安森美1700V、25A碳化硅肖特基二極管NDSH25170A：下一代功率半導體的卓越之選
安森美1700V、25A碳化硅肖特基二極管NDSH25170A：下一代功率半導體的卓越之選
在功率半導體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正憑借其卓越的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NDSH25170A碳化硅肖特基二極管，便是這一技術(shù)的杰出代表。今天，我們就來深入了解這款產(chǎn)品的特點、性能及應(yīng)用。
文件下載：NDSH25170A-D.PDF
碳化硅肖特基二極管技術(shù)優(yōu)勢
碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù)，相較于傳統(tǒng)的硅二極管，具有顯著的優(yōu)勢。它沒有反向恢復電流，開關(guān)特性不受溫度影響，并且具備出色的熱性能，這些特性使得碳化硅成為下一代功率半導體的理想選擇。從系統(tǒng)層面來看，使用碳化硅肖特基二極管可以帶來諸多好處，如實現(xiàn)最高效率、支持更快的工作頻率、提高功率密度、降低電磁干擾（EMI），同時還能減小系統(tǒng)尺寸和成本。
NDSH25170A的特性亮點
溫度與雪崩特性
- 高結(jié)溫承受能力：該二極管的最大結(jié)溫可達175°C，這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種復雜的應(yīng)用場景。
- 雪崩額定能量：雪崩額定能量為506 mJ，這一特性保證了二極管在面對瞬態(tài)高能量沖擊時的可靠性。
電流與溫度特性
- 高浪涌電流能力：具備高浪涌電流容量，能夠承受較大的瞬間電流沖擊，確保在突發(fā)情況下設(shè)備的安全運行。
- 正溫度系數(shù)：正溫度系數(shù)的特性使得多個二極管并聯(lián)使用時更加容易，能夠?qū)崿F(xiàn)更穩(wěn)定的電流分配。
開關(guān)特性
- 無反向恢復和正向恢復：這一特性大大降低了開關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)的效率，同時也減少了電磁干擾。
環(huán)保特性
該器件無鹵素、無溴化阻燃劑（BFR），并且符合RoHS標準，體現(xiàn)了安森美在環(huán)保方面的考慮。
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域
NDSH25170A適用于多種應(yīng)用場景，包括開關(guān)電源（SMPS）、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）以及功率開關(guān)電路等。在這些應(yīng)用中，它能夠充分發(fā)揮其高性能的優(yōu)勢，提高系統(tǒng)的整體性能。
關(guān)鍵參數(shù)解析
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 條件 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 峰值重復反向電壓（VRRM） | - | 1700 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | (T{J}=25^{circ} C)，(L = 0.5 mH)，(I{AS}=45 A)，(V = 50 V) | 506 mJ | - |
| 連續(xù)整流正向電流（(T_{C}<153^{circ} C)） | - | - | A |
| 連續(xù)整流正向電流（(T_{C}<135^{circ} C)） | - | 35 | A |
| 非重復峰值正向浪涌電流（(T_{C}=25^{circ}C)，(10mu s)） | - | 1435 | A |
| 非重復峰值正向浪涌電流（(T_{C}=150^{circ}C)，(10mu s)） | - | 1428 | A |
| 非重復正向浪涌電流（半正弦脈沖，(t_{p}=8.3 ms)） | - | - | A |
| 重復正向浪涌電流（半正弦脈沖，(t_{p}=8.3 ms)） | - | 66 | A |
| 功率耗散（(T_{C}=25^{circ} C)） | - | 385 | W |
| 功率耗散（(T_{C}=150^{circ}C)） | - | 64 | W |
| 結(jié)溫（(T{J})）和儲存溫度（(T{STG})） | - | -55 to +175 | °C |
需要注意的是，超過這些最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
電氣特性
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{F}) | 正向電壓 | (I{F}=25 A)，(T{J}=25^{circ} C) | - | 1.50 | 1.75 | V |
| (V_{F}) | 正向電壓 | (I{F}=25 A)，(T{J}=125^{circ} C) | - | 1.95 | 2.35 | V |
| (V_{F}) | 正向電壓 | (I{F}=25 A)，(T{J}=175^{circ} C) | - | 2.32 | 2.8 | V |
| (I_{R}) | 反向電流 | (V{R}=1700 V)，(T{J}=25^{circ}C) | - | 0.08 | - | μA |
| (I_{R}) | 反向電流 | (V{R}=1700 V)，(T{J}=125^{circ} C) | - | 0.58 | - | μA |
| (I_{R}) | 反向電流 | (V{R}=1700 V)，(T{J}=175^{circ} C) | - | 4.24 | 100 | μA |
| (Q_{C}) | 總電容電荷 | (V = 800 V) | - | - | - | - |
| (C) | 總電容 | (V_{R}=1 V)，(f = 100 kHz) | - | - | - | pF |
| (C) | 總電容 | (V_{R}=400 V)，(f = 100 kHz) | - | 155 | - | pF |
| (C) | 總電容 | (V_{R}=800 V)，(f = 100 kHz) | - | 109 | - | pF |
這些電氣特性為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)。不過，產(chǎn)品的實際性能可能會因不同的工作條件而有所差異。
封裝與訂購信息
NDSH25170A采用TO - 247 - 2LD封裝，這種封裝具有良好的散熱性能。產(chǎn)品的頂部標記為NDSH25170A，每管裝30個單位。具體的訂購和運輸信息可參考數(shù)據(jù)手冊的第2頁。
總結(jié)
安森美NDSH25170A碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和環(huán)保特性，為功率半導體應(yīng)用提供了一個優(yōu)秀的解決方案。在設(shè)計相關(guān)電路時，工程師們可以充分利用其特點，提高系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度。大家在實際應(yīng)用中，是否遇到過類似碳化硅二極管的應(yīng)用挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
-
功率半導體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1507瀏覽量
45291
發(fā)布評論請先 登錄
評論