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低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)從理論到實測的熱性能評估詳解;

愛在七夕時 ? 來源:愛在七夕時 ? 作者:愛在七夕時 ? 2026-05-09 08:46 ? 次閱讀
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【博主簡介】本人“愛在七夕時”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言:真知不問出處,所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)!

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在汽車行業(yè)中,車規(guī)級電池供電設(shè)備(如車載通信終端、信息娛樂系統(tǒng)及車載筆記本電腦等)對小型封裝線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生了強(qiáng)勁需求。這類設(shè)備需在復(fù)雜的車載電源環(huán)境下穩(wěn)定工作,而線性穩(wěn)壓器憑借其低噪聲、高精度的穩(wěn)壓特性,能夠有效濾除車載電源中的紋波與干擾,為車規(guī)級設(shè)備提供可靠供電。特別是低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),它具備成本低、電源質(zhì)量高的優(yōu)勢,在當(dāng)前市場上更受青睞。所以,本章節(jié)主要跟大家分享的就是關(guān)于低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的相關(guān)內(nèi)容,希望有興趣的朋友可以一起討論。

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一、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的介紹

低壓差線性穩(wěn)壓器,英文全稱:Low Dropout Linear Regulator,常見全稱為Low Dropout Regulator,簡稱:LDO。這是相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V,否則就不能正常工作。但是在一些情況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5V轉(zhuǎn)3.3V,輸入與輸出之間的壓差只有1.7v,顯然這是不滿足傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的工作條件的。針對這種情況,芯片制造商們才研發(fā)出了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)類的電壓轉(zhuǎn)換芯片。

其中的:

1、低壓差(Low Dropout):是指輸入電壓-輸出電壓的值比較低;

2、線性(Linear):是指處于線性工作狀態(tài),其內(nèi)部的功率管工作在線性區(qū)(相當(dāng)于一個可變電阻)。

3、穩(wěn)壓器(Regulator):是指在正常的VIN范圍內(nèi),輸出VOUT都穩(wěn)定在一個固定值,這個固定值就是我們想要的電壓值。

4、工作條件:Vin >= Vdrop + Vout,且一般需要兩個外接電容:Cin、Cout,一般采用鉭電容MLCC。

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二、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本工作原理

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本原理是通過在輸入電壓和輸出電壓之間串聯(lián)一個可控的導(dǎo)通電阻(通常是PMOS或NMOS晶體管),利用負(fù)反饋環(huán)路調(diào)整導(dǎo)通電阻的降壓值,從而使輸出電壓保持穩(wěn)定。當(dāng)輸入電壓變化或負(fù)載電流變化時,反饋環(huán)路會自動調(diào)整導(dǎo)通電阻的阻值,以維持輸出電壓的恒定。這種工作方式使得低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)能夠提供非常干凈、無開關(guān)紋波的輸出電壓,這對于敏感的模擬電路、射頻電路和精密測量電路來說至關(guān)重要。從本質(zhì)上講,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的工作原理與使用分立三極管搭建的恒壓恒流電路一脈相承,都是基于負(fù)反饋控制環(huán)路來實現(xiàn)電壓或電流的穩(wěn)定輸出。

用一個具體案例來說明一下吧:

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本電路如下圖所示,該電路由串聯(lián)調(diào)整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成:

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通過對上圖的理解,穩(wěn)壓管為運(yùn)放反向端提供穩(wěn)定的參考電壓Uref, 輸出端通過R2的分壓提供運(yùn)放同相端的電壓。當(dāng)輸出電壓過高時,同相端電壓值大于反向端參考,輸出為正值,因此三極管截止,Uout下降。當(dāng)輸出電壓Uout過低時,同相端電壓值小于反向端參考,輸出為負(fù)值,因此三極管導(dǎo)通,Uout上升。因此,穩(wěn)壓電路就是通過這種機(jī)制不斷調(diào)節(jié)輸出電壓,使其保持穩(wěn)定。

