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比亞迪半導(dǎo)體1500V SiC單管開啟高壓閃充全新篇章

比亞迪半導(dǎo)體 ? 來源:比亞迪半導(dǎo)體 ? 2026-05-09 09:44 ? 次閱讀
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充電慢、續(xù)航焦慮、充電時(shí)車輛發(fā)熱、高壓場景下安全隱患……這些困擾新能源車主已久的老問題,如今都有了徹底破解的方案!隨著1000V高壓平臺(tái)成為新能源汽車行業(yè)主流趨勢,兆瓦閃充2.0技術(shù)更是將充電效率推向新高度,功率器件的耐壓、損耗、可靠性已成為決定充電速度與整車安全的核心壁壘。

針對(duì)行業(yè)痛點(diǎn),比亞迪半導(dǎo)體深耕碳化硅技術(shù)研發(fā),自主研發(fā)TO-247-4 1500V SiC單管。這款產(chǎn)品搭載自研高性能SiC芯片,從根源上攻克傳統(tǒng)器件短板,實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)行業(yè)領(lǐng)先,成為兆瓦閃充2.0的核心動(dòng)力引擎,徹底告別新能源汽車充電頑疾,開啟高壓閃充全新篇章。

得益于比亞迪自研的SiC芯片,此單管具備20mΩ極低單位面積導(dǎo)通電阻,能大幅降低充電過程中的能量損耗,減少器件發(fā)熱,讓充電過程更高效、更穩(wěn)定;同時(shí)擁有更高的開關(guān)頻率,可適配兆瓦閃充2.0的高速充電需求,顯著縮短充電時(shí)長,讓車主告別漫長等待。

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在兆瓦閃充系統(tǒng)中,1500V SiC單管承擔(dān)著核心功率變換:

- 交流380V輸入

- 前端逆變至直流電壓

- 再高效升壓至1000V高壓直充動(dòng)力電池

更值得一提的是,該款碳化硅單管的擊穿電壓(BV)相比市面同類產(chǎn)品高出10%,超強(qiáng)耐壓性能為高壓充電場景筑牢安全防線,即便在極端大功率工作環(huán)境下,也能保持穩(wěn)定運(yùn)行,杜絕因器件故障引發(fā)的安全風(fēng)險(xiǎn),全方位保障整車充電安全與電路可靠性。在兆瓦閃充2.0的核心電路中,憑借自研SiC芯片以及TO-247-4優(yōu)化封裝,此單管在高頻、高壓、大電流工況下依舊保持低損耗、低發(fā)熱、高穩(wěn)定性,讓每一度電都以最高效率從電網(wǎng)輸送到電池,為高壓閃充場景提供了效率與可靠性兼具的完美解決方案。

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從技術(shù)突破到產(chǎn)業(yè)落地,這款碳化硅單管的問世,不僅是我司自研實(shí)力的有力彰顯,更推動(dòng)新能源汽車高壓閃充技術(shù)邁上新臺(tái)階。除了專為兆瓦級(jí)閃充設(shè)計(jì)的高耐壓產(chǎn)品外,比亞迪半導(dǎo)體還提供一系列適用于新能源汽車、風(fēng)儲(chǔ)充、工業(yè)和家電等領(lǐng)域的系列單管產(chǎn)品,這些單管涵蓋多種類型,如IGBTMOSFET、SiC MOSFET、FRD和TVS等,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。同時(shí)也提供了多樣化的封裝形式,如:SOP-9半橋模塊、QDPAK、TO-263-7L、TO-247Plus-4L、TO-247Plus-3L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3L和TO-220F-3L等,以適應(yīng)各種設(shè)計(jì)和制造要求。

行業(yè)迭代,技術(shù)先行。未來,比亞迪半導(dǎo)體將持續(xù)深耕功率器件領(lǐng)域,不斷突破技術(shù)邊界,為兆瓦閃充2.0的全面普及、為新能源汽車行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展,注入源源不斷的核心動(dòng)力,助力全民暢享高效、安全、便捷的綠色出行新生活!

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原文標(biāo)題:1500V SiC單管,助力兆瓦閃充2.0高效落地

文章出處:【微信號(hào):BYD_Semiconductor,微信公眾號(hào):比亞迪半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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