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0.1 GHz to 40 GHz數(shù)字衰減器芯片ADH939S技術(shù)解析

h1654155282.3538 ? 2026-05-07 15:30 ? 次閱讀
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0.1 GHz to 40 GHz數(shù)字衰減器芯片ADH939S技術(shù)解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,數(shù)字衰減器芯片是實(shí)現(xiàn)信號(hào)強(qiáng)度精確控制的關(guān)鍵組件。今天,我們來深入了解一款高性能的數(shù)字衰減器芯片——ADH939S,它在0.1 GHz到40 GHz的寬頻范圍內(nèi)展現(xiàn)出卓越的性能,適用于各種對(duì)信號(hào)衰減有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:ADH939S.pdf

1. 規(guī)格概述

ADH939S是一款專為空間應(yīng)用設(shè)計(jì)的數(shù)字衰減器芯片,遵循MIL - PRF - 38534 class K標(biāo)準(zhǔn),但有部分修改。其制造流程在《SPACE DIE BROCHURE》中有詳細(xì)說明,本規(guī)格書主要針對(duì)空間級(jí)版本,商業(yè)級(jí)產(chǎn)品的詳細(xì)操作說明和完整數(shù)據(jù)手冊(cè)可在https://www.analog.com/hmc939查詢。

2. 產(chǎn)品型號(hào)與描述

產(chǎn)品型號(hào)為ADH939 - 000C,是一款工作在0.1 GHz到40 GHz頻率范圍的GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器芯片,最小步進(jìn)為1.0 dB。

3. 芯片信息

3.1 芯片尺寸

芯片尺寸為90.2 mils x 37.4 mils,厚度為4 mils,鍵合焊盤和背面金屬化材料為Au。

3.2 芯片引腳圖

芯片引腳包括RF1、Vss、P0 - P4、Vdd、RF2等,芯片底部為GND。

3.3 引腳描述

引腳編號(hào) 功能 描述 接口原理圖
芯片底部 GND 芯片底部必須連接到RF地
1, 9 RF1, RF2 該引腳為直流耦合,匹配50歐姆。若RF線電位不為0 V,則需要隔直電容
2 Vss 負(fù)偏置 -5 V
3 - 7 P0 - P4 具體功能參考真值表(表IV)和控制電壓表(表V)
8 Vdd 正偏置 +5 V

4. 規(guī)格參數(shù)

4.1 絕對(duì)最大額定值

  • 存儲(chǔ)溫度范圍: -65°C到 +150°C
  • 靜電放電:Class 1A通過250 V

4.2 標(biāo)稱工作性能特性

所有規(guī)格參數(shù)在TA = 25°C、Vdd = 5 V、Vss = -5 V和P0 - P4 = 0 / +5 V條件下適用,除非另有說明。

5. 芯片鑒定

遵循MIL - PRF - 38534 class - K版本附錄C表C - II的要求,但有部分修改:

  • 芯片鑒定前需要進(jìn)行預(yù)篩選測(cè)試,以去除所有與組裝相關(guān)的次品。
  • 不進(jìn)行機(jī)械沖擊或恒定加速度測(cè)試。
  • 中間和老化后的電氣測(cè)試僅在 +25°C下進(jìn)行靜態(tài)測(cè)試。

6. 芯片電氣特性

6.1 芯片電氣特性表(表I)

參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 最大值 單位
插入損耗 IL 2 GHz & 8 GHz 5 dB
26 GHz 7.5 dB
衰減精度(1 - 15 dB狀態(tài)) AA ± ( 0.5 + 5 % of Atten. Setting) Max dB
衰減精度(16 - 31 dB狀態(tài)) AA ± ( 0.6 + 6 % of Atten. Setting) Max dB
Vdd電源電流 Idd 2 6 mA
Vss電源電流 Iss -7 -3 mA

6.2 鑒定樣品電氣特性表(表II)

在不同溫度和頻率條件下,對(duì)插入損耗、衰減精度、回波損耗、電源電流等參數(shù)有詳細(xì)的限制要求。

6.3 老化/壽命測(cè)試增量限制表(表III)

老化240小時(shí)和壽命測(cè)試1000小時(shí)后的電氣參數(shù)變化限制,如插入損耗變化± 1 dB,Vdd和Vss電源電流變化± 10%。

6.4 真值表(表IV)

通過P0 - P4的不同電平組合,可以實(shí)現(xiàn)不同的衰減狀態(tài),任意組合狀態(tài)的衰減近似等于所選位的衰減之和。

6.5 控制電壓表(表V)

低電平狀態(tài)為0 V到0.8 V(1 μA),高電平狀態(tài)為2 V到5 V(1 μA)。

7. 芯片外形

詳細(xì)說明了芯片引腳的尺寸和金屬化材料,芯片厚度為0.004英寸,典型鍵合焊盤為0.003英寸正方形,背面金屬化材料為金且為接地。

8. 應(yīng)用注意事項(xiàng)

8.1 組裝方式

芯片應(yīng)通過共晶或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂直接連接到接地平面。推薦使用0.127 mm(5 mil)厚的氧化鋁薄膜基板上的50 Ω微帶傳輸線來連接芯片的RF信號(hào)。若使用0.254 mm(10 mil)厚的氧化鋁薄膜基板,芯片應(yīng)抬高0.15 mm(6 mil),使芯片表面與基板表面共面。

8.2 間距要求

微帶基板應(yīng)盡可能靠近芯片,以最小化鍵合線長(zhǎng)度,典型的芯片到基板間距為0.076 mm到0.152 mm(3到6 mils)。

9. 封裝信息

標(biāo)準(zhǔn)封裝為GP - 2(凝膠封裝),如有其他封裝需求,可聯(lián)系Analog Devices Inc。

總結(jié)

ADH939S數(shù)字衰減器芯片憑借其寬頻范圍、精確的衰減控制和嚴(yán)格的鑒定標(biāo)準(zhǔn),為空間應(yīng)用和其他對(duì)信號(hào)衰減要求較高的領(lǐng)域提供了可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和性能要求,合理選擇芯片的工作條件和組裝方式,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。你在使用類似數(shù)字衰減器芯片時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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