安森美單芯片雙開關(guān)二極管MMBD2837LT1G、MMBD2838LT1G、SMMBD2837LT1G技術(shù)解析
安森美單芯片雙開關(guān)二極管MMBD2837LT1G、MMBD2838LT1G、SMMBD2837LT1G技術(shù)解析
安森美（onsemi）的MMBD2837LT1G、MMBD2838LT1G和SMMBD2837LT1G是單芯片雙開關(guān)二極管，在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。下面我們就從多個方面對這幾款二極管進(jìn)行詳細(xì)解析。
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產(chǎn)品特性
應(yīng)用資質(zhì)
這些二極管帶有S前綴，適用于汽車及其他有獨(dú)特產(chǎn)地和控制變更要求的應(yīng)用。同時，它們通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力，這意味著它們在質(zhì)量和可靠性上達(dá)到了較高的標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿足汽車等對安全性和穩(wěn)定性要求極高的應(yīng)用場景。
環(huán)保特性
產(chǎn)品為無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑（BFR），并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這不僅響應(yīng)了環(huán)保政策的要求，也使得產(chǎn)品在全球市場上更具競爭力，能夠適應(yīng)不同地區(qū)的環(huán)保法規(guī)。
最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 峰值反向電壓 | VRM | 75 | Vdc |
| D.C.反向電壓（MMBD2837LT1G、SMMBD2837LT1G） | VR | 30 | Vdc |
| D.C.反向電壓（MMBD2838LT1G） | VR | 50 | Vdc |
| 峰值正向電流（MMBD2837LT1G、SMMBD2837LT1G） | IFM | 450 | mAdc |
| 峰值正向電流（MMBD2838LT1G） | IFM | 300 | mAdc |
| 平均整流電流（MMBD2837LT1G、SMMBD2837LT1G） | IO | 150 | mAdc |
| 平均整流電流（MMBD2838LT1G） | IO | 100 | mAdc |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能正常，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。工程師在設(shè)計(jì)電路時，一定要確保二極管的工作條件在這些額定值范圍內(nèi)。
熱特性
不同基板下的散熱情況
| 散熱相關(guān)參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| FR - 5板總器件功耗（TA = 25°C） | PD | 225 | mW |
| FR - 5板總器件功耗（高于25°C時的降額） | PD | 1.8 | mW/°C |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻（FR - 5板） | ReJA | 556 | °C/W |
| 氧化鋁基板總器件功耗（TA = 25°C） | PD | 300 | mW |
| 氧化鋁基板總器件功耗（高于25°C時的降額） | PD | 2.4 | mW/°C |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻（氧化鋁基板） | RUA | 417 | °C/W |
| 結(jié)和存儲溫度范圍 | TJ, Tstg | -55 to +150 | °C |
從這些數(shù)據(jù)可以看出，使用氧化鋁基板時，器件的散熱性能更好，能夠承受更高的功耗。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師可以根據(jù)具體的散熱需求和成本等因素，選擇合適的基板材料。
電氣特性
關(guān)斷特性
| 特性 | 符號 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 反向擊穿電壓（I(BR) = 100 μAdc，MMBD2837LT1G、SMMBD2837LT1G） | V(BR) | 35 | - | Vdc |
| 反向擊穿電壓（I(BR) = 100 μAdc，MMBD2838LT1G） | V(BR) | 75 | - | Vdc |
| 反向電壓泄漏電流（VR = 30 Vdc，MMBD2837LT1G、SMMBD2837LT1G） | R | - | 0.1 | uAdc |
| 反向電壓泄漏電流（VR = 50 Vdc，MMBD2838LT1G） | R | - | 0.1 | uAdc |
| 二極管電容（VR = 0 V，f = 1.0 MHz） | CT | - | 4.0 | pF |
| 正向電壓（IF = 10 mAdc） | VF | - | 1.0 | Vdc |
| 正向電壓（IF = 50 mAdc） | VF | - | 1.0 | Vdc |
| 正向電壓（IF = 100 mAdc） | VF | - | 1.2 | Vdc |
| 反向恢復(fù)時間（IF = IR = 10 mAdc，IR(REC) = 1.0 mAdc） | tr | - | 4.0 | ns |
這些電氣特性是工程師在電路設(shè)計(jì)中需要重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)。例如，反向擊穿電壓決定了二極管在反向偏置時能夠承受的最大電壓；反向恢復(fù)時間則影響著二極管在開關(guān)過程中的速度和效率。
封裝與訂購信息
封裝形式
| 這幾款二極管采用SOT - 23（TO - 236AB）封裝，具有一定的尺寸規(guī)格。其具體的封裝尺寸如下： | 尺寸 | 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.89 | 1.00 | 1.11 | |
| A1 | 0.01 | 0.06 | 0.10 | |
| b | 0.37 | 0.44 | 0.50 | |
| C | 0.08 | 0.14 | 0.20 | |
| D | 2.80 | 2.90 | 3.04 | |
| E | 1.20 | 1.30 | 1.40 | |
| e | 1.78 | 1.90 | 2.04 | |
| L | 0.30 | 0.43 | 0.55 | |
| L1 | 0.35 | 0.54 | 0.69 | |
| HE | 2.10 | 2.40 | 2.64 | |
| T | 0° | - | 10° |
訂購信息
| 器件型號 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| MMBD2837LT1G | SOT - 23（無鉛） | 3,000 / 卷帶 |
| SMMBD2837LT1G | SOT - 23（無鉛） | 3,000 / 卷帶 |
| MMBD2838LT1G | SOT - 23（無鉛） | 3,000 / 卷帶 |
在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)電路的布局和空間要求，選擇合適的封裝形式。同時，根據(jù)生產(chǎn)需求確定訂購的數(shù)量。
總結(jié)
安森美MMBD2837LT1G、MMBD2838LT1G和SMMBD2837LT1G單芯片雙開關(guān)二極管具有多種優(yōu)秀特性，在汽車等多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。工程師在使用這些二極管時，需要充分了解其各項(xiàng)參數(shù)和特性，結(jié)合具體的設(shè)計(jì)需求，合理選擇和應(yīng)用，以確保電路的性能和可靠性。你在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否使用過類似的二極管呢？遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享。
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