Onsemi NSS20601CF8T1G：低飽和電壓NPN晶體管的卓越之選
Onsemi NSS20601CF8T1G：低飽和電壓NPN晶體管的卓越之選
在電子設計領(lǐng)域，選擇合適的晶體管對于實現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。Onsemi的NSS20601CF8T1G低 $V_{CE(sat)}$ NPN晶體管憑借其出色的性能和廣泛的應用范圍，成為了眾多工程師的首選。今天，我們就來深入了解一下這款晶體管。
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產(chǎn)品概述
Onsemi的e2PowerEdge系列低 $V{CE(sat)}$ 晶體管屬于微型表面貼裝器件，具有超低飽和電壓 $(V{CE(sat)})$ 和高電流增益能力。這些特性使其非常適合用于低壓、高速開關(guān)應用，在需要經(jīng)濟高效的能源控制的場景中表現(xiàn)出色。
典型應用
該晶體管的應用場景十分廣泛，涵蓋了多個領(lǐng)域：
- 便攜式和電池供電產(chǎn)品：如手機、無繩電話、個人數(shù)字助理（PDA）、計算機、打印機、數(shù)碼相機和MP3播放器等。在這些設備的DC - DC轉(zhuǎn)換器和電源管理電路中，NSS20601CF8T1G能夠發(fā)揮其低功耗和高效能的優(yōu)勢，延長電池續(xù)航時間。
- 存儲產(chǎn)品：在磁盤驅(qū)動器和磁帶驅(qū)動器等大容量存儲產(chǎn)品的低壓電機控制中，該晶體管可以提供穩(wěn)定的控制信號，確保電機的正常運行。
- 汽車行業(yè)：可用于安全氣囊展開系統(tǒng)和儀表盤等汽車電子設備中，為汽車的安全和可靠性提供保障。
- 模擬放大器：高電流增益使得e2PowerEdge器件能夠直接由電源管理單元（PMU）的控制輸出驅(qū)動，線性增益（Beta）使其成為模擬放大器的理想組件。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
| 在 $T_{A}=25^{circ} C$ 的條件下，該晶體管的最大額定值如下： | 額定值 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | $V_{CEO}$ | 20 | Vdc | |
| 集電極 - 基極電壓 | $V_{CBO}$ | 20 | Vdc | |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | $V_{EBO}$ | 6.0 | Vdc | |
| 集電極連續(xù)電流 | $I_{C}$ | 6.0 | Adc | |
| 集電極峰值電流 | $I_{CM}$ | 8.0 | A | |
| 靜電放電 | ESD | HBM Class 3B MM Class C |
熱特性
| 熱特性對于晶體管的性能和可靠性至關(guān)重要。以下是該晶體管的熱特性參數(shù)： | 特性 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 總器件功耗（$T_{A}=25^{circ} C$，25°C以上降額） | $P_{D}$（注1） | 830（6.7） | mW | |
| 熱阻 | $R_{theta JA}$（注1） | 150 | °C/W | |
| 總器件功耗（$T_{A}=25^{circ} C$，25°C以上降額） | 1.4（11.1） | W（mW/°C） | ||
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | $R_{theta JA}$（注2） | 90 | °C/W | |
| 結(jié)到引腳1的熱阻 | $R_{theta JL}$（注2） | 15 | °C/W | |
| 結(jié)和存儲溫度范圍 | $T{J}$，$T{stg}$ | -55 至 +150 | °C |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。注1適用于FR - 4 @ 100 $mm^{2}$，1 oz銅跡線；注2適用于FR - 4 @ 500 $mm^{2}$，1 oz銅跡線。
電氣特性
| 在 $T_{A}=25^{circ} C$ 的條件下，該晶體管的電氣特性如下： | 特性 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | ||||||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（$I{C}= 10 mAdc$，$I{B}=0$） | $V_{(BR)CEO}$ | 20 | Vdc | |||
