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探索TPS59640EVM - 751:IMVP - 7電源系統(tǒng)的評(píng)估利器

chencui ? 2026-04-25 12:40 ? 次閱讀
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探索TPS59640EVM - 751:IMVP - 7電源系統(tǒng)的評(píng)估利器

電子工程師的日常工作中,一款優(yōu)秀的評(píng)估模塊能夠極大地提升開發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。今天,我們就來(lái)深入了解一下德州儀器TI)的TPS59640EVM - 751評(píng)估模塊,它為Intel? IMVP - 7 Serial VID(SVID)電源系統(tǒng)提供了完整的解決方案。

文件下載:TPS59640EVM-751.pdf

一、模塊概述

TPS59640EVM - 751評(píng)估模塊旨在使用9 - 20V的輸入總線,為IMVP - 7 SVID CPU/GPU電源系統(tǒng)產(chǎn)生六個(gè)穩(wěn)壓輸出。該模塊特別設(shè)計(jì)用于展示TPS59640的完整IMVP - 7移動(dòng)特性,同時(shí)提供了GUI通信程序和多個(gè)測(cè)試點(diǎn),方便評(píng)估TPS59640的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。

典型應(yīng)用

它適用于多種IMVP - 7 Vcore應(yīng)用,包括適配器、電池、NVDC或3V/5V/12V電源軌。

主要特性

  1. 完整解決方案:為9 - 20V輸入的Intel IMVP - 7 SVID電源系統(tǒng)提供完整的解決方案。
  2. GUI通信:通過(guò)GUI通信展示完整的IMVP - 7移動(dòng)特性。
  3. 高輸出電流支持:三相CPU Vcore可支持高達(dá)94A的輸出電流,單相GPU Vcore可支持高達(dá)33A的輸出電流。
  4. 可選擇參數(shù):CPU和GPU電源具有八個(gè)可選的開關(guān)頻率、八個(gè)級(jí)別的可選電流限制以及八個(gè)級(jí)別的可選輸出過(guò)沖/欠沖減少(OSR/USR?)。
  5. 輸出使能控制:每個(gè)輸出都有開關(guān)或跳線用于使能控制。
  6. 板載動(dòng)態(tài)負(fù)載:為CPU、GPU Vcore和VCCIO輸出提供板載動(dòng)態(tài)負(fù)載。
  7. 高效高密度:使用TI功率塊MOSFET實(shí)現(xiàn)高效率和高密度。
  8. 方便測(cè)試:提供方便的測(cè)試點(diǎn),用于探測(cè)關(guān)鍵波形。
  9. 八層PCB:采用2盎司銅的八層PCB設(shè)計(jì)。

二、電氣性能規(guī)格

輸入特性

參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
12VBAT輸入電壓范圍 VBAT 9 12 20 V
最大輸入電流 VBAT = 12 V,全負(fù)載(三相CPU/單相GPU) 16.2 A
無(wú)負(fù)載輸入電流 VBAT = 12 V,無(wú)負(fù)載(三相CPU/單相GPU) 0.1 A
5VIN輸入電壓范圍 Vin = 5 V 4.5 5 5.5 V
最大輸入電流 VBAT = 12 V,全負(fù)載 0.3 A
無(wú)負(fù)載輸入電流 VBAT = 12 V,無(wú)負(fù)載 0.1 A

輸出特性

CPU(TPS59640)

  • 輸出電壓Vcore:SVID地址為00 CPU時(shí),有效負(fù)載為1.05V。
  • 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%。
  • 負(fù)載調(diào)節(jié)(下垂)負(fù)載線: - 1.9 mΩ。
  • 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.05 V/90 A(三相),300 kHz時(shí)為25 mVpp。
  • 輸出負(fù)載電流:三相CPU運(yùn)行時(shí)為0 - 94 A。
  • 輸出過(guò)電流:每相可選,典型值為37 A。
  • 開關(guān)頻率:可選,范圍為250 - 600 kHz。
  • 滿載效率:VBAT = 12 V,1.05 V/94 A,300 kHz時(shí)為80.05%。

GPU(TPS59640)

  • 輸出電壓Vcore:SVID地址為01 GPU時(shí),有效負(fù)載為1.23V。
  • 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%。
  • 負(fù)載調(diào)節(jié)(下垂)負(fù)載線: - 3.9 mΩ。
  • 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.23 V/35 A,385 kHz時(shí)為30 mVpp。
  • 輸出負(fù)載電流:三相CPU運(yùn)行時(shí)為0 - 35 A。
  • 輸出過(guò)電流:每相可選,典型值為37 A。
  • 開關(guān)頻率:可選,范圍為275 - 660 kHz。
  • 滿載效率:VBAT = 12 V,1.23 V/35 A,385 kHz時(shí)為81.99%。

