Onsemi互補功率晶體管MJB44H11和MJB45H11：特性與應(yīng)用解析

在電子工程師的日常工作中，功率晶體管是電路設(shè)計里極為關(guān)鍵的元件，特別是在功率放大和開關(guān)應(yīng)用方面。今天我們來深入了解Onsemi的互補功率晶體管MJB44H11（NPN）、NJVMJB44H11（NPN）、MJB45H11（PNP）和NJVMJB45H11（PNP），看看它們有哪些獨特之處。

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產(chǎn)品概述

這些互補功率晶體管采用D2PAK表面貼裝封裝，適用于通用功率放大和開關(guān)應(yīng)用，像開關(guān)穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器和功率放大器的輸出或驅(qū)動級。

產(chǎn)品特性

低飽和電壓

其集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V_{CE(sat)}) 在8.0A時最大為1.0V，這一特性有助于降低功耗，提高效率，在對功耗敏感的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。大家想想，在一些需要長時間運行的設(shè)備里，低飽和電壓能為整體節(jié)能做出多大貢獻呢？

快速開關(guān)速度

具備快速的開關(guān)速度，能滿足高速開關(guān)應(yīng)用的需求，比如在高頻開關(guān)電源中，快速開關(guān)可以減少開關(guān)損耗，提高電源的效率和響應(yīng)速度。

互補對設(shè)計

互補對的設(shè)計簡化了電路設(shè)計，工程師在設(shè)計電路時可以更方便地實現(xiàn)推挽放大等功能，減少了設(shè)計的復(fù)雜度和成本。

環(huán)保材料

環(huán)氧樹脂符合UL 94 V - 0標(biāo)準(zhǔn)（0.125英寸），并且有ESD防護能力，人體模型評級大于8000V，機器模型大于400V，能有效保護晶體管免受靜電損壞。同時，還有NJV前綴的產(chǎn)品適用于汽車等有特殊要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認證，具備PPAP能力。此外，還有無鉛封裝可供選擇，符合環(huán)保要求。

最大額定值

在實際設(shè)計中，我們必須嚴格遵守這些最大額定值，否則可能會損壞器件，影響其可靠性。大家在選型和使用時，有沒有遇到過因為超過額定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢？

熱特性

熱阻方面，結(jié)到外殼的熱阻 (R{theta JC}) 為2.5 (^{circ}C/W) ，結(jié)到環(huán)境的熱阻 (R{theta JA}) 文檔未給出具體數(shù)值。在設(shè)計散熱方案時，我們需要根據(jù)這些熱特性來確保晶體管在合適的溫度范圍內(nèi)工作。熱阻越小，散熱性能越好，那么如何根據(jù)熱阻來設(shè)計散熱片的大小和形狀呢？這是我們在實際設(shè)計中需要考慮的問題。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 集電極 - 發(fā)射極維持電壓 (V{CEO(sus)}) 在 (I{C}=30mA) ，(I{B}=0) 時為80 (V{dc}) 。
• 集電極截止電流 (I{CES}) 在 (V{CE}) 為額定 (V{CEO}) ，(V{BE}=0) 時為10 (A) 。
• 發(fā)射極截止電流 (I{EBO}) 在 (V{EB}=5V_{dc}) 時最大為50 (A) 。

導(dǎo)通特性

• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V{CE(sat)}) 在 (I{C}=8A{dc}) ，(I{B}=0.4A{dc}) 時最大為1.0 (V{dc}) 。
• 基極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V{BE(sat)}) 在 (I{C}=8A{dc}) ，(I{B}=0.8A{dc}) 時最大為1.5 (V{dc}) 。
• 直流電流增益 (h{FE}) 在 (V{CE}=1V{dc}) ，(I{C}=2A{dc}) 時為60，在 (V{CE}=1V{dc}) ，(I{C}=4A_{dc}) 時為40。

動態(tài)特性

• 集電極電容 (C{cb}) 在 (V{CB}=10V{dc}) ，(f{test}=1MHz) 時，MJB44H11和NJVMJB44H11為130pF，MJB45H11和NJVMJB45H11為230pF。
• 增益帶寬積 (f{T}) 在 (I{C}=0.5A{dc}) ，(V{CE}=10V_{dc}) ，(f = 20MHz) 時，MJB44H11和NJVMJB44H11為50MHz，MJB45H11和NJVMJB45H11為40MHz。

開關(guān)時間

• 延遲和上升時間 (tmuikaa0wy+t{r}) 在 (I{C}=5A{dc}) ，(I{B1}=0.5A{dc}) 時，MJB44H11和NJVMJB44H11為300ns，MJB45H11和NJVMJB45H11為135ns。
• 存儲時間 (t{s}) 在 (I{C}=5A{dc}) ，(I{B1}=I{B2}=0.5A{dc}) 時，MJB44H11、NJVMJB44H11、MJB45H11和NJVMJB45H11均為500ns。
• 下降時間 (t{f}) 在 (I{C}=5A{dc}) ，(I{B1}=I{B2}=0.5A{dc}) 時，MJB44H11和NJVMJB44H11為140ns，MJB45H11和NJVMJB45H11為100ns。

這些電氣特性是我們在設(shè)計電路時進行參數(shù)計算和性能評估的重要依據(jù)。不同的應(yīng)用場景對這些特性的要求也不同，大家在實際應(yīng)用中是如何根據(jù)這些特性來優(yōu)化電路設(shè)計的呢？

封裝與訂購信息

采用D2PAK封裝，有不同的訂購選項，如MJB44H11G采用50個/導(dǎo)軌包裝，MJB44H11T4G、NJVMJB44H11T4G、MJB45H11T4G和NJVMJB45H11T4G采用800個/卷帶包裝。在選擇封裝和訂購方式時，我們需要考慮生產(chǎn)規(guī)模、成本和使用便利性等因素。

機械尺寸與標(biāo)記信息

文檔還給出了D2PAK封裝的機械尺寸和標(biāo)記信息，這對于電路板的布局和焊接非常重要。在進行PCB設(shè)計時，我們要嚴格按照這些尺寸和標(biāo)記要求來進行，確保晶體管能夠正確安裝和使用。

Onsemi的這些互補功率晶體管在性能和特性上有很多優(yōu)勢，適用于多種功率應(yīng)用場景。作為電子工程師，我們需要充分了解這些產(chǎn)品的特點，根據(jù)具體的設(shè)計需求合理選型和應(yīng)用，以實現(xiàn)最優(yōu)的電路性能。大家在使用這些晶體管時，有沒有發(fā)現(xiàn)一些獨特的應(yīng)用技巧或者遇到過什么問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。