取樣電壓加在比較器A的同相輸入端,與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較,兩者的差值經(jīng)放大器A放大后,控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降,從而穩(wěn)定輸出電壓。當(dāng)輸出電壓Uout降低時,基準(zhǔn)電壓與取樣電壓的差值增加,比較放大器輸出的驅(qū)動電流增加,串聯(lián)調(diào)整管壓降減小,從而使輸出電壓升高。相反,若輸出電壓 Uout超過所需要的設(shè)定值,比較放大器輸出的前驅(qū)動電流減小,從而使輸出電壓降低。

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運(yùn)放負(fù)端提供穩(wěn)定的電壓,運(yùn)放正端通過輸出電壓由電阻網(wǎng)絡(luò)分壓得到。但輸出電壓高時,運(yùn)放正端電壓也高,比負(fù)端值大,運(yùn)放輸出為正,MOS管截止,OUT輸出降低;當(dāng)輸出電壓低時,運(yùn)放正端電壓也低,比負(fù)端值小,運(yùn)放輸出為負(fù),MOS管導(dǎo)通,OUT輸出升高。穩(wěn)壓芯片就是通過這種機(jī)制不斷調(diào)整輸出電壓,使其穩(wěn)定的。

應(yīng)當(dāng)說明的是:實際的線性穩(wěn)壓器還應(yīng)當(dāng)具有許多其它的功能,比如負(fù)載短路保護(hù)、過壓關(guān)斷、過熱關(guān)斷、反接保護(hù)等,而且串聯(lián)調(diào)整管也可以采用MOSFET

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三、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的主要參數(shù)

1、輸出電壓(Output Voltage)

輸出電壓是低壓差線性穩(wěn)壓器最重要的參數(shù),也是電子設(shè)備設(shè)計者選用穩(wěn)壓器時首先應(yīng)考慮的參數(shù)。低壓差線性穩(wěn)壓器有固定輸出電壓和可調(diào)輸出電壓兩種類型。固定輸出電壓穩(wěn)壓器使用比較方便,而且由于輸出電壓是經(jīng)過廠家精密調(diào)整的,所以穩(wěn)壓器精度很高。但是其設(shè)定的輸出電壓數(shù)值均為常用電壓值,不可能滿足所有的應(yīng)用要求,但是外接元件數(shù)值的變化將影響穩(wěn)定精度。

2、最大輸出電流(Maximum Output Current)

用電設(shè)備的功率不同,要求穩(wěn)壓器輸出的最大電流也不相同。通常,輸出電流越大的穩(wěn)壓器成本越高。為了降低成本,在多只穩(wěn)壓器組成的供電系統(tǒng)中,應(yīng)根據(jù)各部分所需的電流值選擇適當(dāng)?shù)姆€(wěn)壓器。

3、輸入輸出電壓差(Dropout Voltage)

輸入輸出電壓差是低壓差線性穩(wěn)壓器最重要的參數(shù)。在保證輸出電壓穩(wěn)定的條件下,該電壓壓差越低,線性穩(wěn)壓器的性能就越好。比如,5.0V的低壓差線性穩(wěn)壓器,只要輸入5.5V電壓,就能使輸出電壓穩(wěn)定在5.0V。

4、接地電流(Ground Pin Current)

接地電路IGND是指串聯(lián)調(diào)整管輸出電流為零時,輸入電源提供的穩(wěn)壓器工作電流。該電流有時也稱為靜態(tài)電流,但是采用PNP晶體管作串聯(lián)調(diào)整管元件時,這種習(xí)慣叫法是不正確的。通常較理想的低壓差穩(wěn)壓器的接地電流很小。

5、負(fù)載調(diào)整率(Load Regulation)

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的負(fù)載調(diào)整率越小,說明低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)抑制負(fù)載干擾的能力越強(qiáng)。

