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LTC4235:實(shí)現(xiàn)理想二極管OR和熱插拔功能的利器

chencui ? 2026-05-25 13:30 ? 次閱讀
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LTC4235:實(shí)現(xiàn)理想二極管OR和熱插拔功能的利器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源冗余和熱插拔功能是提高系統(tǒng)可靠性和可用性的關(guān)鍵技術(shù)。Linear Technology的LTC4235芯片為我們提供了一種高效、可靠的解決方案,能夠?qū)崿F(xiàn)理想二極管OR和熱插拔功能,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。今天我們就一起來深入了解一下這款芯片。

文件下載:DC2315A-A.pdf

產(chǎn)品概述

特性亮點(diǎn)

  • 理想二極管OR和浪涌電流控制:為冗余電源提供理想二極管OR功能和浪涌電流控制,能夠在多個(gè)電源之間實(shí)現(xiàn)平滑切換,減少電源切換時(shí)的電壓波動(dòng)。
  • 低損耗替代:用外部N溝道MOSFET替代功率肖特基二極管,降低了功率損耗,節(jié)省了電路板空間和散熱成本。
  • 安全熱插拔:支持熱插拔功能,允許在帶電背板上安全插入和移除電路板,避免因插拔操作引起的電源故障。
  • 寬電壓范圍:工作電壓范圍為9V至14V,適應(yīng)多種電源系統(tǒng)。
  • 電流監(jiān)測(cè):提供電流監(jiān)測(cè)輸出,方便實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源電流。
  • 快速響應(yīng):能夠在≤1μs內(nèi)限制峰值故障電流,具有可調(diào)的電流限制和折返功能,以及可調(diào)的電流限制故障延遲。
  • 故障和電源正常輸出:提供故障和電源正常輸出信號(hào),方便系統(tǒng)監(jiān)測(cè)和故障診斷。
  • 不同工作模式:LTC4235 - 1在故障后鎖存關(guān)閉,LTC4235 - 2在故障后自動(dòng)重試。
  • 緊湊封裝:采用20引腳4mm x 5mm QFN封裝,節(jié)省電路板空間。

應(yīng)用領(lǐng)域

LTC4235廣泛應(yīng)用于冗余電源、高可用性系統(tǒng)和服務(wù)器、電信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域,能夠有效提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

技術(shù)規(guī)格

絕對(duì)最大額定值

  • 電壓范圍:CPO1、CPO2、DGATE1、DGATE2、HGATE引腳的電壓范圍為 - 0.3V至35V,OUT引腳的電壓范圍為 - 0.3V至24V。
  • 平均電流:FAULT、PWRGD引腳的平均電流為5mA,INTVCC引腳的平均電流為10mA。
  • 溫度范圍:LTC4235C的工作環(huán)境溫度范圍為0°C至70°C,LTC4235I的工作環(huán)境溫度范圍為 - 40°C至85°C,存儲(chǔ)溫度范圍為 - 65°C至150°C。

電氣特性

  • 電源:輸入電源范圍為9V至14V,輸入電源電流為2.7至4mA,內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓為4.5至5.5V。
  • 理想二極管控制:正向調(diào)節(jié)電壓為2至28mV,外部N溝道柵極驅(qū)動(dòng)電壓為10至14V,CPO引腳的上拉電流為 - 50至 - 120μA,DGATE引腳的快速上拉和下拉電流為1.5A。
  • 熱插拔控制:電流限制感應(yīng)電壓閾值為5.8至27.5mV,HGATE引腳的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為10至14V,OUT引腳的電源正常閾值為10.2至10.8V。
  • 輸入和輸出:各輸入引腳具有相應(yīng)的閾值電壓和滯回電壓,輸出引腳具有不同的電流和電壓特性。
  • 電流監(jiān)測(cè):浮動(dòng)穩(wěn)壓器電壓為3.6至4.6V,輸入感應(yīng)電壓滿量程為25mV,IMON引腳的電壓增益為100。

