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探索 TPS61130EVM 評(píng)估模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

chencui ? 2026-04-25 11:50 ? 次閱讀
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探索 TPS61130EVM 評(píng)估模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

一、引言

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高效的電源管理模塊至關(guān)重要。德州儀器Texas Instruments)的 TPS61130EVM 評(píng)估模塊(EVM),為工程師們提供了一個(gè)評(píng)估 TPS61130 系列設(shè)備性能的絕佳平臺(tái)。這個(gè)模塊是一款高效的 SEPIC 轉(zhuǎn)換器,集成了 LDO,專為單節(jié)鋰離子電池輸入而設(shè)計(jì),能輸出雙路電壓,在眾多電子設(shè)備的電源設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景。

文件下載:TPS61130EVM-206.pdf

二、重要注意事項(xiàng)

產(chǎn)品變更與保修

TI 保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行修改、改進(jìn)等操作的權(quán)利,并且可能隨時(shí)停止產(chǎn)品供應(yīng)而不另行通知??蛻粼谙聠吻皯?yīng)獲取最新信息,并確認(rèn)其準(zhǔn)確性和完整性。TI 對(duì)硬件產(chǎn)品提供符合銷售時(shí)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)保修,但并非對(duì)每個(gè)產(chǎn)品的所有參數(shù)都進(jìn)行測(cè)試。

EVM 使用限制

該評(píng)估套件僅用于工程開發(fā)或評(píng)估目的,不適合商業(yè)使用。它可能在設(shè)計(jì)、營(yíng)銷和制造相關(guān)的保護(hù)措施方面存在不足,例如產(chǎn)品安全措施。此外,作為原型產(chǎn)品,它可能不符合歐盟電磁兼容性指令的技術(shù)要求。

退貨政策

如果評(píng)估套件不符合用戶指南中的規(guī)格,可在交付日期起 30 天內(nèi)退貨并獲得全額退款。這是賣方提供的唯一保修,替代所有其他明示、暗示或法定保修。

用戶責(zé)任

用戶需對(duì)產(chǎn)品的正確和安全處理負(fù)責(zé),并對(duì) TI 因產(chǎn)品處理或使用而產(chǎn)生的所有索賠進(jìn)行賠償。同時(shí),用戶要注意產(chǎn)品可能不符合監(jiān)管要求或未獲得相關(guān)認(rèn)證,并且由于產(chǎn)品的開放式結(jié)構(gòu),需采取適當(dāng)?shù)撵o電放電預(yù)防措施。

三、EVM 警告與限制

電壓范圍限制

EVM 的輸入電壓應(yīng)在 3.0 V 至 5.5 V 之間,SEPIC 輸出電壓范圍為 2.5 V 至 5.5 V,LDO 輸出電壓范圍為 0.9 V 至 5.5 V。超出指定輸入范圍可能導(dǎo)致意外操作或?qū)?EVM 造成不可逆損壞;連接超出指定輸出范圍的負(fù)載可能導(dǎo)致意外操作或永久性損壞。若對(duì)輸入或負(fù)載規(guī)格有疑問(wèn),應(yīng)聯(lián)系 TI 現(xiàn)場(chǎng)代表。

高溫部件注意

在正常運(yùn)行期間,一些電路組件的外殼溫度可能超過(guò) 85°C。只要保持輸入和輸出范圍,EVM 設(shè)計(jì)為允許某些組件在高于 60°C 的溫度下正常運(yùn)行。這些組件包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)晶體管、傳輸晶體管和電流感測(cè)電阻器等。在操作過(guò)程中靠近這些設(shè)備放置測(cè)量探頭時(shí),要注意它們可能會(huì)很燙。

四、評(píng)估模塊概述

功能特點(diǎn)

TPS61130EVM 專為鋰離子電池輸入(3.0 V 至 4.2 V)而優(yōu)化設(shè)計(jì)。默認(rèn)情況下,SEPIC 輸出電壓為 3.3 V,能夠提供 300 mA 的電流;LDO 輸出電壓為 1.5 V,可提供 200 mA 的電流。通過(guò)調(diào)整適當(dāng)?shù)姆答?a target="_blank">電阻分壓器,還可以輕松修改輸出電壓,SEPIC 轉(zhuǎn)換器的輸出電壓可設(shè)置在 2.5 V 至 5.5 V 之間,LDO 的輸出電壓可設(shè)置在 0.9 V 至 5.5 V 之間。

相關(guān)文檔

除了本用戶指南外,還可參考 TPS61130 數(shù)據(jù)手冊(cè)(SLVS431),其中包含了 TPS6113x 設(shè)備系列的各種固定輸出電壓選項(xiàng)以及調(diào)整輸出電壓的詳細(xì)信息。

