龍騰半導(dǎo)體基于G3超結(jié)650V 新平臺(tái)的首款高壓MOSFET--LSD65R150G3 正式面向市場(chǎng)釋放。該器件采用TO-220F全絕緣封裝，具備更低的導(dǎo)通電阻、更優(yōu)的柵極電荷和更快的開關(guān)速度，為LED電源、高效適配器、大功率電源及工業(yè)電源等應(yīng)用提供新一代核心功率解決方案。

核心優(yōu)勢(shì)

LSD65R150G3基于龍騰半導(dǎo)體自主研發(fā)的G3超結(jié)技術(shù)平臺(tái)，通過對(duì)元胞結(jié)構(gòu)、柵極設(shè)計(jì)及終端耐壓的深度優(yōu)化，在保持650V高耐壓能力的同時(shí)，顯著降低了單位面積的導(dǎo)通電阻和寄生電容參數(shù)。作為該平臺(tái)的首款產(chǎn)品，LSD65R150G3在650V擊穿電壓下實(shí)現(xiàn)了典型125mΩ、最大150mΩ的導(dǎo)通電阻，同時(shí)將柵極總電荷控制在僅34nC（典型值），顯著降低了驅(qū)動(dòng)損耗與開關(guān)損耗，助力電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高頻率、更高功率密度的設(shè)計(jì)。

龍騰半導(dǎo)體應(yīng)用團(tuán)隊(duì)測(cè)試結(jié)果表明，與前一代超結(jié)產(chǎn)品相比，新一代G3超結(jié)產(chǎn)品LSD65R150G3在導(dǎo)通電阻性能上顯著優(yōu)化，相同耐壓下導(dǎo)通電阻更低，從而降低了導(dǎo)通損耗。同時(shí)，其總柵極電荷（Qg）和輸入電容（Ciss）均有顯著降低，直接有利于減小開關(guān)損耗：更低的Qg可減少驅(qū)動(dòng)損耗、加快開關(guān)響應(yīng)，更小的Ciss則能進(jìn)一步提高開關(guān)速度并降低驅(qū)動(dòng)電流需求。此外，該器件的雪崩耐受能力顯著提升，EAS提高約5倍，魯棒性顯著增強(qiáng)，能夠承受更高的單次雪崩能量沖擊，在過壓或電感負(fù)載條件下具有更高的可靠性。

來源: 龍騰實(shí)驗(yàn)室實(shí)測(cè)

龍騰MOSFET產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人表示：“我們?cè)O(shè)計(jì)G3平臺(tái)及LSD65R150G3的目標(biāo)，是幫助客戶在實(shí)現(xiàn)更高開關(guān)頻率和更小體積的同時(shí)，有效控制系統(tǒng)總損耗。根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)及實(shí)際測(cè)試結(jié)果，LSD65R150G3具備穩(wěn)定的體二極管反向恢復(fù)特性、充足的雪崩耐量以及可控的高溫導(dǎo)通電阻，完全能夠勝任開關(guān)電源、PD充電器、工業(yè)電源等應(yīng)用中的核心開關(guān)位置?！?/p>

樣品申請(qǐng)

點(diǎn)擊【閱讀原文】，通過龍騰半導(dǎo)體官網(wǎng)獲取詳細(xì)技術(shù)資料及樣品。此外，基于G3平臺(tái)的更多超結(jié)產(chǎn)品正在陸續(xù)推出，將涵蓋不同導(dǎo)通電阻等級(jí)與封裝選項(xiàng)，致力于為市場(chǎng)提供更加全面的高壓功率器件組合。