6、線性調(diào)整率(Line Regulation)

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的線性調(diào)整率越小,輸入電壓變化對輸出電壓影響越小,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的性能越好。

7、電源抑制比(PSSR)

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的輸入源往往許多干擾信號存在。PSRR反映了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)對于這些干擾信號的抑制能力。

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四、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的熱性能評估

上述講到低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)受市場青睞,但同時也會帶來功耗與發(fā)熱問題。在高輸入輸出壓差、大負(fù)載的應(yīng)用場景中,該問題會進(jìn)一步加劇,進(jìn)而影響 低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的工作穩(wěn)定性與使用壽命。因此,合理的評估低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的熱性能至關(guān)重要。所以,無論是從理論還是到實測,以下三個方面足以囊括低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的熱性能評估:

1、散熱

與其他功率器件類似,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)通過對流方式散發(fā)芯片內(nèi)部產(chǎn)生的熱量,散熱速率由系統(tǒng)固有的熱阻決定。通常情況下,對流散熱主要取決于結(jié)到環(huán)境的熱阻(RθJA)。

除對流外,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)還會通過傳導(dǎo)散熱,熱量主要經(jīng)封裝與電路板直接接觸的部分導(dǎo)出。一般會采用散熱器、強(qiáng)制風(fēng)冷等方式降低 RθJA,但這類方案不可避免地會增加系統(tǒng)體積與成本。

除加裝額外散熱器或強(qiáng)化空氣對流來改善散熱外,還可通過優(yōu)化 PCB 布局、提升熱界面設(shè)計來增強(qiáng)熱性能,這能顯著提高傳導(dǎo)散熱效率。

2、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)功耗

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的功耗計算可采用簡潔的解析方法。為低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)提供的輸入電流(Iin)會流經(jīng)兩條不同支路:一條通過調(diào)整管流向輸出端(Iout),另一條則通過內(nèi)部偏置電路流向地(Ignd),如下圖所示:

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根據(jù)能量守恒原理,總輸入功率必須等于總輸出功率。因此,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的輸入功率等于輸出到負(fù)載的功率與穩(wěn)壓器自身耗散功率之和。由此,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的功耗可表示為:

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以 NEX90530BPA?Q100(HTSSOP8 封裝、300 mA、40 V 超低靜態(tài)電流低壓差線性穩(wěn)壓器)為例。假設(shè)輸入電壓 Vin=13.5 V,輸出電壓 Vout=5 V (±1.5%),輸出電流 Iout=300 mA;根據(jù)下圖所示的數(shù)據(jù)手冊,該工況下靜態(tài)電流 Ignd=1350 μA。那么可以算得功耗為:Ploss = 13.5 V × (300 + 1.35) mA – 5.075 × 300 mA = 2.545725 W:

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3、利用熱阻估算結(jié)溫

因為當(dāng)前所有半導(dǎo)體廠家的產(chǎn)品都會提供每款芯片的詳細(xì)熱阻參數(shù)。熱阻受多種因素影響,例如芯片尺寸、芯片貼裝工藝、封裝形式、PCB 布局以及銅箔厚度等。因此,我們通常依據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),通過仿真方式給出熱阻參數(shù)。

熱阻參數(shù)種類較多,其中部分參數(shù)具有明確的物理意義。下圖所示為焊接在 PCB 上的芯片的熱阻網(wǎng)絡(luò)。其中,RθJA、RθJB 和 RθJC 是應(yīng)用最廣泛的參數(shù),可幫助工程師進(jìn)行熱設(shè)計與熱管理。

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由上圖可見,熱量從芯片結(jié)區(qū)散發(fā)至封裝外殼,芯片裸片與上外殼之間的熱阻為 RθJC。同時,熱量也可通過引線框架、芯片貼裝層及焊膏從裸片向下傳導(dǎo)至 PCB,RθJB表示裸片與 PCB 之間的熱阻。

