色測試點(diǎn),通孔,微型 - 5000 Keystone
TP2, TP7, TP9 3 - 黑色測試點(diǎn),通孔,微型 - 5001 Keystone
TP3, TP5, TP10 3 - 白色測試點(diǎn),通孔,微型 - 5002 Keystone
TP4 1 - 黃色測試點(diǎn),通孔,微型 - 5004 Keystone
U1 1 - 4.2 - V至28 - V輸入,3A輸出,同步SWIFT?降壓電壓轉(zhuǎn)換器 - TPS54334DRCR Texas Instruments
C9 0 22 μF 陶瓷電容,22 μF,25 V,± 10%,X7R,1210 1210 GRM32ER71E226KE15L Murata
C10
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