2018年9月19日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳華僑城洲際大酒店圓滿結(jié)束。峰會(huì)當(dāng)天來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)、谷歌、慧榮、群聯(lián)、江波龍、雷克沙等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大咖聚首，一起探討3D NAND技術(shù)發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)新契機(jī)，存儲(chǔ)產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用。同時(shí)，除了演講企業(yè)參展，紫光存儲(chǔ)、京東、矽統(tǒng)、點(diǎn)序也攜全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品展出。

此次峰會(huì)的參會(huì)觀眾達(dá)到了1500人，除了本次峰會(huì)的演講企業(yè)和嘉賓，還吸引華為、聯(lián)想、OPPO、VIVO、中興、小米等終端，金士頓、紫光存儲(chǔ)等存儲(chǔ)廠商，騰訊、阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)，以及金融、資本、研究機(jī)構(gòu)等企業(yè)的重要人士參會(huì)。CFMS2018是一場(chǎng)聚焦技術(shù)、市場(chǎng)、創(chuàng)新、應(yīng)用的存儲(chǔ)盛會(huì)，也是一場(chǎng)存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士交流的盛會(huì)。

2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1500億美金，其中NAND Flash將超過570億美金，而中國(guó)消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國(guó)目前已經(jīng)是全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場(chǎng)。目前全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)、制造都還集中在美國(guó)、日本、韓國(guó)，中國(guó)在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也在積極的發(fā)展。以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華為代表的企業(yè)分工發(fā)展，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND也已問世，福建晉華很快開始試產(chǎn)PC DRAM，這將從根本上解決中國(guó)在存儲(chǔ)器芯片長(zhǎng)期高度依賴海外的現(xiàn)狀。

中國(guó)閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒首先就存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)狀況進(jìn)行了介紹，他表示：

目前全球主要的NAND生產(chǎn)廠商包括三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光以及中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)，這些原廠的每一次產(chǎn)能調(diào)整都對(duì)供需有著極為深遠(yuǎn)的影響。目前各企業(yè)都在加大3D NAND投產(chǎn)，積極應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。其中三星除了FAB18這個(gè)大型工廠外，還規(guī)劃西安工廠二期工程，東芝新建Fab 7，美光新建Fab10三期，還有SK海力士M15新工廠。另外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢基地也開始逐步生產(chǎn)，未來(lái)NAND Flash供應(yīng)會(huì)大幅增加。我們預(yù)計(jì)2018年NAND Flash存儲(chǔ)密度預(yù)計(jì)將較2017年增長(zhǎng)42%，達(dá)到2300億Gbyte當(dāng)量，預(yù)計(jì)后續(xù)價(jià)格在新技術(shù)的推動(dòng)下仍將持續(xù)下滑。

技術(shù)方面，今年上半年各個(gè)原廠主要以量產(chǎn)64層為主，下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96或者64層QLC，從目前情況來(lái)看，大規(guī)模的量產(chǎn)將集中在2019年上半年，量產(chǎn)容量基本是256Gb或者512Gb，也有部分原廠采用64層QLC量產(chǎn)1Tb技術(shù)。

NAND的生產(chǎn)工藝每一次提升都使得存儲(chǔ)產(chǎn)品容量提升，目前NAND從2D極限容量128Gb上升到現(xiàn)在64層512層Gb，96層也會(huì)以512Gb作為過渡，技術(shù)成熟以后將量產(chǎn)1Tb 96層NAND。值得一提的是QLC 4b相較于TLC 3b容量更大，所以即使采用64層QLC也會(huì)量產(chǎn)1T的。這個(gè)技術(shù)生產(chǎn)會(huì)推動(dòng)智能手機(jī)很快邁入TB時(shí)代。

從3D技術(shù)角度分析，在2D技術(shù)時(shí)期，一片12英寸的wafer晶圓可以切割出600多顆128Gbit的Die，現(xiàn)在主流的64層3D技術(shù)量產(chǎn)256Gbit就可切出約1000顆，不僅單位容量增長(zhǎng)了一倍，而且切割出的Die量也增長(zhǎng)約6成，3D技術(shù)的快速推進(jìn)將意味著我們可以在更小的設(shè)備上采用更大容量、更高性能以及更低成本的存儲(chǔ)產(chǎn)品。

目前3D NAND已經(jīng)是各個(gè)原廠主要量產(chǎn)產(chǎn)品，三星的3D NAND已經(jīng)占到85%，東芝、西部數(shù)據(jù)是75%、美光是90%，SK、hymix是60%，更大性能、更高存儲(chǔ)量的產(chǎn)品將會(huì)在不久的將來(lái)產(chǎn)生。

供應(yīng)增加了，同樣市場(chǎng)需求也在不斷增長(zhǎng)，以EMMC、UFS為主的嵌入式產(chǎn)品，在2018年消耗全球總產(chǎn)能43%，SSD在消費(fèi)類市場(chǎng)、行業(yè)市場(chǎng)、企業(yè)級(jí)市場(chǎng)也在快速增長(zhǎng)，嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品在2018年合計(jì)消耗超過85%全球總產(chǎn)能，到2019年同樣會(huì)以嵌入式產(chǎn)品和SSD為主。

手機(jī)是嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的主力應(yīng)用市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2018年全球智能手機(jī)出貨量將達(dá)到14.6億部，高端手機(jī)從2013年存儲(chǔ)容量6G、16G上升到512G，部分智能型手機(jī)也逐步向UFS發(fā)展，未來(lái)5G市場(chǎng)推動(dòng)下，相信存儲(chǔ)市場(chǎng)會(huì)迎來(lái)新一輪高增長(zhǎng)點(diǎn)。

預(yù)計(jì)2018年SSD總出貨量有望達(dá)到2億臺(tái)，相比2017年提升了大約22%，在消費(fèi)類市場(chǎng)上我們可以看到價(jià)格也開始下滑，目前240G的SSD產(chǎn)品銷售價(jià)格已經(jīng)低于30美金，這個(gè)價(jià)格大大刺激了市場(chǎng)容量需求。同樣在PC市場(chǎng)因?yàn)槭艿絊SD擠壓，數(shù)據(jù)有明顯下滑，但是在數(shù)據(jù)總量上，不管是SSD或者是HDD都保持較高增長(zhǎng)，這說明市場(chǎng)存儲(chǔ)需求在任何領(lǐng)域都保持著很高的增長(zhǎng)率。

而企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求也在不斷增長(zhǎng)，2018年預(yù)計(jì)企業(yè)級(jí)SSD總出貨量將超過2800萬(wàn)個(gè)，平均容量達(dá)到2T。從這個(gè)數(shù)字可以算出來(lái)，僅僅是企業(yè)級(jí)的SSD就消耗了全球總產(chǎn)能的25%。