1. 千兆以太網(wǎng)電路

RV1126B芯片擁有1個GMAC控制器，可以對外提供RMII/RGMII接口擴展外置以太網(wǎng)百兆/千兆PHY芯片，也可以切換到內(nèi)置的百兆FEPHY上，二者只能選擇其中一個，不能同時使用。

GMAC控制器支持以下功能：

l 支持 10/100/1000 Mbps 數(shù)據(jù)傳輸速率的 RGMII 接口

l 支持 10/100 Mbps 數(shù)據(jù)傳輸速率的 RMII 接口

RGMII 連接示圖13，具體電路請見參考圖14（GEPHY 工作時鐘使用外置 25MHz 晶體）

1.1 原理圖設(shè)計建議

圖1 千兆以太網(wǎng)電路

RGMII/RMII 接口的設(shè)計注意事項：

l 在 RGMII 模式下，RV1126B 芯片內(nèi)部 TX/RX 時鐘路徑集成了 delayline，支持調(diào)整；參考圖默認配置是：TXCLK 與 data 之間時序由 MAC 來控制，RXCLK 與 data 之間時序由 PHY 來控制（如使用**8211F/FI 即 RXCLK 默認開啟 2ns delay，其它 PHY 要注意這個配置）。

l Ethernet PHY 的 Reset 信號需要用 GPIO 來控制，GPIO 電平必須和 PHY IO 電平匹配，靠近PHY 管腳必須增加 100nF 電容，加強抗靜電能力，注意： **8211F/FI 的復(fù)位管腳只支持 3.3V電平。

l **8211F/FI 的 INTB/PMEB 為開漏輸出，外部必須增加上拉電阻。

l PHY 使用外置晶體時，晶體電容請根據(jù)實際使用的晶體的負載電容值選擇，控制頻偏在+/-20ppm 以內(nèi)。

l **8211F/FI 的 RSET 管腳外接電阻為 2.49K ohm 精度為 1%，不得隨意修改。

l PHY 的初始化硬件配置必須和實際需求匹配。

l MDIO 必須外部加上拉電阻，推薦 1.5-1.8Kohm，上拉電源必須和 IO 電源保持一致。

l 變壓器中心抽頭的連接必須按參考各 Ethernet PHY 廠家的參考設(shè)計，因為不同的 PHY 廠家會有不同的連接方式。

l 1000pF 隔離電容建議采用高壓安規(guī)電容，有足夠大的電氣間隙保證雷擊的安全性。

l 網(wǎng)絡(luò)變壓器高壓側(cè)的 75 ohm 電阻建議采用 0805 以上的封裝。

l 雷擊防護等級達到 4KV 以上需要增加防雷管，普通的隔離變壓器只能滿足 2KV 等級要求。

l 如果有雷擊差分測試要求，MDI 差分對間需要增加 TVS 管。

l 務(wù)必確認 RJ45 封裝和原理圖是否一致，RJ45 有分 Tab down 和 Tab up，信號順序剛好是相反，如果使用**8211F/FI 建議采用 Tab down，MDI 順序是順的。

1.2 PCB設(shè)計建議

l 放電管和接地電容需要放在接口處，并連接到大地；

l ESD器件需要靠近接口放置；

l 復(fù)位信號比較敏感，需要與高速信號隔開；

l 晶體電路布局需要優(yōu)先考慮，布局時應(yīng)與芯片在同一層并盡量靠近放置以避免打過孔，晶體走線盡可能的短，遠離干擾源，盡量遠離板邊緣；

l 晶體以及時鐘信號需要全程包地處理，包地線每隔200mil至少添加一個GND過孔，并且必須保證鄰層的地參考面完整；

l 晶體電路布局時如果與芯片不同層放置，晶體走線及必須全程包地處理，避免被干擾；

l 時鐘走線Xin和Xout以及晶體下方投影區(qū)域禁止任何走線，避免噪聲耦合進入時鐘電路；

l 晶體下方的第二層保持完整的地參考平面，避免任何走線分割，有助于隔離噪聲保持晶體輸出的穩(wěn)定；

l RGMII布線要求如下：