| 集電極 - 基極擊穿電壓（$I{C}=0.1 mAdc$，$I{E}=0$） | $V_{(BR)CBO}$ | 20 | Vdc | |||
| 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓（$I{E}= 0.1 mAdc$，$I{C}=0$） | $V_{(BR)EBO}$ | 6.0 | Vdc | |||
| （$V{CB}=20Vdc$，$I{E}=0$） | $I_{CBO}$ | 0.1 | $mu$Adc | |||
| 發(fā)射極截止電流（$V_{EB}= 6.0 Vdc$） | $I_{EBO}$ | 0.1 | $mu$Adc | |||
| 導通特性 | ||||||
| 直流電流增益（注3） | ||||||
| （$I{C}=500 ~mA$，$V{CE}=2.0 ~V$） | $h_{FE}$ | 200 | 365 | |||
| （$I{C}=1.0 ~A$，$V{CE}=2.0 ~V$） | $h_{FE}$ | 200 | 365 | |||
| （$I{C}=2.0 ~A$，$V{CE}=2.0 ~V$） | $h_{FE}$ | 200 | 365 | |||
| （$I{C}=3.0 ~A$，$V{CE}=2.0 ~V$） | $h_{FE}$ | 200 | 365 | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（注3） | ||||||
| （$I{C}=0.1 ~A$，$I{B}=0.010 ~A$） | $V_{CE(sat)}$ | 0.007 | 0.010 | V | ||
| （$I{C}=1.0 ~A$，$I{B}=0.100 ~A$） | $V_{CE(sat)}$ | 0.031 | 0.110 | V | ||
| （$I{C}=1.0 ~A$，$I{B}=0.010 ~A$） | $V_{CE(sat)}$ | 0.060 | 0.130 | V | ||
| （$I{C}=2.0 ~A$，$I{B}=0.020 ~A$） | $V_{CE(sat)}$ | 0.110 | 0.130 | V | ||
| （$I{C}=3.0 ~A$，$I{B}=0.030 ~A$） | $V_{CE(sat)}$ | 0.110 | 0.130 | V | ||
| 基極 - 發(fā)射極飽和電壓（注3）（$I{C}=1.0A$，$I{B}=0.01A$） | $V_{BE(sat)}$ | 0.900 | V | |||
| 截止頻率 | $f_{T}$ | 140 | MHz | |||
| 輸入電容（$V_{EB}=0.5 ~V$，$f=1.0 MHz$） | $C_{ibo}$ | pF | ||||
| $C_{obo}$ | 100 | pF | ||||
| 開關(guān)特性 | ||||||
| 延遲時間（$V{CC}=15 ~V$，$I{C}=750 ~mA$，$I_{B1}=15 ~mA$） | $t_muikaa0wy$ | 110 | ns | |||
| 上升時間（$V{CC}=15 ~V$，$I{C}=750 ~mA$，$I_{B1}=15 ~mA$） | $t_{r}$ | 130 | ns | |||
| 存儲時間（$V{CC}=15 ~V$，$I{C}=750 ~mA$，$I_{B1}=15 ~mA$） | $t_{s}$ | |||||
| 下降時間（$V{CC}=15 ~V$，$I{C}=750 ~mA$，$I_{B1}=15 ~mA$） | $t_{f}$ | 130 | ns |
注3為脈沖條件：脈沖寬度 = 300 $mu$s，占空比 ≤ 2%。產(chǎn)品的參數(shù)性能在列出的測試條件下的電氣特性中顯示，除非另有說明。如果在不同條件下運行，產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。
封裝與訂購信息
該晶體管采用ChipFET（無鉛）封裝，每盤3000個。如需了解卷帶規(guī)格，包括部件方向和卷帶尺寸等信息，請參考Onsemi的卷帶封裝規(guī)格手冊BRD8011/D。
總結(jié)
Onsemi的NSS20601CF8T1G低 $V_{CE(sat)}$ NPN晶體管以其出色的性能、廣泛的應用范圍和可靠的質(zhì)量，為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在設計低壓、高速開關(guān)電路時，不妨考慮一下這款晶體管，相信它會給你的設計帶來意想不到的效果。你在使用晶體管時，有沒有遇到過一些特殊的挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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