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帝奧微推出新一代超低噪聲運(yùn)放DIO274X

江蘇帝奧微電子股份有限公司 ? 來(lái)源:江蘇帝奧微電子股份有限 ? 2026-05-25 17:48 ? 次閱讀
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算力的持續(xù)提升,對(duì)光模塊的傳輸速率和傳輸距離提出了更高要求。一方面,發(fā)射端激光器的功率越來(lái)越高,需要檢測(cè)獨(dú)立光源的信號(hào)大??;另一方面,隨著距離的增加,接收端接收到的信號(hào)越來(lái)越弱。

RSSI(Receiver Signal Strength Indicator, 接收信號(hào)強(qiáng)度指示)表征了接收光信號(hào)的強(qiáng)弱,通過(guò)PD(光電二極管耦合出極小的電流信號(hào),需要借助一個(gè)低噪聲的運(yùn)算放大器將信號(hào)放大,同時(shí)不能額外引入太多噪聲,以保證接收信號(hào)的信噪比。通過(guò)計(jì)算出接收信號(hào)的大小,光模塊的處理器再控制激光器的輸出功率,從而實(shí)現(xiàn)閉環(huán)功率控制。

eff1d2d6-57cf-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

圖1:光模塊的閉環(huán)功控

f052f1ce-57cf-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

圖2:DIO274X接收端信號(hào)檢測(cè)

DIO274X主要參數(shù)如下:

寬供電范圍:1.8V~5.5V

等效輸入電壓噪聲:

輸入漏電流:1pA

增益帶寬積:10MHz

靜態(tài)功耗:全溫下小于1mA

封裝:SOT23-5/SC70/MSOP8/DFN2*2-8等

與國(guó)外同類產(chǎn)品主要參數(shù)對(duì)比如下

(CMOS工藝相同):

f0a76074-57cf-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

圖3:參數(shù)對(duì)比表

除了光通信之外,DIO274X憑借其極低的輸入噪聲、高帶寬增益積和超低輸入漏電流,在聲控錄音設(shè)備、氣體傳感器等領(lǐng)域均有廣闊的應(yīng)用前景。

DIO274X創(chuàng)新突破

輸入噪聲

本款自研超低噪聲運(yùn)算放大器,依托獨(dú)創(chuàng)底層降噪架構(gòu)與輸入級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì),突破傳統(tǒng)運(yùn)放噪聲瓶頸。通過(guò)專屬電路拓?fù)渑c工藝布局深度耦合,精準(zhǔn)抑制1/f低頻噪聲與熱噪聲干擾,實(shí)現(xiàn)全頻段極致低噪表現(xiàn)。相較通用精密運(yùn)放具備碾壓級(jí)噪聲抑制能力,無(wú)需額外復(fù)雜濾波電路,可無(wú)損捕捉微伏級(jí)微弱原始信號(hào),為精密測(cè)量、傳感采集、醫(yī)療信號(hào)、高端音頻等場(chǎng)景,樹立超低噪聲信號(hào)鏈全新技術(shù)標(biāo)桿。

輸入漏電流

該款超低噪聲運(yùn)算放大器同時(shí)兼具極致低輸入偏置電流Ib特性,通過(guò)優(yōu)化輸入級(jí)器件結(jié)構(gòu),并采用獨(dú)特的超低漏電ESD架構(gòu),能夠大幅抑制輸入pin漏電,實(shí)現(xiàn)pA級(jí)超低Ib表現(xiàn)。極小輸入偏置電流可有效避免高阻抗傳感器、光電探測(cè)、微弱信號(hào)采集場(chǎng)景下的分壓誤差與漂移失真,在保證超低噪聲性能的同時(shí),兼顧高阻抗負(fù)載適配與高精度直流穩(wěn)定性,雙核心指標(biāo)同步拉滿,綜合性能遠(yuǎn)超常規(guī)精密運(yùn)放。

作為國(guó)內(nèi)頭部模擬芯片供應(yīng)商,帝奧微在AI相關(guān)產(chǎn)品持續(xù)布局和發(fā)力。公司依托核心技術(shù)優(yōu)勢(shì),從AI端側(cè)的消費(fèi)電子,到AI云端的服務(wù)器/光模塊的數(shù)據(jù)中心,再到車載應(yīng)用的智能汽車領(lǐng)域,均布局針對(duì)性解決方案。帝奧微正以多元化的產(chǎn)品矩陣,全面賦能關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)發(fā)展,鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)先地位與技術(shù)護(hù)城河。

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原文標(biāo)題:【光通信傳輸“芯”標(biāo)尺】帝奧微推出新一代超低噪聲運(yùn)放DIO274X

文章出處:【微信號(hào):江蘇帝奧微電子股份有限公司,微信公眾號(hào):江蘇帝奧微電子股份有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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