五、設(shè)置與操作

輸入/輸出連接器說(shuō)明

  • J1 - VBAT:連接到輸入電源的正極,為減少 EMI 傳輸,輸入電源的引線應(yīng)絞合且盡量短。
  • J2 - GND:輸入電源的返回連接。
  • J3 - VOUT:SEPIC 電源輸出的正極,連接到負(fù)載的正輸入。
  • J4 - GND:SEPIC 電源輸出的負(fù)極,連接到負(fù)載的負(fù)輸入。
  • J5 - LDOOUT:LDO 電源輸出的正極,連接到負(fù)載的正輸入。
  • J6 - GND:LDO 電源輸出的負(fù)極,連接到負(fù)載的負(fù)輸入。
  • J7 - PGOOD, LBO:引腳 1 是 TPS61130 的 PGOOD 輸出,引腳 2 是 LBO 輸出,兩個(gè)信號(hào)通過(guò) PCB 上的 1-MΩ 電阻上拉到 Vout。
  • JP1 - SKIPEN:通過(guò)將短路跳線連接到 ON 或 OFF 位置來(lái)啟用或禁用 SKIPEN。SKIPEN 設(shè)置為 ON 時(shí),設(shè)備在輕負(fù)載下進(jìn)入更高效的脈沖跳過(guò)模式。
  • JP2 - EN:?jiǎn)⒂煤徒?EVM 的 SEPIC 部分。
  • JP3 - LDOEN:?jiǎn)⒂煤徒?EVM 的 LDO 部分。
  • JP4 - LDOIN:連接到 TPS61130 集成 LDO 的輸入。短接 VBAT 引腳和中心引腳可將 EVM 的 VBAT 輸入連接到 TPS61130 的 LDOIN;短接 VOUT 引腳和中心引腳可將 EVM 的 VOUT 引腳連接到 TPS61130 的 LDOIN。也可移除該跳線,通過(guò)直接將電壓源連接到 JP4 的中心引腳,向 LDO 輸入施加高達(dá) 5.5 V 的電壓。

設(shè)置步驟

  1. 在 J1 和 J2 之間連接輸入電源,電壓范圍應(yīng)保持在 3.0 V 至 5.5 V 之間。
  2. 在 J3 和 J4 之間連接 SEPIC 轉(zhuǎn)換器的負(fù)載。
  3. 在 J5 和 J6 之間連接 LDO 的負(fù)載。
  4. 將 SKIPEN 跳線配置為所需設(shè)置。
  5. 配置 JP4 以從所需源為 LDO 供電。

操作流程

EVM 針對(duì)鋰離子電池輸入電壓范圍(3.0 V 至 4.2 V)進(jìn)行了優(yōu)化。連接輸入和輸出連接,并將 SKIPEN 跳線(JP1)設(shè)置為所需設(shè)置后,打開輸入電源,然后使用 JP2 和 JP3 按需啟用輸出。當(dāng)輸入電源電壓降至 2.9 V 以下時(shí),LBI 引腳上的電阻分壓器會(huì)觸發(fā) LBO 輸出。

六、電路板布局

布局重要性

對(duì)于所有開關(guān)模式電源來(lái)說(shuō),電路板布局至關(guān)重要。TPS61130EVM–206 的電路板布局經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),高頻開關(guān)和高電流節(jié)點(diǎn)較短,并與對(duì)噪聲敏感的反饋電路隔離。同時(shí),對(duì)高頻電流環(huán)路的布線也給予了特別關(guān)注。具體的布局指南可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

布局圖示

文檔中提供了 TPS61130EVM–206 PWB 的頂層、底層和頂部組件布局圖,方便工程師進(jìn)行參考和分析。

七、原理圖與物料清單

原理圖

TPS61130EVM–206 的原理圖展示了電路的詳細(xì)連接和設(shè)計(jì),為工程師理解電路原理和進(jìn)行后續(xù)的設(shè)計(jì)修改提供了重要依據(jù)。

物料清單

COUNT Ref Des DESCRIPTION SIZE MFR PART NUMBER
3 C1, C5, C6 Capacitor, ceramic, 2.2- μ F, 6.3-V, X5R, 10% 805 Murata GRM21BR60J225KC01B
1 C3 Capacitor, ceramic, 10- μ F, 6.3-V, X5R, 10% 805 Murata GRM21BR60J106KE01
1 C4 Capacitor, tantalum, 120- μ F, 10-V, 140-m Ω , 20% 7343 (D) Vishay 595D127X0010D2T
1 C7 Capacitor, ceramic, 22- μ F, 10-V, X5R, 10% 1210 Murata GRM32ER61A226KA65
7 J1– J7 Header, 2-pin, 100-mil spacing, (36-pin strip) 0.100 In x 2 In Sullins PTC36SAAN
4 JP1–JP4 Header, 3-pin, 100-mil spacing, (36-pin strip) 0.100 In x 3 In Sullins PTC36SAAN
1 L1 Inductor, SMT, 22- μ H, 811-mA, 429-m Ω 0.300 In x 0.300 In Coiltronics DRQ74–220
1 R1 Resistor, chip, 845-k Ω , 1/16-W, 1% 603 Std Std
3 R2, R4, R6 Resistor, chip, 178-k Ω , 1/16-W, 1% 603 Std Std
3 R3, R7, R9 Resistor, chip, 1-M Ω , 1/16-W, 1% 603 Std Std
1 R5 Resistor, chip, 357-k Ω , 1/16-W, 1% 603 Std Std
1 U1 IC, single cell or dual cell Li-Ion boost/sepic converter TSSOP-16 TI TPS61130PW
1 –– PCB, 2.6 In x 1.6 In x 0.062 In Any SLVP206
4 –– Shunt, 100-mil, black 0.100 In 3M 929950–00

這份物料清單詳細(xì)列出了評(píng)估模塊中使用的各種組件的數(shù)量、參考編號(hào)、描述、尺寸、制造商和零件編號(hào),為工程師進(jìn)行物料采購(gòu)和電路組裝提供了清晰的指導(dǎo)。

八、總結(jié)

TPS61130EVM 評(píng)估模塊為電子工程師提供了一個(gè)全面評(píng)估 TPS61130 系列設(shè)備性能的平臺(tái)。通過(guò)了解其特點(diǎn)、設(shè)置方法、電路板布局以及原理圖和物料清單,工程師可以更好地利用這個(gè)模塊進(jìn)行電源管理電路的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師還需根據(jù)具體需求,結(jié)合相關(guān)文檔和指南,合理調(diào)整參數(shù),確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用 TPS61130EVM 評(píng)估模塊的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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