新系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的智能STripFET F8功率技術(shù)，靜態(tài)性能更高，芯片尺寸更小

意法半導(dǎo)體推出一系列低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）的MOSFET功率開關(guān)管。系列產(chǎn)品采用智能STripFET F8技術(shù)，其設(shè)計旨在實現(xiàn)最佳的導(dǎo)電性能和較小的芯片尺寸，面向汽車配電系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用場景。

新系列首款產(chǎn)品STL059N4S8AG是一款40V/420A N溝道增強(qiáng)型MOSFET，導(dǎo)通電阻Rds(on)為0.59mΩ，采用PowerFLAT 5x6封裝。緊湊的外形可節(jié)省PCB空間，便于設(shè)計更小的控制模塊；同時高導(dǎo)熱性和高效散熱性能有助于滿足嚴(yán)苛的可靠性指標(biāo)。該器件還將最高工作溫度提高至175℃。STL059N4S8AG通過了AEC?Q101車規(guī)認(rèn)證，采用可濕潤側(cè)面封裝，便于汽車裝配中的光學(xué)檢測。

意法半導(dǎo)體的智能STripFET F8技術(shù)在傳統(tǒng)STripFET F8的基礎(chǔ)上優(yōu)化了溝槽柵極結(jié)構(gòu)，提升了導(dǎo)通性能與芯片面積利用率。該系列器件適合那些需要通過最小化導(dǎo)通損耗來提升整體能效的應(yīng)用場景，尤其適用于大電流配電場景，與意法半導(dǎo)體的STi2Fuse VIPower柵極驅(qū)動器配合使用，節(jié)能效果更佳。該柵極驅(qū)動器具備可調(diào)節(jié)的斷路保護(hù)功能，保護(hù)PCB走線、連接器及線束的電氣安全。在汽車應(yīng)用中，智能STripFET F8 MOSFET能夠?qū)㈦姵仉娔芨咝У剌斔椭淋囕d電氣系統(tǒng)，同時降低耗散功率，延長續(xù)航里程。在以電芯狀態(tài)監(jiān)測、負(fù)載均衡與安全保護(hù)為核心功能的電池管理系統(tǒng)（BMS）中，新系列MOSFET更低的導(dǎo)通電阻Rds(on)可有效提升電池充放電效率。

STL059N4S8AG目前已量產(chǎn)，符合汽車級標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體后續(xù)還將推出額定電流350A、導(dǎo)通電阻0.75mΩ的STL075N4S8AG和額定電流780A、導(dǎo)通電阻0.35mΩ的STK035N4S8AG。