安森美1200V、20A碳化硅肖特基二極管NDSH20120C深度解析
安森美1200V、20A碳化硅肖特基二極管NDSH20120C深度解析
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正逐漸嶄露頭角，為電力電子系統(tǒng)帶來(lái)了更高的性能和效率。安森美（onsemi）推出的NDSH20120C碳化硅肖特基二極管，就是這一領(lǐng)域的杰出代表。本文將對(duì)這款二極管進(jìn)行詳細(xì)解析，幫助電子工程師更好地了解其特性和應(yīng)用。
文件下載：NDSH20120C-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
NDSH20120C是一款20A、1200V的碳化硅肖特基二極管，采用TO - 247 - 2L封裝。與傳統(tǒng)的硅二極管相比，碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù)，具有卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。其主要特點(diǎn)包括無(wú)反向恢復(fù)電流、溫度無(wú)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性以及出色的熱性能，這些特性使得碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的首選材料。
二、產(chǎn)品特性
2.1 溫度與雪崩特性
- 高結(jié)溫：最大結(jié)溫可達(dá)175°C，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于對(duì)溫度要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
- 雪崩額定能量：雪崩額定能量為166mJ，保證了在異常情況下的可靠性。
2.2 電流與系數(shù)特性
- 高浪涌電流能力：具備高浪涌電流容量，能夠承受較大的瞬間電流沖擊。
- 正溫度系數(shù)：正溫度系數(shù)特性使得該二極管在并聯(lián)使用時(shí)更加容易，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
2.3 恢復(fù)特性與環(huán)保特性
- 無(wú)反向恢復(fù)和正向恢復(fù)：無(wú)反向恢復(fù)和正向恢復(fù)特性，減少了開(kāi)關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)效率。
- 環(huán)保特性：這些器件無(wú)鹵素、無(wú)溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
3.1 通用領(lǐng)域
適用于通用電源應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源（UPS）等。在這些應(yīng)用中，碳化硅肖特基二極管的高效特性能夠提高系統(tǒng)的整體效率，降低能耗。
3.2 功率開(kāi)關(guān)電路
在功率開(kāi)關(guān)電路中，NDSH20120C能夠提供快速的開(kāi)關(guān)速度和低損耗，有助于提高電路的性能和可靠性。
四、電氣特性
4.1 絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|
| 峰值重復(fù)反向電壓（VRRM） | 1200 | V |
| 單脈沖雪崩能量（EAS） | 166 | mJ |
| 連續(xù)整流正向電流（$T_{C}<149^{circ}C$） | 20 | A |
| 連續(xù)整流正向電流（$T_{C}<135^{circ}C$） | 26 | A |
| 非重復(fù)峰值正向浪涌電流（$T_{C}=25^{circ}C,10mu s$） | 896 | A |
| 非重復(fù)峰值正向浪涌電流（$T_{C}=150^{circ}C,10mu s$） | 854 | A |
| 非重復(fù)正向浪涌電流（半正弦脈沖，$t_{p}=8.3ms$） | 119 | A |
| 重復(fù)正向浪涌電流（半正弦脈沖，$t_{p}=8.3ms$） | 40 | A |
| 功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$） | 214 | W |
| 功率耗散（$T_{C}=150^{circ}C$） | 35 | W |
| 工作和儲(chǔ)存溫度范圍（TJ, TSTG） | -55 to +175 | °C |
4.2 電氣參數(shù)
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向電壓（VF） | $I{F}=20A, T{J}=25^{circ}C$ | - | 1.38 | 1.75 | V |
| 正向電壓（VF） | $I{F}=20A, T{J}=125^{circ}C$ | - | 1.64 | - | V |
| 正向電壓（VF） | $I{F}=20A, T{J}=175^{circ}C$ | - | 1.87 | - | V |
| 反向電流（IR） | $V{R}=1200V,T{J}=25^{circ}C$ | - | 2.06 | 200 | μA |
| 反向電流（IR） | $V{R}=1200V,T{J}=125^{circ}C$ | - | 6.25 | 200 | μA |
| 反向電流（IR） | $V{R}=1200V,T{J}=175^{circ}C$ | - | 15.7 | 200 | μA |
| 總電容電荷（Qc） | V = 800 V | - | 100 | - | nC |
| 總電容（C） | $V_{R}=1V, f = 100kHz$ | - | 1480 | - | pF |
| 總電容（C） | $V_{R}=400V, f = 100kHz$ | - | 82 | - | pF |
| 總電容（C） | $V_{R}=800V, f = 100kHz$ | - | 58 | - | pF |
五、封裝與訂購(gòu)信息
5.1 封裝尺寸
| 該二極管采用TO - 247 - 2LD封裝，詳細(xì)的封裝尺寸如下： | 尺寸 | 最小值（mm） | 標(biāo)稱值（mm） | 最大值（mm） |
|---|---|---|---|---|
| A | 4.58 | 4.70 | 4.82 | |
| A1 | 2.20 | 2.40 | 2.60 | |
| A2 | 1.40 | 1.50 | 1.60 | |
| b | 1.17 | 1.26 | 1.35 | |
| b2 | 1.53 | 1.65 | 1.77 | |
| C | 0.51 | 0.61 | 0.71 | |
| D | 20.32 | 20.57 | 20.82 | |
| D1 | 13.08 | - | - | |
| D2 | 0.51 | 0.93 | 1.35 | |
| E | 15.37 | 15.62 | 15.87 | |
| E1 | 12.81 | - | - | |
| E2 | 4.96 | 5.08 | 5.20 | |
| e | - | 11.12 | - | |
| L | 15.75 | 16.00 | 16.25 | |
| L1 | 3.69 | 3.81 | 3.93 | |
| ?P | 3.51 | 3.58 | 3.65 | |
| ?P1 | 6.60 | 6.80 | 7.00 | |
| Q | 5.34 | 5.46 | 5.58 | |
| S | 5.34 | 5.46 | 5.58 |
5.2 訂購(gòu)信息
| 部件編號(hào) | 頂部標(biāo)記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|
| NDSH20120C | DSH20120C | TO - 247 - 2LD（無(wú)鉛/無(wú)鹵素） | 30 個(gè)/管 |
六、總結(jié)
安森美NDSH20120C碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和豐富的特性，為電子工程師在設(shè)計(jì)高性能電力電子系統(tǒng)時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師們需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，充分考慮二極管的各項(xiàng)參數(shù)和特性，以確保系統(tǒng)的可靠性和高效性。你在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否使用過(guò)類似的碳化硅二極管呢？遇到過(guò)哪些問(wèn)題？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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