引腳功能

關(guān)鍵引腳

  • CPO1、CPO2電荷泵輸出引腳,連接電容用于理想二極管控制,為MOSFET柵極提供快速開啟所需的電荷。
  • DGATE1、DGATE2:理想二極管MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳,控制外部N溝道MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷。
  • D2OFF:控制輸入引腳,用于控制IN2電源路徑中理想二極管MOSFET的開關(guān)。
  • EN:使能輸入引腳,接地時(shí)啟用熱插拔控制。
  • FAULT:過流故障狀態(tài)輸出引腳,故障時(shí)拉低。
  • FTMR:故障定時(shí)器電容端子,連接電容設(shè)置電流限制的持續(xù)時(shí)間。
  • HGATE:熱插拔MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳,控制外部N溝道MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷。
  • IN1、IN2:正電源輸入和理想二極管MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)返回引腳,為芯片提供電源并控制DGATE引腳。
  • INTVCC:內(nèi)部5V電源去耦輸出引腳,需連接電容進(jìn)行去耦。
  • IMON:電流感應(yīng)監(jiān)測(cè)輸出引腳,電壓與電流感應(yīng)電阻上的電壓成正比。
  • ON:ON控制輸入引腳,控制外部熱插拔MOSFET的開關(guān)。
  • OUT:熱插拔MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)返回引腳,用于監(jiān)測(cè)輸出電壓和控制電流限制。
  • PWRGD:電源狀態(tài)輸出引腳,指示電源是否正常。
  • REG電流感應(yīng)放大器的內(nèi)部穩(wěn)壓電源引腳,需連接電容進(jìn)行旁路。
  • SENSE+、SENSE -:正、負(fù)電流感應(yīng)輸入引腳,用于監(jiān)測(cè)電流和控制MOSFET。

工作原理

整體功能

LTC4235通過控制外部N溝道MOSFET,實(shí)現(xiàn)輸入電源的二極管OR功能、浪涌電流限制和過流保護(hù),允許在冗余電源系統(tǒng)中安全插入和移除電路板。

啟動(dòng)過程

  • 上電時(shí),外部MOSFET的柵極保持低電平,處于關(guān)斷狀態(tài)。
  • 當(dāng)D2OFF引腳拉低時(shí),DGATE2引腳拉高,理想二極管MOSFET開啟。
  • 柵極驅(qū)動(dòng)放大器監(jiān)測(cè)IN和SENSE +引腳之間的電壓,當(dāng)檢測(cè)到較大的正向電壓降時(shí),快速拉高DGATE引腳,開啟MOSFET。
  • 同時(shí),內(nèi)部電荷泵為CPO引腳充電,為理想二極管MOSFET的快速開啟提供電荷。

熱插拔控制

  • 當(dāng)ON引腳拉高且EN引腳拉低時(shí),啟動(dòng)100ms的去抖計(jì)時(shí)周期。
  • 計(jì)時(shí)周期結(jié)束后,電荷泵的10μA電流源使HGATE引腳電壓上升,開啟熱插拔MOSFET。
  • 浪涌電流由外部感應(yīng)電阻限制,同時(shí)內(nèi)部電流限制放大器控制MOSFET的柵極,將感應(yīng)電阻上的電壓限制在25mV以下。
  • 當(dāng)OUT引腳電壓高于10.5V且MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓超過4.2V時(shí),PWRGD引腳拉低,指示電源正常。

電流監(jiān)測(cè)

高側(cè)電流感應(yīng)放大器對(duì)電流感應(yīng)電阻上的電壓進(jìn)行放大和電平轉(zhuǎn)換,將信號(hào)輸出到IMON引腳,方便進(jìn)行電流監(jiān)測(cè)。

故障處理

  • 當(dāng)輸入電源短路時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)放大器檢測(cè)到故障,拉低DGATE引腳,關(guān)閉理想二極管MOSFET。
  • 當(dāng)輸出發(fā)生過流故障時(shí),電流限制放大器控制MOSFET的柵極,限制電流。
  • 故障定時(shí)器計(jì)時(shí)結(jié)束后,拉低HGATE引腳,關(guān)閉熱插拔MOSFET,同時(shí)FAULT引腳拉低。

