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探索IRAM136 - 3023B:適用于低壓電機應(yīng)用的集成功率混合IC

chencui ? 2026-05-18 16:00 ? 次閱讀
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探索IRAM136 - 3023B:適用于低壓電機應(yīng)用的集成功率混合IC

在電子工程領(lǐng)域,不斷追求更高效、更緊湊的解決方案是永恒的目標(biāo)。今天,我們來深入了解International Rectifier的IRAM136 - 3023B,一款專為低壓電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計的30A、150V集成功率混合IC。

文件下載:IRAM136-3023B.pdf

1. 產(chǎn)品概述

IRAM136 - 3023B專為低壓電機驅(qū)動應(yīng)用而設(shè)計,如電動汽車、便攜式電動工具和輕型工業(yè)應(yīng)用。它將IR的低(R_{DS(on)})先進(jìn)平面MOSFET超耐用技術(shù)與行業(yè)基準(zhǔn)的三相高壓、高速驅(qū)動器相結(jié)合,封裝在一個完全隔離且散熱增強的封裝中。這種設(shè)計不僅簡化了設(shè)計過程,還提供了極高的性能。

2. 產(chǎn)品特性

2.1 集成功能

  • 集成柵極驅(qū)動:提供高效的驅(qū)動能力。
  • 溫度監(jiān)測與保護(hù):內(nèi)置溫度監(jiān)測器,能有效防止過熱損壞。
  • 過流關(guān)斷:當(dāng)電流超過安全范圍時,自動關(guān)斷,保護(hù)電路。
  • 欠壓鎖定:所有通道都具備欠壓鎖定功能,確保在電壓不足時不工作,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  • 匹配的傳播延遲:所有通道的傳播延遲匹配,保證信號同步。
  • 5V施密特觸發(fā)輸入邏輯:增強抗干擾能力。
  • 交叉導(dǎo)通防止邏輯:避免上下橋臂同時導(dǎo)通,減少短路風(fēng)險。

2.2 性能優(yōu)勢

  • 高功率輸出:電機功率可達(dá)4.0kW / 48 - 100Vdc
  • 高隔離性能:完全隔離封裝,隔離電壓最小為2000V RMS。
  • 環(huán)保合規(guī):符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且通過UL認(rèn)證(文件編號:E252584)。

3. 絕對最大額定值

參數(shù) 詳情 單位
(V_{BR(DSS)}) MOSFET阻斷電壓 V
(V^{+}) 正母線輸入電壓 100 V
(I{O} @ T{C}=25^{circ} C) A
(I{O} @ T{C}=100^{circ} C) RMS相電流(注1) 15 A
56
PWM載波頻率 kHz
89 W
隔離電壓(1min) VRMS
最大工作結(jié)溫 +150
(T_{C}) 工作外殼溫度范圍 -20 至 +100 °C
0.7 至 1.17 Nm

注1:在(V^{+}=100V)、(T{J}=150^{circ} C)、(F{PWM}=20kHz)、調(diào)制深度 = 0.8、(pf = 0.6)的正弦調(diào)制條件下。

4. 電氣特性

4.1 逆變器部分電氣特性

在(T{J}=25^{circ} C)時,包括漏源擊穿電壓、漏源導(dǎo)通電阻、體二極管正向電壓等參數(shù)都有明確的規(guī)定。例如,漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(ON)})在(I{D}=15A)、(V{CC}=15V)時,典型值為38mΩ,最大值為80mΩ。

4.2 逆變器部分開關(guān)特性

在不同的工作條件下,如(T{J}=25^{circ} C)和(T{J}=125^{circ} C),給出了能量損耗、二極管反向恢復(fù)時間等開關(guān)特性參數(shù)。例如,在(ID = 15A)、(V^{+}=100V)、(V{CC}=15V)時,導(dǎo)通能量損耗(E{ON})典型值為395μJ,最大值為1100μJ。

4.3 靜態(tài)電氣特性(驅(qū)動功能)

在(T{J}=25^{circ} C)、(V{BIAS }(V{CC}, V{BS 1,2,3})=15V)的條件下,規(guī)定了邏輯輸入電壓、偏置電流、欠壓閾值等參數(shù)。例如,邏輯“1”輸入電壓(V_{IH})最小值為3.0V。

4.4 動態(tài)電氣特性

同樣在(T{J}=25^{circ} C)時,給出了輸入到輸出的傳播延遲時間、消隱時間、死區(qū)時間等動態(tài)參數(shù)。例如,輸入到輸出的導(dǎo)通傳播延遲時間(T{ON})典型值為0.83μs。

5. 熱學(xué)和機械特性

  • 熱阻:FET的熱阻(R{th(J - C)})典型值為1.2°C/W,最大值為1.4°C/W;C - S的熱阻(R{th(C - S)})典型值為0.1°C/W。
  • 爬電距離:CD爬電距離為3.5mm。

6. 內(nèi)部元件特性

6.1 內(nèi)部電流傳感電阻 - 分流特性

  • 電阻值:在(T{C}=25^{circ} C)時,(R{Shunt})電阻值典型值為8.3mΩ。
  • 溫度系數(shù):溫度系數(shù)(T_{Coeff})最大值為200ppm/°C。
  • 功率耗散:功率耗散(P{Shunt})在 - 40°C < (T{C}) < 100°C時,最大值為4.5W。

6.2 內(nèi)部NTC - 熱敏電阻特性

  • 電阻值:在(T{C}=25^{circ} C)時,(R{25})電阻值典型值為100kΩ;在(T{C}=125^{circ} C)時,(R{125})電阻值典型值為2.52kΩ。
  • B常數(shù):B常數(shù)(25 - 50°C)典型值為4250k。

7. 輸入 - 輸出邏輯電平表

明確了不同輸入條件下的輸出邏輯,為電路設(shè)計提供了重要參考。

8. 模塊引腳說明

詳細(xì)說明了每個引腳的功能,如VB1為高側(cè)浮動電源電壓1,V +為正母線輸入電壓等。

9. 典型應(yīng)用連接

  • 電容安裝:電解母線電容應(yīng)盡可能靠近模塊母線端子安裝,以減少振鈴和EMI問題。同時,在模塊引腳附近安裝額外的高頻陶瓷電容可進(jìn)一步提高性能。
  • 去耦電容:為了在VCC - VSS和VB1,2,3 - VS1,2,3端子之間提供良好的去耦,連接在這些端子之間的電容應(yīng)靠近模塊引腳,并強烈推薦使用典型值為0.1μF的額外高頻電容。
  • 自舉電容選擇:自舉電容的值取決于開關(guān)頻率,應(yīng)根據(jù)IR設(shè)計提示DN 98 - 2a、應(yīng)用筆記AN - 1044或圖9進(jìn)行選擇。
  • 故障處理:PWM發(fā)生器必須在故障期間禁用,以保證系統(tǒng)關(guān)機,過流條件必須在恢復(fù)操作前清除。
  • 監(jiān)測引腳:(Fault/ T_{MON})監(jiān)測引腳必須上拉至 + 5V。

10. 總結(jié)

IRAM136 - 3023B是一款功能強大、性能卓越的集成功率混合IC,為低壓電機驅(qū)動應(yīng)用提供了一站式解決方案。其豐富的保護(hù)功能、高隔離性能和緊湊的封裝設(shè)計,使其成為電子工程師設(shè)計相關(guān)電路時的理想選擇。在實際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求和工作條件,合理選擇和使用該IC,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。你在使用類似IC時遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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