此外,熱量會通過多條不同路徑從芯片結(jié)區(qū)傳遞到空氣中,RθJA是綜合所有散熱路徑的等效熱阻,包括通過封裝的對流散熱、通過 PCB 的傳導(dǎo)散熱以及外露表面的輻射散熱。

如上所述,熱阻與 PCB 高度相關(guān)。因此,直接使用數(shù)據(jù)手冊提供的熱阻計算溫升可能存在誤差,因為手冊中的熱阻是基于JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)仿真板得到的,與實際應(yīng)用的系統(tǒng)板存在較大差異。實際上,這些熱阻主要用于對比評估不同器件的熱性能,而非直接用于計算實際溫升。

在實際應(yīng)用中,通常會逐工況實測熱阻 RθJA,通過芯片的溫差與功耗之比計算得出,公式如下:

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繼續(xù)以 NEX90530BPA-Q100 為例,如下圖所示,我們將演示如何基于本演示板計算 RθJA。該評估板(EVM)采用雙層設(shè)計(60 mm × 40 mm),銅箔厚度為 2oz,總散熱面積約 3900 mm2;芯片下方頂層的散熱焊盤通過 5 個過孔與底層相連,以提升導(dǎo)熱效率。

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首先,通過增大電壓差或負(fù)載電流來提高器件的功耗,使其恰好進(jìn)入熱關(guān)斷保護(hù)狀態(tài)。此時可認(rèn)為芯片結(jié)溫達(dá)到 175 °C。

此時,結(jié)溫和環(huán)境溫度的溫差等于 175°C 減去室溫(通常取 25°C),功耗Ploss可通過上面的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的功耗公式計算得出。根據(jù)測試結(jié)果,當(dāng)輸入電壓 Vin=17.6 V、輸出電壓 Vout=5 V、負(fù)載電流 300 mA 時,NEX90530BPA-Q100 觸發(fā)熱關(guān)斷保護(hù),此時功耗 Ploss=3.80376 W。利用芯片的溫差與功耗之比的公式可計算得到熱阻RθJA,其中?T=175 °C–25 °C=150 °C,因此RθJA=39.43 °C/W。為驗證該結(jié)果,使用T3ster 熱阻測試儀按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)重新測試,得到熱阻 RθJA=38.9 °C/W,與實測結(jié)果接近。隨后可利用該 RθJA 估算芯片在不同溫度下的帶載能力。例如,若要評估環(huán)境溫度 TA=125 °C 時 NEX90530BPA-Q100 可承受的負(fù)載大小,可設(shè)定結(jié)溫 TJ=150 °C(數(shù)據(jù)手冊中給出的最高工作結(jié)溫),通過下式計算得到最大允許功耗為 0.634 W。當(dāng)輸入電壓 Vin=13.5 V、環(huán)境溫度 TA=125 °C 時,最大輸出電流 IOUT_MAX ≈ 74.5 mA。

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然而,在某些情況下,熱阻并非用于計算散熱的最佳參數(shù),因為熱阻的定義為溫差除以對應(yīng)支路的功耗。如下圖所示,熱阻模型可等效為包含熱源與熱阻的等效電路。

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為更好地評估熱性能,采用熱特性參數(shù) ΨJT(亦記作 Psi-JT)來量化器件結(jié)溫與封裝上表面中心溫度的溫差和器件總功耗之間的比值,表達(dá)式如下:

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我們可以利用 ΨJT 計算殼溫,也可以通過 ΨJT 與殼溫來評估結(jié)溫TJ。仍以 NEX90530BPA-Q100 為例,假設(shè)環(huán)境溫度 TA=25 °C,輸入電壓 Vin=13.5 V,輸出電壓 Vout=5 V,輸出電流 Iout=300 mA,通過公式 (1) 可計算得出功耗 Ploss=2.545725 W。然后根據(jù)公式 (2),結(jié)溫 TJ 與環(huán)境溫度 TA 的溫差為 100.37 °C,即 TJ=125.37 °C。再利用仿真得到的 ΨJT=5 °C/W,可計算得出殼溫 TC=112.64 °C。如下圖所示,實測結(jié)果表明計算值與測試結(jié)果非常接近。

