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AI 服務(wù)器電源:現(xiàn)狀剖析與未來(lái)展望

深圳市日?qǐng)D科技有限公司 ? 2026-05-07 11:20 ? 次閱讀
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AI 技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,AI 服務(wù)器作為算力的核心支撐,其電源系統(tǒng)的重要性愈發(fā)凸顯。它不僅是服務(wù)器穩(wěn)定運(yùn)行的動(dòng)力源泉,更是推動(dòng) AI 技術(shù)不斷突破的關(guān)鍵因素。

AI 服務(wù)器電源的現(xiàn)狀

市場(chǎng)需求爆發(fā)

隨著 AI 模型復(fù)雜度和計(jì)算量的持續(xù)增加,服務(wù)器需要處理的數(shù)據(jù)量和執(zhí)行的運(yùn)算任務(wù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。以英偉達(dá) H100、H200 GPU 為例,其功耗從以往的水平大幅提升,最新的 GB300 更是達(dá)到了 2700W。單芯片功耗的提升對(duì)供電系統(tǒng)提出了更高要求,這使得 AI 服務(wù)器電源的市場(chǎng)需求急劇增長(zhǎng)。據(jù)預(yù)測(cè),AI 服務(wù)器電源是下一個(gè)千億元市場(chǎng),核心受益環(huán)節(jié)集中在 PSU、PDU、BBU 及 DC - DC 等器件。

技術(shù)挑戰(zhàn)凸顯

傳統(tǒng)服務(wù)器時(shí)代,電源并非核心矛盾,一顆 CPU 或 GPU 功耗大約在 200W - 400W,供電網(wǎng)絡(luò)能夠輕松承載。然而,AI 時(shí)代改變了這一局面。新一代 AI 芯片功耗迅速提升,AI GPU / ASIC 功耗達(dá)到 800W - 1200W,核心電壓約 0.8V,電流需求高達(dá) 500A - 1000A,呈現(xiàn)出低電壓 + 超大電流的極端情況。在傳統(tǒng)供電網(wǎng)絡(luò)中,大電流通過(guò) PCB 走線(xiàn)橫向傳輸,電阻損耗會(huì)迅速增加,甚至可能占到芯片功耗的 20%以上,能源在供電路徑上就已大量損失。

架構(gòu)升級(jí)進(jìn)行時(shí)

為應(yīng)對(duì)算力功耗爆炸,數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)正在經(jīng)歷重要升級(jí)。一是供電電壓從 12V 升級(jí)到 48V,傳統(tǒng) 12V 架構(gòu)隨著功率密度提升,會(huì)出現(xiàn)線(xiàn)路損耗增加、發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題,而 48V 架構(gòu)在相同功率下電流明顯降低,能有效減少線(xiàn)路損耗,已成為 AI 服務(wù)器供電的重要趨勢(shì);二是供電方式從橫向變?yōu)榇怪?,傳統(tǒng)服務(wù)器電流在電路板上橫向傳輸,而新一代 AI 服務(wù)器采用垂直供電,即 GPU 在板上方、電源模塊在板下方,電流通過(guò)垂直互連結(jié)構(gòu)直接輸送到芯片,這種方式可支持 1000A 電流供給。

測(cè)試難度加大

AI 服務(wù)器電源架構(gòu)的升級(jí),如從傳統(tǒng) 48V 平臺(tái)轉(zhuǎn)向正負(fù) 400V HVDC(高壓直流),并逐步向 800V 高壓平臺(tái)演進(jìn),對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更苛刻的要求。包括超高電壓輸入測(cè)試(正負(fù) 400V/800V)、納秒級(jí)動(dòng)態(tài)響應(yīng)(電流斜率最高需達(dá) 80A/μs)、兆瓦級(jí)功率帶載(瞬時(shí)功率可達(dá) 1.44 兆瓦)、超低電壓精度驗(yàn)證(低至 0.4V/1200A)等。

AI 服務(wù)器電源的未來(lái)

架構(gòu)持續(xù)變革

800V HVDC 架構(gòu)將成為行業(yè)主流,預(yù)計(jì) 2026 下半年 - 2027 年實(shí)現(xiàn)規(guī)?;逃谩_@一架構(gòu)升級(jí)將推動(dòng)電源相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格與銷(xiāo)量同步提升,高壓/大功率密度 PSU 規(guī)格升級(jí),AC/DC 電源 ASP 從 5.5KW PSU 單顆 800 美金提升至 30KW PSU 單顆 9000 美金,漲幅超 10 倍;同時(shí),HVDC 架構(gòu)引入獨(dú)立電源柜,帶動(dòng) BBU、超級(jí)電容、PowerRack、CDU 等配套產(chǎn)品出貨量大幅增加。

技術(shù)創(chuàng)新不斷

提前布局 SiC/GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體在電源產(chǎn)品中的應(yīng)用將成為趨勢(shì)。800V HVDC 高壓架構(gòu)對(duì)電源效率(≥97%)有嚴(yán)苛要求,使得 SiC/GaN 成為高功率電源的標(biāo)配器件,其開(kāi)關(guān)損耗較硅器件低 70%。企業(yè)在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用上的技術(shù)儲(chǔ)備,能夠快速適配英偉達(dá) Rubin/Feynman 架構(gòu)的電源技術(shù)要求,避免因器件技術(shù)迭代出現(xiàn)供應(yīng)鏈掉隊(duì)風(fēng)險(xiǎn)。

智能化管理提升

現(xiàn)代 AI 服務(wù)器電源將支持 PMBus 等數(shù)字接口,可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控、故障預(yù)測(cè)和能效優(yōu)化,提升數(shù)據(jù)中心的運(yùn)維效率。通過(guò)智能化管理,能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電源的運(yùn)行狀態(tài),及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在問(wèn)題并進(jìn)行處理,確保服務(wù)器的穩(wěn)定運(yùn)行。

測(cè)試技術(shù)超前

隨著行業(yè)向 800V 時(shí)代邁進(jìn),測(cè)試技術(shù)必須超前布局。如費(fèi)思泰克已提前部署 800V 鋰電池備電系統(tǒng)測(cè)試方案、長(zhǎng)距離傳輸能效驗(yàn)證工具、多遠(yuǎn)程接口集成控制架構(gòu)等,以滿(mǎn)足未來(lái) AI 服務(wù)器電源測(cè)試的需求。AI 服務(wù)器電源正處于快速發(fā)展和變革的階段,市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)、技術(shù)的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新、架構(gòu)的升級(jí)以及測(cè)試技術(shù)的跟進(jìn),都將共同推動(dòng) AI 服務(wù)器電源行業(yè)邁向新的高度。

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