Atmel SAM R21E / SAM R21G無線微控制器:低功耗與高性能的完美結(jié)合
在當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域,低功耗、高性能的微控制器是眾多工程師追求的目標(biāo)。Atmel推出的SAM R21系列無線微控制器,憑借其卓越的性能和豐富的功能,成為了許多應(yīng)用場景的理想選擇。今天,我們就來深入了解一下這款微控制器。
一、產(chǎn)品概述
Atmel? | SMART? SAM R21系列采用32位ARM? Cortex? - M0+處理器,并集成了超低功耗的2.4GHz ISM頻段收發(fā)器。該系列有32引腳和48引腳的封裝可供選擇,具備高達256KB的Flash和32KB的SRAM,最高運行頻率可達48MHz,每MHz能達到2.14 Coremark。
其設(shè)計理念非常注重產(chǎn)品系列內(nèi)的兼容性,所有設(shè)備具有相同的外設(shè)模塊、十六進制兼容代碼、相同的線性地址映射和引腳兼容的遷移路徑,方便工程師進行簡單直觀的遷移。同時,該系列還包含智能靈活的外設(shè)、Atmel事件系統(tǒng)用于外設(shè)間信號傳輸,并支持電容式觸摸按鈕、滑塊和滾輪用戶界面。
二、產(chǎn)品特性
(一)處理器
- 高性能核心:ARM Cortex - M0+ CPU最高運行頻率達48MHz,配備單周期硬件乘法器和Micro Trace Buffer(MTB),為數(shù)據(jù)處理提供強大動力。
- 豐富配置選項:支持32個外部中斷、小端數(shù)據(jù)字節(jié)序、SysTick定時器、2個觀察點比較器、4個斷點比較器等,滿足多樣化的應(yīng)用需求。
(二)存儲器
- 大容量存儲:提供256/128/64KB的片內(nèi)自編程Flash和32/16/8KB的SRAM,可滿足不同規(guī)模程序和數(shù)據(jù)的存儲需求。
(三)系統(tǒng)特性
- 穩(wěn)定的電源管理:具備上電復(fù)位(POR)和欠壓檢測(BOD)功能,保障系統(tǒng)在不同電源環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
- 靈活的時鐘系統(tǒng):內(nèi)部和外部時鐘選項豐富,包括48MHz數(shù)字鎖頻環(huán)(DFLL48M)和48MHz至96MHz分數(shù)數(shù)字鎖相環(huán)(FDPLL96M),不同時鐘域可獨立配置運行頻率,實現(xiàn)功耗優(yōu)化。
- 便捷的調(diào)試接口:擁有外部中斷控制器(EIC),支持多達15個外部中斷和1個不可屏蔽中斷,以及雙引腳串行線調(diào)試(SWD)編程、測試和調(diào)試接口。
(四)低功耗設(shè)計
- 多種睡眠模式:具備空閑和待機兩種軟件可選睡眠模式。空閑模式下CPU停止運行,其他功能可繼續(xù)工作;待機模式下除選定的功能外,所有時鐘和功能停止運行。
- SleepWalking功能:外設(shè)能夠自行喚醒并啟動自身時鐘,執(zhí)行預(yù)定義任務(wù)而無需喚醒CPU,進一步降低功耗。
(五)外設(shè)功能
- 通信接口豐富
- 定時器與計數(shù)器
- 普通定時器:三個16位定時器/計數(shù)器(TC),可配置為16位、8位或32位定時器,具備比較/捕獲通道,可用于頻率和波形生成、精確程序執(zhí)行計時或數(shù)字信號的輸入捕獲。
- 控制定時器:三個16位控制定時器/計數(shù)器(TCC),具有擴展功能,如多達四個比較通道、同步脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式生成、確定性故障保護、快速衰減和可配置的互補輸出死區(qū)時間等。
- 模擬外設(shè)
- ADC:一個12位、350ksps的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),最多支持八個外部通道,具備差分和單端輸入、1/2x至16x可編程增益級、自動偏移和增益誤差補償,以及硬件過采樣和抽取功能,支持13 - 16位分辨率。
