當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月22日，JEDEC發(fā)布了一系列計(jì)劃納入其JESD209-6 LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)下一版本的新功能預(yù)覽，致力于將LPDDR6的應(yīng)用范圍從移動(dòng)平臺(tái)擴(kuò)展到支持特定數(shù)據(jù)中心和加速計(jì)算工作負(fù)載。即將推出的LPDDR6更新計(jì)劃包括：

（1）更窄的芯片接口（x6）以實(shí)現(xiàn)更高的容量。隨著非二進(jìn)制接口寬度從 x16 變?yōu)?x24，加上 x12 和額外的 x6 子通道模式，每個(gè)封裝可容納更多芯片，每個(gè)組件和每個(gè)通道可容納更高的內(nèi)存容量，這對(duì)于實(shí)現(xiàn) AI 規(guī)模的內(nèi)存占用至關(guān)重要。

（2）支持靈活的元數(shù)據(jù)分離實(shí)現(xiàn)最大限度地減少對(duì)峰值數(shù)據(jù)吞吐量的影響，使數(shù)據(jù)中心客戶能夠根據(jù)其特定的可靠性要求來平衡用戶容量和元數(shù)據(jù)需求。

（3）容量有望突破當(dāng)前LPDDR5/5X的最大容量限制達(dá)到512GB，旨在滿足 AI 訓(xùn)練和推理工作負(fù)載不斷增長(zhǎng)的內(nèi)存容量需求。

（4）LPDDR6 SOCAMM2模塊標(biāo)準(zhǔn)正在開發(fā)中。

此外，LPDDR6 PIM 存內(nèi)處理技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定也接近完成。該標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)更廣泛的LPDDR6路線圖的補(bǔ)充，是一種旨在滿足邊緣和數(shù)據(jù)中心推理工作負(fù)載快速增長(zhǎng)的性能和能效需求的下一代內(nèi)存解決方案。