應(yīng)用信息

內(nèi)部VCC電源

LTC4235的輸入電源范圍為9V至14V,內(nèi)部通過低壓差穩(wěn)壓器(LDO)將電源調(diào)節(jié)為5V,為芯片內(nèi)部電路供電。內(nèi)部二極管OR電路選擇IN和OUT引腳中電壓較高的電源為芯片供電,確保在輸入電源故障時(shí)仍能保持芯片正常工作。

啟動(dòng)和關(guān)閉順序

  • 啟動(dòng)順序:理想二極管MOSFET先開啟,當(dāng)內(nèi)部生成的INTVCC電壓超過2.2V的欠壓鎖定閾值時(shí),內(nèi)部電荷泵為CPO引腳充電。經(jīng)過100ms的去抖計(jì)時(shí)周期后,熱插拔MOSFET開啟,浪涌電流受到限制。當(dāng)OUT引腳電壓和MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓滿足條件時(shí),PWRGD引腳拉低,指示電源正常。
  • 關(guān)閉順序:可以通過拉低ON引腳、拉高EN引腳或發(fā)生過流故障等方式關(guān)閉外部MOSFET。當(dāng)INTVCC電壓低于欠壓鎖定閾值時(shí),所有MOSFET關(guān)閉。

過流故障處理

LTC4235具有可調(diào)的電流限制和折返功能,能夠保護(hù)外部MOSFET免受短路或過大負(fù)載電流的影響。當(dāng)輸出處于電流限制狀態(tài)且超過故障定時(shí)器設(shè)定的時(shí)間時(shí),熱插拔MOSFET關(guān)閉,F(xiàn)AULT引腳拉低。故障定時(shí)器電容的充電和放電過程決定了故障后的冷卻時(shí)間和重試機(jī)制。

電源監(jiān)測(cè)

  • 欠壓故障監(jiān)測(cè):ON引腳可作為輸入電源監(jiān)測(cè)引腳,通過連接電阻分壓器監(jiān)測(cè)電源的欠壓情況。當(dāng)電源電壓低于欠壓閾值時(shí),熱插拔MOSFET關(guān)閉;當(dāng)電源電壓恢復(fù)正常時(shí),熱插拔MOSFET可重新開啟。
  • 電源正常監(jiān)測(cè):內(nèi)部電路監(jiān)測(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和OUT引腳電壓,通過PWRGD引腳輸出電源狀態(tài)信息。

電流感應(yīng)監(jiān)測(cè)

LTC4235的電流感應(yīng)放大器對(duì)外部感應(yīng)電阻上的電流進(jìn)行監(jiān)測(cè),輸出電壓與感應(yīng)電壓成正比。通過在IMON引腳連接電容,可以對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行濾波,減少噪聲干擾。

元件選擇和設(shè)計(jì)示例

  • 電流感應(yīng)電阻:根據(jù)最大負(fù)載電流和電流限制感應(yīng)電壓閾值計(jì)算感應(yīng)電阻的阻值。
  • MOSFET:選擇合適的MOSFET,考慮其導(dǎo)通電阻、最大漏源電壓和閾值電壓等參數(shù)。
  • 電容:CPO引腳的電容值約為理想二極管MOSFET輸入電容的10倍,HGATE引腳的電容用于控制柵極斜率,限制浪涌電流。
  • 電阻:ON引腳的電阻分壓器用于設(shè)置電源欠壓閾值。

PCB布局考慮

為了實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的電流感應(yīng)和良好的散熱性能,建議采用Kelvin連接方式連接感應(yīng)電阻,保持PCB布局的平衡和對(duì)稱,減少布線誤差。同時(shí),合理安排旁路電容和瞬態(tài)電壓抑制器的位置,降低電源瞬態(tài)干擾。

總結(jié)

LTC4235是一款功能強(qiáng)大的芯片,能夠?yàn)槿哂嚯娫聪到y(tǒng)提供理想的二極管OR和熱插拔解決方案。通過合理選擇元件和優(yōu)化PCB布局,我們可以充分發(fā)揮LTC4235的性能,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,你是否遇到過類似芯片應(yīng)用的挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和想法。

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  • 熱插拔
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