安森美（onsemi）1200V碳化硅MOSFET NTHL070N120M3S深度解析

在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入了解安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTHL070N120M3S。

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產品特性

低導通電阻與低柵極電荷

NTHL070N120M3S在(V{GS}=18V)的典型條件下，導通電阻(R{DS(on)})僅為65mΩ。同時，其超低的柵極總電荷(Q_{G(tot)})為57nC，這使得在開關過程中所需的驅動能量大大降低，有助于提高系統(tǒng)的效率。

高速開關與低電容

該器件具有低電容特性，輸出電容(C_{oss})為57pF，這使得它能夠實現高速開關，減少開關損耗，提高系統(tǒng)的工作頻率。在實際應用中，高速開關能力可以幫助縮小磁性元件的尺寸，降低系統(tǒng)成本。

雪崩測試與環(huán)保特性

NTHL070N120M3S經過100%雪崩測試，具有良好的可靠性。同時，它是無鹵產品，符合RoHS標準（豁免7a），并且在二級互連（2LI）上采用無鉛工藝，滿足環(huán)保要求。

典型應用

NTHL070N120M3S適用于多種應用場景，包括太陽能逆變器、電動汽車充電站、不間斷電源（UPS）、儲能系統(tǒng)以及開關模式電源（SMPS）等。這些應用都對功率器件的性能和可靠性有較高要求，而該器件憑借其出色的特性能夠很好地滿足這些需求。

最大額定值

電壓與電流額定值

該器件的漏源電壓(V{DSS})最大為1200V，柵源電壓(V{GS})范圍為 -10V 至 +22V。在不同的溫度條件下，連續(xù)漏極電流和功率耗散有所不同。例如，在(T{C}=25^{circ}C)的穩(wěn)態(tài)下，連續(xù)漏極電流(I{D})為34A，功率耗散(P{D})為160W；而在(T{C}=100^{circ}C)時，連續(xù)漏極電流(I{D})降為24A，功率耗散(P{D})為80W。此外，脈沖漏極電流(I{DM})在(T{C}=25^{circ}C)時可達98A。

溫度與雪崩能量額定值

其工作結溫和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +175°C，具有較寬的溫度適應能力。單脈沖漏源雪崩能量(E{AS})為91mJ（基于起始結溫(T{J}=25^{circ}C)，(L = 1mH)，(I{AS}=13.5A)，(V{DD}=100V)，(V_{GS}=18V)）。

電氣特性

關態(tài)特性

漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)時為1200V，其溫度系數為 -0.3V/°C。零柵壓漏電流(I{DSS})在(V{DS}=1200V)，(T{J}=25^{circ}C)時為100μA，柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}= +22V)或 -10V，(V_{DS}=0V)時為 ±1μA。

開態(tài)特性

導通狀態(tài)下，相關參數也有明確的指標，例如某些條件下的電壓值等。

電荷、電容與柵極電阻

器件的電容、電荷等參數也有特定的數值，如輸出電容(C_{oss})為57pF等，這些參數對于理解器件的開關特性和驅動要求非常重要。

開關特性

在開關過程中，涉及到開關損耗等參數。例如，在感性負載條件下，有特定的開關損耗指標。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、導通電阻隨溫度的變化、導通電阻與柵源電壓的關系、傳輸特性、開關損耗與漏極電流、漏源電壓、柵極電阻以及溫度的關系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現，從而進行合理的設計。

機械封裝

NTHL070N120M3S采用TO - 247 - 3L封裝，文檔詳細給出了該封裝的尺寸信息，包括各個尺寸的最小值、標稱值和最大值等。同時，還提供了標記圖和訂購信息，方便工程師進行產品選型和采購。

總結

安森美（onsemi）的NTHL070N120M3S碳化硅MOSFET以其低導通電阻、低柵極電荷、高速開關等特性，在多個應用領域具有廣闊的應用前景。工程師在設計過程中，需要根據具體的應用需求，結合器件的各項參數和特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實現系統(tǒng)的高性能和可靠性。大家在實際應用中是否遇到過類似器件的選型和設計問題呢？歡迎交流分享。