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安森美1700V碳化硅MOSFET:NTBG028N170M1深度解析

lhl545545 ? 2026-05-08 15:55 ? 次閱讀
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安森美1700V碳化硅MOSFET:NTBG028N170M1深度解析

電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。安森美(onsemi)推出的NTBG028N170M1碳化硅MOSFET,以其出色的參數(shù)和特性,為工程師們提供了一個強大的解決方案。今天,我們就來深入剖析這款產(chǎn)品。

文件下載:NTBG028N170M1-D.PDF

產(chǎn)品特性亮點

低導(dǎo)通電阻

典型的導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)}) 為28 mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的功率損耗較低,能夠有效提高系統(tǒng)的效率,減少發(fā)熱。這對于需要長時間穩(wěn)定運行的設(shè)備來說至關(guān)重要,比如UPS和DC - DC轉(zhuǎn)換器等。

超低柵極電荷

典型的總柵極電荷 (QG_{(tot)}) 為222 nC,低柵極電荷使得器件在開關(guān)過程中所需的驅(qū)動能量減少,從而降低了驅(qū)動電路的功耗,提高了開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗。

低有效輸出電容

典型的輸出電容 (C_{oss}) 為200 pF,低輸出電容有助于減少開關(guān)過程中的能量損耗,提高開關(guān)頻率,使系統(tǒng)能夠在更高的頻率下穩(wěn)定運行。

雪崩測試認(rèn)證

該器件經(jīng)過100%雪崩測試,這意味著它在面對電壓尖峰和浪涌時具有更高的可靠性和穩(wěn)定性,能夠有效保護(hù)系統(tǒng)免受損壞。

RoHS合規(guī)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),表明該產(chǎn)品在環(huán)保方面符合國際要求,有助于工程師設(shè)計出更環(huán)保的產(chǎn)品。

典型應(yīng)用場景

UPS(不間斷電源

在UPS系統(tǒng)中,NTBG028N170M1的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗能夠提高UPS的效率,延長電池的使用壽命,同時其高可靠性和穩(wěn)定性能夠確保在市電中斷時為負(fù)載提供穩(wěn)定的電力。

DC - DC轉(zhuǎn)換器

DC - DC轉(zhuǎn)換器需要高效、快速的開關(guān)器件來實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。NTBG028N170M1的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性使其非常適合用于DC - DC轉(zhuǎn)換器,能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少發(fā)熱。

升壓轉(zhuǎn)換器

升壓轉(zhuǎn)換器需要能夠承受高電壓和大電流的器件。NTBG028N170M1的1700V耐壓和大電流處理能力使其成為升壓轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

最大額定值

參數(shù) 符號 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 1700 V
柵源電壓 (V_{GS}) -15/+25 V
推薦柵源電壓((T_C < 175^{circ}C)) (V_{GSop}) -5/+20 V
穩(wěn)態(tài)連續(xù)漏極電流((T_C = 25^{circ}C)) (I_D) 71 A
穩(wěn)態(tài)連續(xù)漏極電流((T_C = 100^{circ}C)) (I_D) 53 A
脈沖漏極電流((T_A = 25^{circ}C)) (I_{DM}) 195 A
工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 (TJ, T{stg}) -55 to +175 (^{circ}C)
源極電流(體二極管 (I_S) 99 A
單脈沖漏源雪崩能量((I_{L(pk)} = 30 A, L = 1 mH)) (E_{AS}) 450 mJ
焊接時最大引腳溫度(距外殼1/8英寸,5秒) (T_L) 300 (^{circ}C)

需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

電氣特性

  • 關(guān)斷特性:漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0 V, ID = 1 mA) 時為1700V,零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 在 (T_J = 175^{circ}C) 時最大為100 μA。
  • 導(dǎo)通特性:柵極閾值電壓 (V{GS(TH)}) 在 (V{GS} = V_{DS}, ID = 20 mA) 時為1.8 - 4.3V,推薦柵極電壓 (V{GOP}) 為 +20V,漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=20 V, I_D = 60 A, T_J = 25^{circ}C) 時最大為40 mΩ,在 (T_J = 175^{circ}C) 時為57 mΩ。
  • 開關(guān)特性:開通延遲時間和上升時間在 (V{GS} = -5/20 V, V{DS} = 1200 V, RG = 2Ω) 條件下分別為18 ns和121 ns,開通損耗 (E{ON}) 為1311 μJ,關(guān)斷開關(guān)損耗為683 μJ,總開關(guān)損耗 (E_{tot}) 為1994 μJ。

封裝與訂購信息

該器件采用D2PAK - 7L封裝,每盤800個,采用帶盤包裝。對于帶盤規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure,BRD8011/D。

總結(jié)

安森美NTBG028N170M1碳化硅MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷、低有效輸出電容等特性,在UPS、DC - DC轉(zhuǎn)換器和升壓轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。其豐富的參數(shù)和可靠的性能為工程師們提供了一個強大而穩(wěn)定的解決方案。在實際設(shè)計中,工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇和使用該器件,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。大家在使用這款器件的過程中,有沒有遇到什么有趣的問題或者獨特的應(yīng)用案例呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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