- 模擬比較器:兩個具有窗口比較功能的模擬比較器(AC)。
- 觸摸控制器:外設(shè)觸摸控制器(PTC)支持多達48通道的電容式觸摸和接近感應(yīng)。
- 其他外設(shè):32位實時計數(shù)器(RTC)具備時鐘/日歷功能、看門狗定時器(WDT)、CRC - 32生成器等。
三、產(chǎn)品配置
SAM R21系列包含SAM R21G和SAM R21E兩個型號,它們在引腳數(shù)量、通用I/O引腳數(shù)、Flash和SRAM容量等方面存在一些差異。例如,SAM R21G為48引腳,有28個通用I/O引腳;而SAM R21E為32引腳,有16個通用I/O引腳。具體的配置信息可參考文檔中的“Configuration Summary”部分。
四、引腳與復(fù)用
(一)引腳分布
SAM R21G采用QFN48封裝,SAM R21E采用QFN32封裝,兩個封裝的大中心焊盤均為金屬材質(zhì)且內(nèi)部連接到GND,焊接時需連接到電路板的數(shù)字地以確保機械穩(wěn)定性,但不建議用其替代常規(guī)GND引腳。
(二)引腳復(fù)用
每個引腳默認由PORT作為通用I/O控制,也可分配給外設(shè)功能A - H。要啟用引腳的外設(shè)功能,需將PORT中對應(yīng)引腳配置寄存器的外設(shè)復(fù)用使能位(PINCFGn.PMUXEN)置為1,并通過PORT中外設(shè)復(fù)用寄存器的奇偶位(PMUXn.PMUXE/O)選擇外設(shè)功能。文檔中的“PORT Function Multiplexing”表格詳細描述了引腳與外設(shè)信號的復(fù)用關(guān)系。
五、產(chǎn)品映射
文檔中的“Product Mapping”部分展示了Atmel | SMART SAM R21的全局內(nèi)存空間布局,包括內(nèi)部Flash、SRAM、AHB - APB橋接器以及各種外設(shè)的地址范圍。這有助于工程師在開發(fā)過程中準(zhǔn)確地進行內(nèi)存訪問和外設(shè)控制。
六、包裝信息
(一)熱阻數(shù)據(jù)
不同封裝的熱阻數(shù)據(jù)有所不同,32引腳QFN封裝的θJA為37.2 °C/W,θJC為3.1 °C/W;48引腳QFN封裝的θJA為33 °C/W,θJC為11.4 °C/W。通過熱阻數(shù)據(jù)和相關(guān)公式,可計算芯片的平均結(jié)溫,從而評估是否需要散熱裝置。
(二)封裝圖紙
文檔提供了48引腳QFN和32引腳QFN封裝的圖紙,包括尺寸、公差等信息。同時,還給出了設(shè)備和封裝的最大重量、封裝特性(如濕度敏感度等級MSL3)以及封裝參考(如JEDEC圖紙參考)。
(三)焊接曲線
推薦的焊接曲線符合J - STD - 20標(biāo)準(zhǔn),包括平均升溫速率、預(yù)熱溫度、保持在217°C以上的時間、實際峰值溫度附近的時間、峰值溫度范圍、降溫速率以及從25°C到峰值溫度的時間等參數(shù)。每個組件最多允許進行三次回流焊。
七、總結(jié)
Atmel SAM R21E / SAM R21G無線微控制器以其高性能、低功耗、豐富的外設(shè)功能和良好的兼容性,為電子工程師提供了一個強大而靈活的設(shè)計平臺。無論是智能家居、工業(yè)自動化還是物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,這款微控制器都能滿足多樣化的需求。在實際設(shè)計中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求,合理選擇型號和配置,充分發(fā)揮其優(yōu)勢。你在使用類似微控制器時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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