onsemi FFSP1065B：碳化硅肖特基二極管的卓越之選
onsemi FFSP1065B：碳化硅肖特基二極管的卓越之選
在電子工程師的設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的功率半導(dǎo)體器件至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一下 onsemi 的 FFSP1065B 碳化硅（SiC）肖特基二極管，看看它有哪些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景。
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碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù)，與傳統(tǒng)的硅二極管相比，具有卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。它沒(méi)有反向恢復(fù)電流，開(kāi)關(guān)特性不受溫度影響，并且具有出色的熱性能，這些特點(diǎn)使得碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的首選材料。使用碳化硅肖特基二極管的系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾（EMI），同時(shí)還能減小系統(tǒng)的尺寸和成本。
FFSP1065B 的特性亮點(diǎn)
溫度與雪崩特性
- 高結(jié)溫能力：FFSP1065B 的最大結(jié)溫可達(dá) 175°C，這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景。
- 雪崩額定能量：其雪崩額定能量為 49 mJ，這一特性使得二極管在承受瞬間高能量沖擊時(shí)能夠保持穩(wěn)定，提高了系統(tǒng)的可靠性。
電流與功率特性
- 高浪涌電流能力：具有高浪涌電流容量，能夠承受較大的瞬間電流沖擊，保證了在電源開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中的穩(wěn)定性。
- 正溫度系數(shù)：正溫度系數(shù)的特性使得多個(gè)二極管并聯(lián)使用時(shí)更加容易，能夠有效避免熱失衡問(wèn)題。
- 無(wú)反向恢復(fù)和正向恢復(fù)：這一特性大大減少了開(kāi)關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)的效率。
環(huán)保特性
該器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑（BFR）的，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求。
應(yīng)用領(lǐng)域
FFSP1065B 適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括通用目的的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）以及功率開(kāi)關(guān)電路等。這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)器件的性能和可靠性要求較高，而 FFSP1065B 的特性正好能夠滿(mǎn)足這些需求。
關(guān)鍵參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 條件 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 峰值重復(fù)反向電壓（VRRM） | (T_{C}=25^{circ}C) | 650 | V |
| 單脈沖雪崩能量（EAS） | 起始 (T{J}=25^{circ}C)，(L = 0.5 mH)，(I{AS}=14 A)，(V = 50 V) | 49 | mJ |
| 連續(xù)整流正向電流（IF） | (T_{C}<139^{circ}C) | 10 | A |
| 連續(xù)整流正向電流（IF） | (T_{C}<135^{circ}C) | 11 | A |
| 非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IF, Max） | (T_{C}=25^{circ}C)，10μs | 650 | A |
| 非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IF, Max） | (T_{C}=150^{circ}C)，10μs | 570 | A |
| 非重復(fù)正向浪涌電流（F. SM） | 半正弦脈沖，(t_{p}=8.3 ms) | 45 | A |
| 功率耗散（Ptot） | (T_{C}=25^{circ}C) | 75 | W |
| 功率耗散（Ptot） | (T_{C}=150^{circ}C) | 12.5 | W |
| 工作和存儲(chǔ)溫度范圍（(T{J},T{STG})） | -55 至 +175 | °C |
熱特性
熱阻（RθJC），即結(jié)到外殼的最大熱阻為 2.0 °C/W，這一參數(shù)反映了器件散熱的能力，較低的熱阻有助于提高器件的散熱效率。
電氣特性
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向電壓（VF） | (I{F}=10 A)，(T{C}=25^{circ}C) | 1.38 | 1.7 | V | |
| 正向電壓（VF） | (I{F}=10 A)，(T{C}=125^{circ}C) | 1.6 | 2.0 | V | |
| 正向電壓（VF） | (I{F}=10 A)，(T{C}=175^{circ}C) | 1.72 | 2.4 | V | |
| 反向電流（R） | (V{R}=650 V)，(T{C}=25^{circ}C) | 0.5 | 40 | μA | |
| 反向電流（R） | (V{R}=650 V)，(T{C}=125^{circ}C) | 1.0 | 80 | μA | |
| 反向電流（R） | (V{R}=650 V)，(T{C}=175^{circ}C) | 2.0 | 160 | μA | |
| 總電容電荷（Qc） | (V = 400 V) | 25 | nC | ||
| 總電容（C） | (V_{R}=1V)，(f = 100 kHz) | 421 | pF | ||
| 總電容（C） | (V_{R}=200 V)，(f = 100 kHz) | 46 | pF | ||
| 總電容（C） | (V_{R}=400 V)，(f = 100 kHz) | 35 | pF |
需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在所列的測(cè)試條件下給出的，如果在不同的條件下運(yùn)行，產(chǎn)品性能可能會(huì)有所不同。
封裝與訂購(gòu)信息
FFSP1065B 采用 TO - 220 - 2L 封裝，包裝方式為管裝，每管 50 個(gè)單位。詳細(xì)的訂購(gòu)和運(yùn)輸信息可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)第 2 頁(yè)的封裝尺寸部分查看。
總結(jié)
FFSP1065B 碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和特性，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。它的高結(jié)溫能力、雪崩額定能量、高浪涌電流能力等特性，使其能夠滿(mǎn)足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。作為電子工程師，在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，不妨考慮這款優(yōu)秀的器件。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似器件的使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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功率半導(dǎo)體
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