onsemi PNP硅通用晶體管BC807系列:特點(diǎn)、參數(shù)與應(yīng)用解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是安森美(onsemi)的BC807 - 16L、BC807 - 25L和BC807 - 40L這三款PNP硅通用晶體管,了解它們的特點(diǎn)、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
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產(chǎn)品特點(diǎn)
汽車及特殊應(yīng)用適用
這些晶體管帶有“S”前綴,適用于汽車和其他對(duì)生產(chǎn)場(chǎng)地和控制變更有特殊要求的應(yīng)用。并且,它們通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力,這意味著它們?cè)谄嚨葘?duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域也能穩(wěn)定工作。
環(huán)保設(shè)計(jì)
產(chǎn)品采用無(wú)鉛、無(wú)鹵化物/無(wú)溴化阻燃劑(BFR)設(shè)計(jì),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),響應(yīng)了環(huán)保需求,也滿足了相關(guān)法規(guī)要求。
封裝形式
采用SOT - 23封裝(CASE 318 STYLE 6),這種封裝體積小,適合用于對(duì)空間要求較高的電路設(shè)計(jì)。
最大額定值
| 了解晶體管的最大額定值對(duì)于正確使用和避免損壞至關(guān)重要。以下是這些晶體管的主要最大額定值: | 額定值 | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | -45 | V | |
| 集電極 - 基極電壓 | VCBO | -50 | V | |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEBO | -6.0 | V | |
| 集電極連續(xù)電流 | IC | -500 | mAdc |
當(dāng)施加的應(yīng)力超過(guò)這些最大額定值時(shí),可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
熱特性
| 熱特性是衡量晶體管在工作過(guò)程中散熱和溫度變化的重要指標(biāo)。 | 特性 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 總器件功耗(FR - 5板,25°C以上降額) | 225 1.8 | mW mW/°C | ||
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻(注1) | RUA | 436 | °C/W | |
| 總器件功耗(氧化鋁基板,TA = 25°C,25°C以上降額) | PD | 300 2.4 | mW | |
| 結(jié)和儲(chǔ)存溫度 | TJ, Tstg | -55 到 +150 | °C |
注1:FR - 4板,1 oz.Cu,100mm2;注2:氧化鋁 = 0.4 × 0.3 × 0.024 in 99.5%氧化鋁。在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要根據(jù)這些熱特性合理布局散熱措施,以確保晶體管在合適的溫度范圍內(nèi)工作。
電氣特性
截止特性
- 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓:當(dāng)IC = -10 mA時(shí),V(BR)CEO為 -45 V;當(dāng)VEB = 0,IC = -10 A時(shí),V(BR)CES為 -50 V。
- 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓:當(dāng)IE = -1.0 A時(shí),V(BR)EBO為 -6.0 V。
- 集電極截止電流:在VCB = -20 V時(shí),ICBO為 -100 nA;在VCB = -20 V,TJ = 150°C時(shí),ICBO為 -5.0 μA。
導(dǎo)通特性
- 直流電流增益(hFE):不同型號(hào)的晶體管在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下有不同的增益值。例如,BC807 - 25、SBC807 - 25L在IC = -100 mA,VCE = -1.0 V時(shí),hFE為100 - 250;在IC = -500 mA,VCE = -1.0 V時(shí),hFE為250 - 600。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:當(dāng)IC = -500 mA,IB = -50 mA時(shí),VCE(sat)為 -0.7 V。
- 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓:當(dāng)IC = -500 mA,VCE = -1.0 V時(shí),VBE(on)為 -1.2 V。
小信號(hào)特性
- 電流增益 - 帶寬積:在IC = -10 mA,VCE = -5.0 Vdc,f = 100 MHz時(shí),fT為100 MHz。
- 輸出電容:在VCB = -10 V,f = 1.0 MHz時(shí),Cobo為 -10 pF。
這些電氣特性是工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)選擇合適晶體管的重要依據(jù)。不同的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)晶體管的電氣性能要求不同,需要根據(jù)具體需求進(jìn)行選擇。
訂購(gòu)信息
產(chǎn)品提供了多種訂購(gòu)選項(xiàng),包括不同的包裝形式和數(shù)量。例如,BC807 - 16LT1G和SBC807 - 16LT1G以3000個(gè)/卷帶盤的形式包裝,而B(niǎo)C807 - 16LT3G和SBC807 - 16LT3G則以10,000個(gè)/卷帶盤的形式包裝。同時(shí),帶有“S”前綴的產(chǎn)品適用于汽車等特殊應(yīng)用。
典型特性曲線
文檔中還給出了多個(gè)典型特性曲線,如DC電流增益與集電極電流的關(guān)系、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓與集電極電流的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)這些曲線進(jìn)一步優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。
總結(jié)
onsemi的BC807 - 16L、BC807 - 25L和BC807 - 40L PNP硅通用晶體管具有多種優(yōu)點(diǎn),包括適用于特殊應(yīng)用、環(huán)保設(shè)計(jì)、小封裝等。通過(guò)了解其最大額定值、熱特性、電氣特性和典型特性曲線,工程師可以更好地選擇和使用這些晶體管,設(shè)計(jì)出性能穩(wěn)定、可靠的電子電路。在實(shí)際應(yīng)用中,你是否遇到過(guò)因?yàn)榫w管選擇不當(dāng)而導(dǎo)致的電路問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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