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當(dāng)然,我們也可以通過殼溫 TC 計算結(jié)溫 TJ。在相同條件下,若測得殼溫 TC 為 113°C,并計算得出功耗 Ploss = 2.545725 W,可通過以上殼溫的公式計算得到結(jié)溫 TJ,即 TJ = ΨJT × Ploss + TC = 125.72 °C。

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五、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)應(yīng)用注意事項

1、PCB布局設(shè)計

PCB布局設(shè)計對低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的性能有著重要影響。良好的PCB布局可以優(yōu)化性能,而糟糕的布局可能影響穩(wěn)壓器的穩(wěn)定工作并在系統(tǒng)中引入各種干擾。PCB設(shè)計應(yīng)遵循以下原則:

將輸出電容盡可能靠近穩(wěn)壓器的輸出和GND引腳放置,并放在與穩(wěn)壓器相同的PCB面上;將陶瓷輸入電容(如100nF)盡可能靠近穩(wěn)壓器的輸入引腳放置;較大的輸入緩沖電容(如10μF)放在同一PCB上即可;連接到穩(wěn)壓器輸入和輸出的走線應(yīng)根據(jù)流過的電流來確定寬度;確保良好的GND連接;對于4層或更多層PCB,使用一個中間層作為GND平面,并放置足夠數(shù)量的GND過孔;對于1層或2層PCB,放置足夠大的GND銅皮。

PCB布局設(shè)計對熱性能也至關(guān)重要。熱設(shè)計建議包括:確保良好的熱連接;根據(jù)功耗放置足夠的散熱面積;對于4層或更多層PCB,放置足夠數(shù)量的熱過孔連接到散熱層;將板上其他熱源盡可能遠(yuǎn)離線性穩(wěn)壓器的位置。在多層PCB中,建議在低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)裸露焊盤下方放置熱過孔陣列,將熱量傳導(dǎo)到內(nèi)部銅層,以顯著降低結(jié)到環(huán)境的熱阻。

2、啟動特性與跟蹤區(qū)域

啟動特性是指低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)從上電到輸出電壓穩(wěn)定的過程。在啟動期間,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)以最大輸出電流驅(qū)動輸出電容,將輸出電壓提升到標(biāo)稱值。當(dāng)標(biāo)稱輸出電壓達(dá)到時,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的控制環(huán)路需要幾微秒來響應(yīng)。在這幾微秒內(nèi),穩(wěn)壓器仍在為輸出電容充電,導(dǎo)致輸出電壓進(jìn)一步升高。這種啟動過沖的水平取決于負(fù)載電流和輸出電容。

以TLE42754為例,使用22μF輸出電容時啟動過沖峰值電壓為5.47V,而使用100μF輸出電容時過沖僅為5.25V。為減小啟動過沖,建議增大輸入電容以減緩輸入電壓的上升斜率,以及增大輸出電容以減緩輸出電壓的上升斜率。

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當(dāng)輸入電壓低于所需的最小電壓時,線性穩(wěn)壓器無法將輸出電壓調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值。然而,只要輸入電壓高于使器件關(guān)閉的開關(guān)電壓閾值,線性穩(wěn)壓器就會嘗試維持輸出電壓。此時輸出電壓等于VI - Vdr,這個輸入電壓范圍被稱為跟蹤區(qū)域(Tracking Area),因為輸出電壓跟隨輸入電壓變化。

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六、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的優(yōu)缺點分析

