霍爾芯片靈敏度，簡單說就是磁場變多強(qiáng)，輸出電壓變多少，主要分線性霍爾（mV/mT 或 mV/G）和開關(guān)霍爾（觸發(fā)磁場 BOP）

兩類。

一、線性霍爾：靈敏度 S（mV/mT 或 mV/G）

定義：單位磁場引起的輸出電壓變化。

公式：(V_{text{out}}=Scdot B+V_0)(V_0)：零磁場輸出（常為 Vcc/2）；B：磁場強(qiáng)度。

單位換算：

(1 text{T}=10^4 text{G})

(1 text{mT}=10 text{G})

典型范圍（25℃）

普通：1–10 mV/G（=10–100 mV/mT）

高靈敏：10–20 mV/G（弱磁、精密）

可編程：0.1–100 mV/G

二、開關(guān)型霍爾：靈敏度看閾值 BOP

BOP（工作點(diǎn)）：輸出從高→低（或相反）的最小磁場，單位 mT/Gs。

BRP（釋放點(diǎn)）：輸出恢復(fù)的磁場；回差 BHys=BOP?BRP。

靈敏度越高 → BOP 越小（越弱磁場就能觸發(fā)）。

典型范圍

高靈敏：±3–10 mT（近距離、弱磁）

普通：±10–30 mT（電機(jī)、輪速）

三、影響靈敏度的關(guān)鍵因素

芯片類型：線性看 mV/mT，開關(guān)看 BOP。

溫度漂移：

靈敏度溫漂：?0.06 ~ ?0.08 %/℃（溫度升高，靈敏度略降）。

供電與增益：高供電 / 高增益 → 靈敏度更高，但噪聲更大。

封裝與氣隙：離磁鐵越遠(yuǎn)、氣隙越大 → 有效靈敏度越低。

東莞霍爾森科技

審核編輯 黃宇