onsemi碳化硅肖特基二極管FFSP0865B：新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
onsemi碳化硅肖特基二極管FFSP0865B：新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)正逐漸嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的碳化硅肖特基二極管FFSP0865B，看看它究竟有哪些獨特之處。
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碳化硅技術(shù)優(yōu)勢
與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù)，具有諸多顯著優(yōu)勢。它沒有反向恢復(fù)電流，開關(guān)特性不受溫度影響，并且具備出色的熱性能。這些特性使得碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的理想選擇。從系統(tǒng)層面來看，使用碳化硅器件能夠帶來更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾（EMI），同時還能減小系統(tǒng)尺寸和降低成本。
FFSP0865B的特性亮點
溫度與可靠性
- 高結(jié)溫承受能力：該二極管的最大結(jié)溫可達175°C，這意味著它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于對溫度要求較高的應(yīng)用場景。
- 雪崩額定能量：雪崩額定能量為33 mJ，具備一定的抗雪崩能力，增強了器件的可靠性。
電氣性能
- 正向特性：正向電壓在不同結(jié)溫下表現(xiàn)穩(wěn)定。在$I{F}=8.0 A$，$T{J}=25^{circ}C$時，典型正向電壓為1.39 V；當$T_{J}=175^{circ}C$時，典型正向電壓為1.71 V。
- 反向特性：反向電流隨著結(jié)溫的升高而增加，但整體數(shù)值仍在可控范圍內(nèi)。在$V{R}=650 V$，$T{J}=25^{circ}C$時，典型反向電流為0.073 μA；當$T_{J}=175^{circ}C$時，典型反向電流為0.48 μA。
其他特性
- 高浪涌電流能力：具有較高的浪涌電流容量，能夠承受瞬間的大電流沖擊。
- 正溫度系數(shù)：正溫度系數(shù)使得該二極管在并聯(lián)使用時更加容易，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- 無反向恢復(fù)和正向恢復(fù)：這一特性減少了開關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)的效率。
環(huán)保特性
該器件為無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR）產(chǎn)品，符合RoHS標準，體現(xiàn)了環(huán)保理念。
應(yīng)用領(lǐng)域
FFSP0865B適用于多種應(yīng)用場景，包括通用開關(guān)電源（SMPS）、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）以及功率開關(guān)電路等。在這些應(yīng)用中，它能夠充分發(fā)揮其高效、可靠的特性，為系統(tǒng)提供穩(wěn)定的功率支持。
主要參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 重復(fù)峰值反向電壓 | $V_{RRM}$ | 650 | V |
| 單脈沖雪崩能量（$T{J}=25^{circ}C$，$L{L(pk)}=11.5 A$，$L = 0.5 mH$，$V = 50 V$） | $E_{AS}$ | 33 | mJ |
| 連續(xù)整流正向電流（$T_{C}<147^{circ}C$） | $I_{F}$ | 8.0 | A |
| 連續(xù)整流正向電流（$T_{C}<135^{circ}C$） | $I_{F}$ | 10.1 | A |
| 浪涌電流（$T_{C}=150^{circ}C$） | $I_{FM}$ | 551 | A |
| 非重復(fù)正向浪涌電流（半正弦脈沖，$t_{p}=8.3 ms$） | $I_{FSM}$ | 56 | A |
| 功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$） | $P_{tot}$ | 73 | W |
| 功率耗散（$T_{C}=150^{circ}C$） | $P_{tot}$ | 12 | W |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | $T{J}$，$T{stg}$ | -55 to +175 | °C |
熱特性
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼的熱阻（最大） | $R_{θJC}$ | 2.05 | °C/W |
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向電壓（$I{F}=8.0 A$，$T{J}=25^{circ}C$） | $V_{F}$ | 1.39 | 1.7 | V | ||
| 正向電壓（$I{F}=8.0 A$，$T{J}=125^{circ}C$） | $V_{F}$ | 1.55 | 2.0 | V | ||
| 正向電壓（$I{F}=8.0 A$，$T{J}=175^{circ}C$） | $V_{F}$ | 1.71 | 2.4 | V | ||
| 反向電流（$V{R}=650 V$，$T{J}=25^{circ}C$） | $I_{R}$ | 0.073 | 40 | μA | ||
| 反向電流（$V{R}=650 V$，$T{J}=125^{circ}C$） | $I_{R}$ | 0.24 | 80 | μA | ||
| 反向電流（$V{R}=650 V$，$T{J}=175^{circ}C$） | $I_{R}$ | 0.48 | 160 | μA |
電荷、電容和柵極電阻
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 總電容電荷 | $Q_{C}$ | $V_{C}=400 V$ | 22 | nC | ||
| 總電容（$V_{R}=1 V$，$f = 100 kHz$） | $C_{tot}$ | 336 | pF | |||
| 總電容（$V_{R}=200 V$，$f = 100 kHz$） | $C_{tot}$ | 39 | pF | |||
| 總電容（$V_{R}=400 V$，$f = 100 kHz$） | $C_{tot}$ | 30 | pF |
封裝與訂購信息
FFSP0865B采用TO - 220 - 2L封裝，包裝方式為管裝，每管數(shù)量為50個。對于有特定要求的用戶，關(guān)于編帶和卷盤的規(guī)格信息可以參考安森美的編帶和卷盤包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。
總結(jié)
安森美碳化硅肖特基二極管FFSP0865B憑借其先進的碳化硅技術(shù)、卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的功率半導(dǎo)體解決方案。在實際設(shè)計中，工程師們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇該器件，以實現(xiàn)系統(tǒng)的高效、可靠運行。大家在使用過程中是否遇到過類似器件的選型難題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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