onsemi FFSM0865B碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正憑借其卓越的性能逐漸嶄露頭角。今天,我們就來(lái)深入了解一下安森美(onsemi)推出的FFSM0865B碳化硅肖特基二極管,看看它究竟有哪些獨(dú)特的魅力。
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碳化硅技術(shù)優(yōu)勢(shì)
碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù),與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,具有顯著的優(yōu)勢(shì)。它沒(méi)有反向恢復(fù)電流,開(kāi)關(guān)特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些特點(diǎn)使得碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的理想選擇。從系統(tǒng)層面來(lái)看,使用碳化硅肖特基二極管可以實(shí)現(xiàn)更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾(EMI),同時(shí)還能減小系統(tǒng)的尺寸和成本。
FFSM0865B的特性亮點(diǎn)
溫度與雪崩特性
- 高結(jié)溫:FFSM0865B的最大結(jié)溫可達(dá)175°C,這使得它能夠在較為惡劣的環(huán)境下穩(wěn)定工作。
- 雪崩額定能量:具有33 mJ的雪崩額定能量,能夠承受一定的能量沖擊,提高了器件的可靠性。
電流與溫度特性
- 高浪涌電流能力:具備高浪涌電流容量,能夠應(yīng)對(duì)瞬間的大電流沖擊。
- 正溫度系數(shù):正溫度系數(shù)使得該二極管在并聯(lián)使用時(shí)更加容易,并且能夠自動(dòng)平衡電流,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
開(kāi)關(guān)特性
- 無(wú)反向恢復(fù)和正向恢復(fù):這一特性使得二極管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中能夠減少能量損耗,提高效率。
環(huán)保特性
該器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑(BFR)的,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了環(huán)保理念。
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
FFSM0865B適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括通用目的、開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)以及功率開(kāi)關(guān)電路等。在這些應(yīng)用中,它能夠充分發(fā)揮其高性能的優(yōu)勢(shì),為系統(tǒng)提供可靠的支持。
關(guān)鍵參數(shù)解析
最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 重復(fù)峰值反向電壓 | VRRM | 650 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 33 | mJ |
| 連續(xù)整流正向電流(TC < 153°C) | IF | 8.0 | A |
| 連續(xù)整流正向電流(TC < 135°C) | IF | 11.6 | A |
| 非重復(fù)峰值正向浪涌電流(tP = 10 s,TC = 25°C) | IFM | 490 | A |
| 非重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,tP = 8.3 ms,TC = 25°C) | IFSM | 42 | A |
| 功率耗散(TC = 25°C) | Ptot | 91 | W |
| 功率耗散(TC = 150°C) | Ptot | 15 | W |
| 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ, Tstg | -55 to +175 | °C |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
電氣特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向電壓 | IF = 8.0 A, TJ = 25°C | 1.39 | - | 1.55 | V |
| VF | 正向電壓 | IF = 8.0 A, TJ = 125°C | - | 1.7 | - | V |
| VF | 正向電壓 | IF = 8.0 A, TJ = 150°C | - | 1.67 | - | V |
| IR | 反向電流 | VR = 650 V, TJ = 25°C | 0.5 | - | - | μA |
| IR | 反向電流 | VR = 650 V, TJ = 125°C | 1.0 | - | 40 | μA |
| IR | 反向電流 | VR = 650 V, TJ = 175°C | 2.0 | - | 80 | μA |
| Q | 總電容電荷 | VC = 400 V | - | 22 | - | nC |
| Ctot | 總電容 | VR = 1 V, f = 100 kHz | - | 336 | - | pF |
| Ctot | 總電容 | VR = 200 V, f = 100 kHz | - | 39 | - | pF |
| Ctot | 總電容 | VR = 400 V, f = 100 kHz | - | 30 | - | pF |
這些電氣特性是在特定測(cè)試條件下得出的,實(shí)際應(yīng)用中,如果工作條件不同,產(chǎn)品性能可能會(huì)有所差異。
封裝與訂購(gòu)信息
FFSM0865B采用PQFN4 8X8, 2P (Power88)封裝,并且是無(wú)鹵素的。包裝方式為卷帶包裝,每卷包含3000個(gè)器件。如果你需要了解卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可以參考安森美的卷帶包裝規(guī)格手冊(cè)BRD8011/D。
總結(jié)
安森美FFSM0865B碳化硅肖特基二極管憑借其先進(jìn)的碳化硅技術(shù)、出色的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師在功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求和工作條件,合理選擇和使用該器件,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。你在使用碳化硅肖特基二極管時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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功率半導(dǎo)體
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