1.05 - V VCCIO(TPS51219)

  • 輸出電壓:1.05V。
  • 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%,負(fù)載調(diào)節(jié)為0.1%。
  • 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.05 V/15 A時(shí)為30 mVpp。
  • 輸出負(fù)載電流:0 - 15 A。
  • 輸出過(guò)電流:24 A。
  • 開關(guān)頻率:可選,為500 kHz。
  • 滿載效率:VBAT = 12 V,1.05 V/15 A時(shí)為89.27%。

DDR3L/DDR4 MEMORY RAIL(TPS51916)

  • 輸出電壓:1.2V。
  • 輸出電壓調(diào)節(jié):線路調(diào)節(jié)為0.1%,負(fù)載調(diào)節(jié)為0.1%。
  • 輸出電壓紋波:VBAT = 12 V,1.2 V/15 A時(shí)為30 mVpp。
  • 輸出負(fù)載電流:0 - 15 A。
  • 輸出過(guò)電流:24 A。
  • 開關(guān)頻率:可選,為500 kHz。
  • 滿載效率:VBAT = 12 V,1.2 V/15 A時(shí)為90.62%。

三、測(cè)試設(shè)置

測(cè)試設(shè)備

  1. 個(gè)人計(jì)算機(jī):運(yùn)行Microsoft Windows? XP或更高版本,具備可用的USB端口。
  2. USB電纜:標(biāo)準(zhǔn)USB_A到USB_B,5針迷你B電纜。
  3. TPS59640 USB驅(qū)動(dòng)和SVID GUI安裝:按照特定步驟將相關(guān)文件復(fù)制到主機(jī)計(jì)算機(jī)并安裝驅(qū)動(dòng)。
  4. DC源:12VBAT DC源為0 - 20V可變DC源,能夠提供20A直流電流;5Vin DC源為0 - 5V可變DC源,能夠提供1A直流電流。
  5. 儀表:用于測(cè)量5Vin、12VBAT、CPU Vcore、GPU Vcore、VDDQ和VCCIO的電壓以及12VBAT輸入電流。
  6. 負(fù)載:輸出負(fù)載必須是能夠提供0 - 90A直流電流的電子恒流負(fù)載。
  7. 示波器:數(shù)字或模擬示波器,設(shè)置為1MΩ阻抗、20MHz帶寬、交流耦合、2μs/格水平分辨率和50mV/格垂直分辨率。

推薦線規(guī)

  • V5in到J31(5V輸入):推薦使用1 x AWG 18的電線,總長(zhǎng)度小于4英尺。
  • 12VBAT到J30(12V輸入):推薦使用1 x AWG 16的電線,總長(zhǎng)度小于4英尺。
  • J1、J5、J6(CPU)到負(fù)載或J11(GPU)到負(fù)載或J28(VDDQ)到負(fù)載或J24(VCCIO)到負(fù)載:最小推薦使用2 x AWG 16的電線,總長(zhǎng)度小于4英尺。

推薦測(cè)試設(shè)置

ESD工作站工作,確保在處理EVM之前將任何腕帶、鞋帶或墊子連接到接地參考。

連接步驟

  1. USB電纜連接:使用標(biāo)準(zhǔn)USB_A和5針迷你B USB電纜將主機(jī)計(jì)算機(jī)連接到EVM的J42 USB端口。
  2. 輸入連接:在連接5Vin和12VBAT DC源之前,分別將源電流限制在1A和10A最大,并將初始電壓設(shè)置為0V。連接電壓表測(cè)量電壓,連接電流表測(cè)量12VBAT輸入電流。
  3. 輸出連接:將負(fù)載連接到相應(yīng)的端子,并在施加5Vin和12VBAT之前將負(fù)載設(shè)置為恒阻模式以吸收0A電流。

