探索 onsemi NPN 多芯片通用放大器 FMB2222A 和 MMPQ2222A
探索 onsemi NPN 多芯片通用放大器 FMB2222A 和 MMPQ2222A
在電子設(shè)計領(lǐng)域，放大器和開關(guān)器件的性能直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們來深入了解 onsemi 公司的 NPN 多芯片通用放大器 FMB2222A 和 MMPQ2222A，看看它們有哪些特性和應(yīng)用場景。
文件下載：MMPQ2222A-FCS-D.PDF
產(chǎn)品概述
FMB2222A 和 MMPQ2222A 是適用于中功率放大器和開關(guān)的器件，能夠處理高達 500 mA 的集電極電流，采用了工藝 19 制造。這兩款器件在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用，比如信號放大和開關(guān)控制等。
絕對最大額定值
| 在使用這兩款器件時，我們必須關(guān)注其絕對最大額定值，以確保器件的安全和穩(wěn)定運行。以下是一些關(guān)鍵的額定值： | Symbol | Rating | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| VCEO | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | 40 | V | |
| VCBO | 集電極 - 基極電壓 | 75 | V | |
| VEBO | 發(fā)射極 - 基極電壓 | 5.0 | V | |
| IC | 集電極連續(xù)電流 | 500 | mA | |
| TJ, TSTG | 工作和存儲結(jié)溫范圍 | -55 至 +150 | °C |
需要注意的是，超過這些額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。而且這些額定值是基于最大結(jié)溫 150°C 的穩(wěn)態(tài)限制，對于脈沖或低占空比操作的應(yīng)用，建議咨詢 onsemi。
熱特性
| 熱特性對于器件的性能和壽命至關(guān)重要。以下是 FMB2222A 和 MMPQ2222A 的熱特性參數(shù)： | Symbol | Characteristic | Max | Unit | |
|---|---|---|---|---|---|
| FMB2222A | MMPQ2222A | ||||
| PD | 功率耗散 | 700 | 1,000 | mW | |
| 25°C 以上降額 | 5.6 | 8.0 | mW/°C | ||
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | °C/W | ||||
| 4 個有效管芯的結(jié)到環(huán)境熱阻 | 125 | ||||
| 每個管芯的結(jié)到環(huán)境熱阻 | 240 |
這里的 PCB 尺寸為 FR - 4，76 mm x 114 mm x 1.57 mm（3.0 英寸 x 4.5 英寸 x 0.062 英寸），且具有最小焊盤尺寸。
電氣特性
擊穿電壓
- V(BR)CEO：集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓，當(dāng) IC = 10 mA，IB = 0 時，最小值為 40 V。
- V(BR)CBO：集電極 - 基極擊穿電壓，IC = 10 μA，IE = 0 時，為 75 V。
- V(BR)EBO：發(fā)射極 - 基極擊穿電壓，IE = 10 μA，IC = 0 時，為 5.0 V。
截止電流
- ICBO：集電極截止電流，VCB = 60 V，IE = 0 時，最大為 10 nA。
- IEBO：發(fā)射極截止電流，VEB = 3.0 V，IC = 0 時，最大為 10 nA。
直流電流增益（hFE）
不同集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓下，hFE 的值有所不同。例如，當(dāng) IC = 0.1 mA，VCE = 10 V 時，hFE 為 35；當(dāng) IC = 150 mA，VCE = 10 V 時，hFE 在 100 - 300 之間。
飽和電壓
- VCE(sat)：集電極 - 發(fā)射極飽和電壓，當(dāng) IC = 150 mA，IB = 15 mA 時，最大為 0.3 V；當(dāng) IC = 500 mA，IB = 50 mA 時，最大為 1.0 V。
- VBE(sat)：基極 - 發(fā)射極飽和電壓，當(dāng) IC = 150 mA，IB = 15 mA 時，為 1.2 V；當(dāng) IC = 500 mA，IB = 50 mA 時，最大為 2.0 V。
其他參數(shù)
- fT：電流增益 - 帶寬乘積，IC = 20 mA，VCE = 20 V，f = 100 MHz 時，典型值為 300 MHz。
- Cobo：輸出電容，VCB = 10 V，IE = 0，f = 100 kHz 時，最大為 4.0 pF。
- Cibo：輸入電容，VEB = 0.5 V，IC = 0，f = 100 kHz 時，最大為 20 pF。
- NF：噪聲系數(shù)，IC = 100 μA，VCE = 10 V，RS = 1.0 kΩ，f = 1.0 kHz 時，最大為 2.0 dB。
- td：延遲時間，VCC = 30 V，VBE(OFF) = 0.5 V，IC = 150 mA，IB1 = 15 mA 時，最大為 8 ns。
- tr：上升時間，為 20 ns。
- ts：存儲時間，VCC = 30 V，IC = 150 mA，IB1 = IB2 = 15 mA 時，最大為 180 ns。
- tf：下降時間，為 40 ns。
這些電氣特性為我們在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)。大家在實際應(yīng)用中，要根據(jù)具體的電路需求來選擇合適的參數(shù)。
封裝與訂購信息
封裝
- FMB2222A 采用 TSOT23（無鉛、無鹵化物）封裝。
- MMPQ2222A 采用 SOIC - 16（無鉛、無鹵化物）封裝。
訂購
| Device | Package | Shipping |
|---|---|---|
| FMB2222A | TSOT23 (Pb - Free, Halide Free) | 3000 / Tape & Reel |
| MMPQ2222A | SOIC - 16 (Pb - Free, Halide Free) | 2500 / Tape & Reel |
如果需要了解卷帶規(guī)格的詳細信息，可參考《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
機械尺寸
文檔中還給出了 TSOT23 6 - 引腳和 SOIC - 16 封裝的機械尺寸圖及詳細尺寸參數(shù)。這些尺寸信息對于 PCB 設(shè)計非常重要，確保器件能夠正確安裝和布局。
總結(jié)
onsemi 的 FMB2222A 和 MMPQ2222A 是性能優(yōu)良的 NPN 多芯片通用放大器和開關(guān)器件。它們具有明確的電氣特性和熱特性，適用于多種中功率應(yīng)用場景。在設(shè)計電路時，我們要充分考慮這些特性，以確保電路的性能和可靠性。同時，也要注意器件的絕對最大額定值，避免因超過額定值而損壞器件。大家在實際應(yīng)用中，是否遇到過類似器件的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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