EVDD430S / EVDD430CY：助力MOSFET/IGBT驅(qū)動評估與開發(fā)

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET和IGBT驅(qū)動的評估與開發(fā)是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。今天，我們就來深入了解一下EVDD430S / EVDD430CY這兩款30A超快速MOSFET / IGBT驅(qū)動評估板。

文件下載：EVDD430MCI.pdf

一、評估板概述

EVDD430S / EVDD430CY評估板是通用電路板，其設(shè)計目的有兩個：一是簡化對IXYS IXDS430、IXDD430、IXDI430和IXDN430 MOSFET / IGBT驅(qū)動器的評估；二是為電源電路開發(fā)提供基礎(chǔ)模塊。

這兩款評估板有多種IC封裝類型可供選擇，包括SOIC - 28、5引腳TO - 220和5引腳TO - 263，并且分別在兩塊不同的電路板上實現(xiàn)。電路板的布局支持TO - 247、TO - 264或SOT - 227封裝的MOSFET或IGBT，還允許將被驅(qū)動的設(shè)備安裝到散熱器上。這樣一來，電路板組件可以作為接地參考的低端功率開關(guān)，適用于單端和推挽配置。

對于三種驅(qū)動器封裝的電路板布局，都允許將設(shè)備的引腳焊接或連接到接地平面，以在使用大型MOSFET設(shè)備的高功率、高頻應(yīng)用中改善散熱。同時，布局經(jīng)過優(yōu)化，減少了走線長度，增加了面積，從而降低了電感，提高了性能。

二、評估板外觀與輸入信號

外觀展示

從文中給出的圖片可以看到，圖1和圖2是裝有IXDI430CI TO - 220驅(qū)動器的EVDD430CY板的正反面照片，圖3和圖4則是配備IXDS430S 28引腳SOIC封裝的EVDD430S板的正反面照片。

輸入信號說明

評估板上有多個輸入信號點?！癝ignal In”是一個與TTL或CMOS電平兼容的輸入，用于控制功率器件Q1或Q2的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)。“Disable”是一個可選輸入，具體取決于安裝的設(shè)備，它控制三態(tài)輸出（僅適用于IXDD430和IXDS430設(shè)備）。三態(tài)模式可用于電機驅(qū)動電路，當(dāng)檢測到過流時，反饋一個禁用信號，通過一個單獨的“泄放”電阻以較慢的速率控制IGBT的關(guān)斷。“VCC - IN”是低電壓（8.5 - 35V）電源輸入。圖5和圖6展示了TO - 247、TO - 264、SOT - 227功率器件的安裝情況。

三、電路工作原理

信號輸入與布局優(yōu)化

評估板的原理圖如圖8和圖9所示。外部驅(qū)動信號施加到“Signal In”測試點。印刷電路板（PCB）在50歐姆輸入電阻R4兩端提供了焊盤，以便可以將同軸電纜直接焊接到電路板上。PCB的設(shè)計旨在盡量減少與長而窄的走線相關(guān)的寄生電感，并且提供了大的連接點，用戶可以連接更大的電線或銅帶以最小化環(huán)路電感。

放電路徑與驅(qū)動輸出

二極管和電阻DA與RA的組合，在使能功能將驅(qū)動器置于三態(tài)模式時，為功率器件的柵極提供了一個可控的放電路徑。在這種模式下，功率器件的關(guān)斷時間由輸入柵極電容(C_{iss})和電阻RA的值決定。RA未預(yù)裝，用戶可以選擇最適合設(shè)計的值。

驅(qū)動輸出通過柵極驅(qū)動電阻位置連接到MOSFET / IGBT。這些電阻可以更換為不同的值，以優(yōu)化設(shè)計的導(dǎo)通和關(guān)斷性能。IXDS430S還包括單獨的驅(qū)動輸出源/沉引腳，EVDD430S評估板的布局使得通過設(shè)備的分離輸出引腳，導(dǎo)通速率可以與關(guān)斷速率不同。而IXD_430 C和Y輸出引腳是內(nèi)部連接的，只有一組柵極電阻。

欠壓保護與信號選擇

這些設(shè)備有8.5V或11.75V的欠壓觸發(fā)點可供選擇，具體可參考訂單表。如果電源電壓低于這個固定點，對功率器件的驅(qū)動將被禁用。在EVDD430S PCB上，通過JP2可以選擇這個功能，而JP1提供了反轉(zhuǎn)驅(qū)動信號的選項。

四、訂購信息

這里的UV表示欠壓觸發(fā)點，NI表示非反相，配套設(shè)備需要用戶自行安裝。

在實際的電子設(shè)計中，你是否會考慮使用這樣的評估板來進行MOSFET / IGBT驅(qū)動的開發(fā)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的想法。