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的主要優(yōu)點是其穩(wěn)定性和低噪聲性能。由于低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)使用線性調(diào)節(jié)器件,它可以提供精確的輸出電壓,通常具有較低的輸出紋波和噪聲。此外,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)還具有快速的響應(yīng)速度和較高的負(fù)載能力。

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然而,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)也存在一些限制。首先,由于低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是通過線性調(diào)節(jié)器件進(jìn)行電壓降低,它的效率相對較低。其次,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)對輸入電壓的差異較為敏感,因此輸入電壓必須在規(guī)定范圍內(nèi)。此外,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)還需要一定的輸入-輸出差異電壓,這可能導(dǎo)致較大的功耗。

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七、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的應(yīng)用情況

1、在以電池作為電源的系統(tǒng)中,應(yīng)當(dāng)選擇壓差盡量低的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),這樣可以使電池更長時間為系統(tǒng)供電,比如NCP600,NCP629等等。

2、在一些低功耗應(yīng)用中,應(yīng)當(dāng)盡量選擇Iq小的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO);

3、在射頻、音頻、ADC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用系統(tǒng)中,PSRR(電源紋波抑制比)是一個很重要的參數(shù),其體現(xiàn)了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的抗噪能力,PSRR值越高低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)輸出紋波越低。

4、具體應(yīng)用分類情況如下:

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八、國內(nèi)低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的發(fā)展概況

中國集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)過40余年的發(fā)展,已經(jīng)形成了一個良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),并已經(jīng)進(jìn)入了一個加速發(fā)展的新階段。借鑒國外先進(jìn)技術(shù),充分利用國內(nèi)優(yōu)惠政策,是當(dāng)前國內(nèi)各個IC公司發(fā)展的立足點。

作為被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、DVD、數(shù)碼相機(jī)以及Mp3等多種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的穩(wěn)壓芯片,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)已引起人們的高度重視。國內(nèi)早期從事低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)生產(chǎn)的部分電子有限公司生產(chǎn)的SG2001、SG2002及SG2003系列低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),足以滿足當(dāng)前市場上主流電壓、電流的需要;它的SG2004、SG2011以及SG2012系列產(chǎn)品,非常適合于大電流負(fù)載應(yīng)用;而它的SGM2007/2006/2005系列RF 低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)更適用于手機(jī)電源的應(yīng)用。盡管是國產(chǎn)芯片,但這些芯片的性能絲毫不遜色于國外同類產(chǎn)品,而價格更適合于當(dāng)前國內(nèi)市場。

由此看來,國內(nèi)與國外IC發(fā)展的差距將不會越來越大,每個國人都可以相信,中國不僅可以成為IC產(chǎn)業(yè)的新興地區(qū),更能成為世界IC強(qiáng)國。

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九、總結(jié)一下

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種基于線性電源原理的低壓差電源,它具有體積小、價格低、穩(wěn)定、低噪聲、低溫漂、高精度等優(yōu)點,適用于需要小功率、低噪聲、低溫漂的電子設(shè)備中。但是,它的響應(yīng)速度較慢,壓降較大,因此不太適用于需要大功率、快速響應(yīng)的電子設(shè)備中。

當(dāng)然,為規(guī)避或是減小低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的缺點,在電路設(shè)計初期,可使用上文中RθJA和RθJC去估算芯片結(jié)溫,為對比不同器件的熱性能提供指導(dǎo)。

要提醒一點的是:在實際應(yīng)用中,若要精確評估結(jié)溫,則需要基于實際 PCB 測量并計算熱阻:RθJA 通常用于計算帶載能力,ΨJT 則常用于評估芯片殼溫,或通過殼溫計算結(jié)溫。

參考文獻(xiàn)

1.王國華,王鴻麟,羊彥等.便攜電子設(shè)備電源管理技術(shù).西安電子科技大學(xué)出版社.2004,1

2.藺建文.正在崛起的中國集成電路產(chǎn)業(yè).國家集成電路設(shè)計西安產(chǎn)業(yè)化基地.2002

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