四、配置

CPU和GPU配置

  1. 電流限制跳閘選擇:通過(guò)J17(CPU)和J20(GPU)設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為5級(jí)。
  2. 頻率選擇:CPU通過(guò)J18設(shè)置,默認(rèn)頻率為300 kHz;GPU通過(guò)J21設(shè)置,默認(rèn)頻率為385 kHz。
  3. 過(guò)沖/欠沖減少選擇:CPU通過(guò)J19設(shè)置,GPU通過(guò)J22設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為最大。
  4. F2806 DSP程序模式選擇:通過(guò)J46設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為正常操作。
  5. 5Vin偏置電壓選項(xiàng):通過(guò)J41設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為使用外部5Vin偏置。
  6. 板載動(dòng)態(tài)負(fù)載選擇:通過(guò)S2和S3設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為禁用板載動(dòng)態(tài)負(fù)載。
  7. IMVP - 7 VR_ON使能選擇:通過(guò)S4設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為禁用CPU和GPU。

1.2VDDQ、0.6V VTT和0.6V VTTREF配置

通過(guò)J26和J27設(shè)置VDDQ S3、S5的使能,默認(rèn)設(shè)置為啟用。

1.05V VCCIO配置

  1. 1.05V使能選擇:通過(guò)S1設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為禁用。
  2. VCCIO輸出電壓選擇:通過(guò)J23設(shè)置,默認(rèn)設(shè)置為1.05V。

五、測(cè)試程序

線路/負(fù)載調(diào)節(jié)和效率測(cè)量程序

CPU

  1. 按照測(cè)試設(shè)置部分的說(shuō)明設(shè)置EVM。
  2. 確保J46上沒(méi)有跳線短路。
  3. 在施加5Vin和12VBAT之前,確保所有其他跳線配置設(shè)置正確。
  4. 將負(fù)載設(shè)置為恒阻模式并吸收0A電流。
  5. 確保S1和S4處于關(guān)閉位置。
  6. 在TP27上添加示波器探頭以測(cè)量CPU Vcore紋波。
  7. 連接USB電纜。
  8. 將5Vin從0V增加到5V,使用V1測(cè)量5Vin輸入電壓。
  9. 將12VBAT從0V增加到12V,使用V2測(cè)量12VBAT輸入電壓。
  10. 雙擊TI - SVID - GUI_1_5_0_1.exe啟動(dòng)GUI程序。
  11. 將S4推到開啟位置以啟用TPS59640的VR_ON。
  12. 發(fā)送SVID命令,默認(rèn)地址為00 CPU,命令為SetVIDslow,有效負(fù)載為1.05V。
  13. 點(diǎn)擊發(fā)送命令,CPU CPGOOD LED亮起。
  14. 測(cè)量V3(CPU Vcore)和A1(12VBAT輸入電流)。
  15. 將CPU負(fù)載從0A變化到90A,確保CPU Vcore保持在負(fù)載線內(nèi)。
  16. 將12VBAT從9V變化到20V,確保CPU Vcore保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
  17. 將S4推到關(guān)閉位置以禁用CPU Vcore控制器
  18. 將負(fù)載減小到0A,并從端子J1、J5和J6斷開負(fù)載。
  19. 從J14斷開V3。
  20. 從TP27斷開示波器探頭。

GPU

  1. 將負(fù)載連接到GPU端子J11和V3到J16,確保極性正確。
  2. 在TP37上添加示波器探頭以測(cè)量GPU G_Vcore紋波。
  3. 將S4推到開啟位置以啟用TPS59640的VR_ON。
  4. 發(fā)送SVID命令,地址為01 GPU,命令為SetVIDslow,有效負(fù)載為1.23V。
  5. 點(diǎn)擊發(fā)送命令,GPU GPOOD LED亮起。
  6. 測(cè)量V3(GPU G_Vcore)和A1(12VBAT輸入電流)。
  7. 將GPU負(fù)載從0A變化到30A,確保GPU Vcore保持在負(fù)載線內(nèi)。
  8. 將12VBAT從9V變化到20V,確保GPU Vcore保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
  9. 將S4推到關(guān)閉位置以禁用GPU Vcore控制器。
  10. 將負(fù)載減小到0A,并從端子J11斷開負(fù)載。
  11. 從J16斷開V3。
  12. 從TP37斷開示波器探頭。
  13. 退出SVID GUI窗口。
  14. 斷開主機(jī)計(jì)算機(jī)和EVM之間的USB電纜。

VDDQ

  1. 將負(fù)載連接到VDDQ端子J28和V3到J29,確保極性正確。
  2. 從J27的2和3引腳移除跳線,并將其放在J27的1和2引腳以啟用VDDQ控制器的S5。
  3. 測(cè)量V3(VDDQ)和A1(12Vin輸入電流)。
  4. 將VDDQ負(fù)載從0A變化到15A,確保VDDQ保持在負(fù)載調(diào)節(jié)內(nèi)。
  5. 將12VBAT從9V變化到20V,確保VDDQ保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
  6. 從J27移除跳線,并將其短路回2和3引腳以禁用VDDQ控制器。
  7. 將負(fù)載減小到0A,并從端子J28斷開負(fù)載。
  8. 從J29斷開V3。

