50C02CH NPN雙極晶體管:小身材大能量
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天要給大家介紹的是ON Semiconductor推出的50C02CH NPN雙極晶體管,它在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品特點(diǎn)
大電流承載能力
50C02CH具備較大的電流承載能力,其最大集電極電流(IC)可達(dá)500 mA,脈沖集電極電流(ICP)更是能到1.0 A。這使得它在需要處理較大電流的電路中表現(xiàn)出色,例如小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
低飽和電壓與電阻
該晶體管的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))很低,典型值下RCE(sat)僅為175 mΩ((I{C}=0.5 ~A) ,(I{B}=50 ~mA) )。低飽和電壓和電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,晶體管的功耗更低,能有效提高電路的效率。
超小封裝
采用超小封裝設(shè)計(jì),這對(duì)于追求小型化的終端產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是一大福音。超小封裝有助于產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)更緊湊的布局,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化的需求。
小導(dǎo)通電阻
具有較小的導(dǎo)通電阻(Ron),這在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠減少導(dǎo)通損耗,提高開(kāi)關(guān)速度和效率。
典型應(yīng)用
低頻放大器
憑借其良好的電流放大特性和低噪聲性能,50C02CH可用于低頻放大器電路,為信號(hào)提供穩(wěn)定的放大功能。
高速開(kāi)關(guān)
小導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間,使得它非常適合高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠快速切換電路狀態(tài),滿足高頻信號(hào)處理的需求。
小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)
大電流承載能力使其能夠驅(qū)動(dòng)小型電機(jī),為電機(jī)提供穩(wěn)定的電流輸出,保證電機(jī)的正常運(yùn)行。
靜音電路
在一些需要靜音控制的電路中,50C02CH可以發(fā)揮其開(kāi)關(guān)控制的作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)聲音信號(hào)的有效控制。
電氣特性
絕對(duì)最大額定值
| 在 (Ta = 25^{circ} C) 條件下,各項(xiàng)絕對(duì)最大額定值如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | VCBO | 60 | V | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 50 | V | |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEBO | 5 | V | |
| 集電極電流 | IC | 500 | mA | |
| 集電極電流(脈沖) | ICP | 1.0 | A | |
| 集電極功耗 | PC | 700 | mW | |
| 結(jié)溫 | Tj | 150 | ° C | |
| 存儲(chǔ)溫度 | Tstg | ? 55 to +150 | ° C |
電氣特性參數(shù)
| 在 (Ta = 25^{circ} C) 條件下,部分關(guān)鍵電氣特性參數(shù)如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 集電極截止電流 | ICBO | VCB = 40V, IE = 0A | 100 | nA | |||
| 發(fā)射極截止電流 | IEBO | VEB = 4V, IC = 0A | 100 | nA | |||
| 直流電流增益 | hFE | VCE = 2V, IC = 10mA | 300 | 800 | |||
| 增益 - 帶寬積 | fT | VCE = 10V, IC = 50mA | 500 | MHz | |||
| 輸出電容 | Cob | VCB = 10V, f = 1MHz | 2.8 | pF | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 | VCE(sat) | IC = 100mA, IB = 10mA | 50 | 100 | mV | ||
| 基極 - 發(fā)射極飽和電壓 | VBE(sat) | IC = 100mA, IB = 10mA | 0.9 | 1.2 | V | ||
| 集電極 - 基極擊穿電壓 | V(BR)CBO | IC = 10μA, IE = 0A | 60 | V | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 | V(BR)CEO | IC = 1mA, RBE = ∞ | 50 | V | |||
| 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓 | V(BR)EBO | IE = 10μA, IC = 0A | 5 | V | |||
| 開(kāi)啟時(shí)間 | ton | 見(jiàn)指定測(cè)試電路 | 30 | ns | |||
| 存儲(chǔ)時(shí)間 | tstg | 340 | ns | ||||
| 下降時(shí)間 | tf | 55 | ns |
封裝與訂購(gòu)信息
封裝尺寸
采用CPH3 CASE 318BA封裝,單位為mm,同時(shí)給出了推薦的焊接焊盤尺寸。
訂購(gòu)信息
| 器件 | 標(biāo)記 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|
| 50C02CH - TL - E | CX | CPH3 (無(wú)鉛) | 3,000 / 卷帶包裝 |
總結(jié)
50C02CH NPN雙極晶體管以其大電流承載能力、低飽和電壓、超小封裝等特點(diǎn),在低頻放大、高速開(kāi)關(guān)、小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),可以考慮該晶體管的優(yōu)勢(shì),結(jié)合具體的應(yīng)用需求進(jìn)行合理選擇。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似特性的晶體管呢?它們又有哪些不同之處呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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