VCCIO

  1. 將負(fù)載連接到VCCIO端子J24和V3到J25,確保極性正確。
  2. 將S1推到開啟位置以啟用VCCIO控制器。
  3. 測(cè)量V3(VCCIO)和A1(12Vin輸入電流)。
  4. 將VDDQ負(fù)載從0A變化到15A,確保VCCIO保持在負(fù)載調(diào)節(jié)內(nèi)。
  5. 將12VBAT從9V變化到20V,確保VCCIO保持在線路調(diào)節(jié)內(nèi)。
  6. 將S1推到關(guān)閉位置以禁用VCCIO控制器。
  7. 將負(fù)載減小到0A,并從端子J24斷開負(fù)載。
  8. 從J25斷開V3。

設(shè)備關(guān)閉

  1. 關(guān)閉負(fù)載。
  2. 關(guān)閉12VBAT和5Vin。
  3. 關(guān)閉示波器。
  4. 關(guān)閉主機(jī)計(jì)算機(jī)。

六、性能數(shù)據(jù)和典型特性曲線

文檔中提供了大量的典型性能曲線,包括CPU三相、二相、單相操作,GPU操作,1.05 - V VCCIO和1.2 VDDQ的效率、負(fù)載調(diào)節(jié)、使能開啟和關(guān)閉、開關(guān)節(jié)點(diǎn)紋波等曲線,這些曲線為工程師評(píng)估模塊性能提供了重要參考。

七、EVM裝配圖和PCB布局

TPS59640EVM - 751采用八層電路板設(shè)計(jì),外層為2盎司銅。文檔中提供了頂層裝配圖、底層裝配圖、頂層銅層、底層銅層以及各內(nèi)層的設(shè)計(jì)圖,方便工程師了解模塊的物理結(jié)構(gòu)和布線情況。

八、物料清單

文檔詳細(xì)列出了EVM的主要組件清單,包括電容器、二極管電感器、MOSFET、電阻器、IC等元件的型號(hào)、數(shù)量和制造商等信息,為工程師進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)和維修提供了便利。

九、重要注意事項(xiàng)

適用范圍

該評(píng)估板僅用于工程開發(fā)、演示或評(píng)估目的,不被視為適合一般消費(fèi)者使用的成品。

安全責(zé)任

用戶需對(duì)產(chǎn)品的正確和安全處理承擔(dān)全部責(zé)任,并對(duì)TI因產(chǎn)品處理或使用而產(chǎn)生的所有索賠進(jìn)行賠償。

操作范圍

必須在0 - 20V的輸入電壓范圍和0 - 1.5V的輸出電壓范圍內(nèi)操作EVM,超出指定范圍可能導(dǎo)致意外操作和/或不可逆損壞。

溫度注意

正常操作期間,某些電路組件的外殼溫度可能超過(guò)80°C,操作時(shí)需注意避免燙傷。

總之,TPS59640EVM - 751評(píng)估模塊為IMVP - 7電源系統(tǒng)的開發(fā)和評(píng)估提供了一個(gè)全面而強(qiáng)大的平臺(tái)。通過(guò)詳細(xì)的測(cè)試設(shè)置、配置和測(cè)試程序,工程師可以深入了解模塊的性能,并根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。同時(shí),嚴(yán)格遵守重要注意事項(xiàng),確保操作的安全性和可靠性。你在使用這個(gè)評(píng)估模塊的過(guò)程中遇到過(guò)哪些有趣的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

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    的頭像 發(fā)表于 04-23 15:50 ?145次閱讀

    TPS23753EVM-004評(píng)估模塊:高效電源解決方案的探索

    TPS23753EVM-004評(píng)估模塊:高效電源解決方案的探索 在電子工程師的日常工作中,評(píng)估模塊是驗(yàn)證和開發(fā)新設(shè)計(jì)的重要工具。今天,我們將
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    TPS7H3302EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析

    3A,支持測(cè)試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評(píng)估模塊配有方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線,用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:14 ?1214次閱讀
    <b class='flag-5'>TPS7H3302EVM</b><b class='flag-5'>評(píng)估</b>模塊技術(shù)解析
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